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香版,一个datasheet上的问题

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楼主: ShakaLeo
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我想应该是这样的:
在开漏模式下对输入数据寄存器的读访问可得到I/O状态 ,意思是你在最后一次向寄存器写1,但是外部电路将其拉低后,你读到的也应该是0,读到的都是I/O的电平状态。
在推挽式模式时,对输出数据寄存器的读访问得到最后一次写的值,意思是读到的都是你最后写的值,而不管外部I/O口的电平是什么样。

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zdx818| | 2010-3-10 12:00 | 只看该作者
本帖最后由 zdx818 于 2010-3-10 12:09 编辑

其实从这图一下就看明白了,就电路图非常明白,但要文字说明就不太容易。

不论开漏模式还是推挽模式都是这张图。
开漏模式:输出寄存器上的’1’将端口置于高阻状态(P-MOS从不被激活)
推挽模式:输出寄存器上的’1’将激活P-MOS。
所以可以在开漏模式下读出IO状态。

1.jpg (84.61 KB )

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QuakeGod| | 2010-3-10 15:11 | 只看该作者
对楼上的图有点质疑,就是那个TTL肖特基触发器,应该是施密特触发器吧,跟TTL没有任何关系。

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