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STM8S单片机芯片内部也集成有EEPROM，容量从640字节到2K字节。最为特色的是，在STM8单片机中，对EEPROM的访问就象常规的RAM一样，非常方便。EEPROM的地址空间与内存是统一编址的，地址从004000H开始，大小根据不同的芯片型号而定。 当然如果有外部EEPROM，自然是不会使用到内部的EEPROM的。但小东西也有大用途，例如做无线应用时，减少成本的情况下，还能保存一些特定设置，如：休眠时间，工作频率，输出功率，密码等。
EEPROM的3种编程模式：
l 字节编程 (没有擦除操作)
可对 EEPROM的数据区域进行逐字地编程。应用程序直接向目标地址写入数据。
l 字编程
EEPROM允许字编程（一次编程4个字节），从而缩短EEPROM的编程时间。
l 块编程 (没有擦除操作)
EEPROM块编程操作允许一次对整个块(64个字节)进行编程，整个块在编程前被自动擦除。但块编程操作一定要在RAM中运行。
下面以字节编程进行讲解：
实验平台：stm8s103k3 + stlink
在stm8s_flash.h中：
#if defined (STM8S103) || defined(STM8S903)
#define FLASH_PROG_END_PHYSICAL_ADDRESS ((uint32_t)0x9FFF)
#define FLASH_PROG_BLOCKS_NUMBER ((uint16_t)128)
#define FLASH_DATA_START_PHYSICAL_ADDRESS ((uint32_t)0x004000)
#define FLASH_DATA_END_PHYSICAL_ADDRESS ((uint32_t)0x00427F)
#define FLASH_DATA_BLOCKS_NUMBER ((uint16_t)10)
#define FLASH_BLOCK_SIZE ((uint8_t)64)
#endif
从这里可以看出，eeprom的地址为0x004000~0x00427F，这段地址分为10个Block，每个Block有64个Byte,总容量为640Byte.
关于2个秘钥在stm8s_flash.h中已经定义：
#define FLASH_RASS_KEY1 ((uint8_t)0x56)
#define FLASH_RASS_KEY2 ((uint8_t)0xAE)
中文数据手册上KEY1和KEY2的定义与代码一致，但是英文数据手册上KEY1为0x56和KEY1为）0XAE.暂且不讨论谁搞反了，以代码为准吧！
首先要初始化EEPROM：
我们在eeprom.h中定义：
typedef enum{
#if defined(STM8S103) || defined(STM8S003) || defined(STM8S903)
Block_0=0x4000,
Block_1=0x4040,
Block_2=0x4080,
Block_3=0x40C0,
Block_4=0x4100,
Block_5=0x4140,
Block_6=0x4180,
Block_7=0x41C0,
Block_8=0x4200,
Block_9=0x4240
#endif
}BlockStartAddress_TypeDef; //分块存数，方便读写操作！
在eeprom.c中初始化：
初始化操作步骤：
1. 设定编程时间。FIX=1为标准编程时间（一般一次编程时间为6ms）。如果EEPROM被擦除过并且FIX=0，那么变成时间为标准编程时间的一半（一般为3ms）。
2. 向FLASH_DUKR寄存器连续写入两个MASS密钥值来解除DATA区域的写保护。
第一个硬件密钥：0b0101 0110 (0x56)
第二个硬件密钥：0b1010 1110 (0xAE)
如果第二个秘钥匹配正确，FLASH_IAPSR的DUL位自动置位。
3. 等待DATA EEPROM区解锁。
void EEPROM_Init()
{
FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_PROGRAMTIME_TPROG);
// 注意顺序： FLASH_DUKR = 0xAE为Key2 ，FLASH_DUKR = 0x56;为Key1
FLASH_Unlock( FLASH_MEMTYPE_DATA);
//如果第二个秘钥正确，FLASH_IAPSR_DUL=1；
//直到FLASH_IAPSR_DUL由硬件置位，才跳出while循环
while((FLASH->IAPSR & FLASH_IAPSR_DUL) == 0);//等待DATA EEPROM区解锁
}
FLASH_Unlock函数原型在stm8s_flash.c中：
void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType)
{
assert_param(IS_MEMORY_TYPE_OK(FLASH_MemType));
if (FLASH_MemType == FLASH_MEMTYPE_PROG)
{
FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;
FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;
}
else
{
FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY2;
FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY1;
}
}
在main.c中，你就可以进行擦除，读，写操作了！
FLASH_EraseByte(uint32_t Address); // 擦除某地址的一个字节
FLASH_ProgramByte(0x4001,0x08); //写入一个字节
while((FLASH_IAPSR & 0x04) != 0x00); //直到EOP=1，EEPROM编程结束
Rdat= FLASH_ReadByte(0x4000); // 读出某地址的一个字节
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