看了下FDN302P的数据手册，从理论上说，这个电路是可用的，压降应该是较低的，但是：
1.楼主所述的压降是从哪个点测得的？MOS管两端还是电源输入与输出引线？如果是输入与输出引线测量，应该要考虑线路走线的压降。
2.MOS管是正温度系数的管子，意思是温度越高，其内阻越大；1～1.2A电流对于FDN302P这种小封装（SOT23）管子算大了，如果设计不考虑散热措施，可能由于温升原因造成其内阻过大，而影响到压降。
FDN302P手册指明：其功率温升系数为Rja为250℃/W，如果是1.2A负载电流，Vth=3.5V时，其内阻为0.045Ω左右，则其温升为1.2*1.2**0.045*250＝16.2℃。
在此温升情况下，如果不做好其散热措施，将会使温升急剧上升，如果上升到125℃，此时FDN302P的内阻将变成0.06Ω。内阻变化13%。
如果Vth过小，这种情况将更加严重。
4.在MOS管驱动部分，要注意其跨导影响，应该适配相应跨导的驱动电阻（虽然MOS管是电压驱动元件，但如果在开启时，驱动不够，将会影响其工作状态，使得结温上升过块而影响到内阻）。 |
楼主
