单从芯片上来看，由与采用了特殊技术，主要优点有：
1.超结mosfet的导通电阻仅相当与相同电压电流规格的常规MOSFET的50%左右，因此导通损耗低，发热小，效率高；
2.相同电流电压规格情况下，超结mosfet的芯片面积会会比常规的mosfet小接近50%，因此Qg要小，开关速度快，开关损耗小；
3.由于超结MOSFET芯片面积小，相同电流级别的产品可以使用更小的封装，比如：20A 600V的常规mosfet一般只能封装在T0247或T0-3P的封装里，而超结MOSFET可以封装在TO-220的封装中，可以有效缩小产品体积
4.由于芯片工艺过程良率限制和封装体积限制，超结MOSFET可以把电流做的比较大，47A ，52A等，常规MOSFET很难实现。
主要优点差不多就这么多，主要缺点是：
1 .由于管芯面积小，超结MOSFET的Eas会比常规的MOSFET略差，在有较大感性负载的电路中的耐冲击能力比常规MOSFET略弱；
2.价格会比常规的MOSFET略贵 20%～50%；
海飞乐技术CoolFET 由VISHAY技术团队回国创业所创。
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