问题是这样的：
FLASH的读写操作是Copy的青风F030上边的代码。
/****************************************************************************
* 读取指定地址的半字(16位数据)
* faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
* 返回值:对应数据.
****************************************************************************/
uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr)
{
return *(uint16_t*)faddr;
}
/****************************************************************************
* 不检查的写入
* WriteAddr:起始地址
* pBuffer:数据指针
* NumToWrite:半字(16位)数
****************************************************************************/
void STMFLASH_Write_NoCheck(uint32_t WriteAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToWrite)
{
uint16_t i;
for(i=0;i<NumToWrite;i++)
{
FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
WriteAddr += 2;//地址增加2.
}
}
/****************************************************************************
* 从指定地址开始读出指定长度的数据
* ReadAddr:起始地址
* pBuffer:数据指针
* NumToWrite:半字(16位)数
***************************************************************************/
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToRead)
{
uint16_t i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i] = STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
ReadAddr += 2;//偏移2个字节.
}
}
/****************************************************************************
* 从指定地址开始写入指定长度的数据
* WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
* pBuffer:数据指针
* NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
****************************************************************************/
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToWrite)
{
uint32_t secpos; //FLASH 页数
uint16_t secoff; //页内偏移地址(16位字计算)
uint16_t secremain; //页内剩余地址(16位字计算)
uint16_t i;
uint32_t offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE || (WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))
return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr = WriteAddr - STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos = offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //FLASH 页数 0~63 for STM32F030C8
secoff = (offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在页内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain = STM_SECTOR_SIZE/2 - secoff; //页剩余空间大小
if(NumToWrite <= secremain)
secremain = NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个页的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i] != 0XFFFF)
break;//需要擦除
}
if(i < secremain)//需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这一页
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff] = pBuffer[i];
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个页
}
else
STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite == secremain)
break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos ++; //页地址增1
secoff=0; //偏移位置为0
pBuffer += secremain; //指针偏移
WriteAddr += secremain; //写地址偏移
NumToWrite -= secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite > (STM_SECTOR_SIZE/2))
secremain = STM_SECTOR_SIZE/2;//下一页还是写不完
else
secremain = NumToWrite;//下一页可以写完了
}
};
FLASH_Lock();//上锁
}
在一个alrt.c文件中定义了一个uint8_t的变量learnFlag，uint8_t learnFlag = NoLearn;这个变量是保存到FLASH地址0x0800F8B0的。
在main.c中，从FLASH中读出该变量的值，STMFLASH_Read(0x0800F8B0,(uint16_t *)&learnFlag, 1);
这地方，有3中情况：
1）当在alrt.c文件中定义变量learnFlag为uint8_t时，程序执行到FLASH的STMFLASH_Read操作时，会进入到HardFault_Handler。出现错误。
2）当在main.c中定义变量learnFlag为uint8_t时，程序可以正常执行。FLASH读操作正常。
3）当在alrt.c文件中定义变量learnFlag为uint16_t时，程序可以正常执行。FLASH读操作正常。
请教这个是怎么回事？特别是第一种和第二种情况？
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