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mos管的源极和漏极到底一不一样?

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楼主: shisizai
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hotyong| | 2016-8-25 12:20 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
如果内部带二极管的,绝对不一样啊。。

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shisizai|  楼主 | 2016-8-25 12:24 | 只看该作者
bald 发表于 2016-8-24 22:00
有Vgs,有Vds,Vdg自己算一下

突然间……顿悟了

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yu515301489| | 2016-8-25 13:22 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2016-8-24 20:28
保证VGS VDS不出问题就可以了。
VDG不要你管。。。。

灌水,不过楼主的精神可嘉。希望找到答案。

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haitun1895| | 2016-8-25 14:34 | 只看该作者
VDSS=55V,VGS=+-20V,求VGD?  这个2010年出生的人也会算吧?

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ouyangchun| | 2017-8-26 12:47 | 只看该作者
我用软件模拟了一下2N7000如果源极和漏极互换的情况,是不一样的,波形差别很多,可见结构还是不一样,学过MOS管的工作原理方程,原理上是可以互换的,实际还是不能互换的

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戈卫东| | 2017-8-26 15:16 | 只看该作者
但是D和S可以完全互换的例子是大量存在的:差不多所有的半导体模拟开关都是MOS管做的,而且D和S可以互换。

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