最准确的电阻--量子化霍尔电阻
2001年:基于量子化霍尔效应建立的电阻量子化标准已在世界范围内取得了巨大的成功.为了从量子化霍尔电阻导出十进电阻量值,中国计量科学研究院建立了高准确度的低温电流比较仪.2000年中国和日本的双边比对表明,两国用量子化霍尔电阻导出的1 Ω电阻量值仅差1.3 nΩ,在公开发表的类似比对数据中为最好结果.中国计量科学研究院用计算电容法测定的Klitzing常数h/e2的SI值为国际上四个最佳实验结果之一,已在1998年的新一轮基本物理常数平差工作中被正式采用.
2006年12月1日 关于正式启用量子化霍尔电阻基准的值开展量值传递的通知 附件:根据新批准的国家直流电阻基准(以下称量子化霍尔电阻基准)长期监测原直流电阻副基准的结果,原直流电阻副基准的长期漂移率为-0.0567μΩ/Ω/年。结合电阻原主/副基准每年一次的比对结果,间接考核了原直流电阻基准的长期漂移率为-0.0943μΩ/Ω/年,确定了原直流电阻基准相对于量子化霍尔电阻基准的相对偏差为+0.697μΩ/Ω。
由中国计量科学研究院等单位完成的“量子化霍尔电阻基准”获得2007年度国家科学技术进步奖。该项目课题组发明了以上国外尚未掌握的核心技术,建成量子化霍尔电阻装置。经过三种严格的国际比对证实,准确度比国外最好的装置高出十倍,并受邀帮助国际计量局和丹麦、意大利等国建立和改进此种装置。
http://www.most.gov.cn/ztzl/gjkx ... t20090109_66638.htm |