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小信号放大问题

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楼主: chennint
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whe1984| | 2010-4-21 17:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
MARK

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zhouhuihust| | 2010-4-21 21:01 | 只看该作者
为什么不直接用仪表运放呢?AD620就可以解决问题

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qczq| | 2010-4-21 21:37 | 只看该作者
兰州,你确定Q1B工作在放大区吗?

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xmar| | 2010-4-21 21:54 | 只看该作者
回20楼: “这样前后的阻抗是不是就不太匹配了?”——
所指‘前’是什么?‘后’可以理解,指JFET输入。如果‘前’是指信号源内阻,什么信号源内阻高达100kohm?若内阻真的很高。把100k改为1M亦未尝不可。
其实对于大多数小信号电压放大器,信号源与放大器输入阻抗是不匹配的。为了获取尽可能高的输入电压,通常信号源内阻低。放大器输入阻抗高。 阻抗匹配多用于降低信号功率传输损耗、降低高频信号反射失真等应用中。不是什么地方都需要阻抗匹配。

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bdkonly| | 2010-4-21 22:31 | 只看该作者
回楼主:
在Q1A栅极加个10M电阻到地即可
可以不需要负反馈,如果电源的稳定度较好的话。
那些没研究过JFET放大电路的 人就只会乱说……

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bdkonly| | 2010-4-21 22:34 | 只看该作者
另外注意你的IDSS是否处于线性放大区。看看2N5199的PDF文档里对应的VGS-ID曲线。
有些JFET管是不需要特定的直流偏置的,比如G极可以直接通过一个电阻到地,称为零偏压。具体可以看看管子的PDF资料。

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chennint|  楼主 | 2010-4-23 13:08 | 只看该作者
回24楼:
这个电路计划是用作电荷放大的,不单纯的是电压放大的问题,所以,前边传感器的内阻是很高的,当然,正如你和狂人所说,在Q1A点加一个100M电阻就可以的,但是我们组的老同志说,不用加肯定能可以,但是,现在就是后边的运放的正相和反相就是电压值不等。不知道为什么?

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chennint|  楼主 | 2010-4-23 13:13 | 只看该作者
回27楼:
谢谢你的建议,但是我还是有一点不明白的是,2N5199上边有两条VGS-ID曲线,其中一条为VGS(off)=-2V
另一条VGS(off)=-3V的两条曲线,到底用哪个呢?为什么呢?

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bdkonly| | 2010-4-23 15:44 | 只看该作者
27# chennint
根据你的图,运放输入两引脚的直流成分是不一样的。

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chennint|  楼主 | 2010-8-11 23:22 | 只看该作者
最后,我给2n5199的两个D级之间接了一对二极管,问题解决

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