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求助老T叔及众神!

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沙发
lfc315| | 2017-3-9 11:23 | 只看该作者
不由自主想到了激光

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板凳
tyw| | 2017-3-9 11:34 | 只看该作者
本帖最后由 tyw 于 2017-3-9 12:21 编辑

把你的测量条件说清楚.金属,非金属.静态,动态?在基板上测,还是悬空的(涉及到位移传感器找基准点.)

2-椭圆偏振法测量薄膜厚度.pdf (1.42 MB)
真空技术-薄膜厚度的测量.pdf (6.13 MB)
超声波测厚仪-原理与电路.pdf (6.23 MB)
测厚仪原理.pdf (1.05 MB)
非接触玻璃测厚系统.pdf (6.64 MB)
非接触式钢板厚度测试仪.pdf (4.27 MB)
SI-F 系列 微型传感头型分光干涉式 激光位移计.pdf (2.84 MB)
SI-F80R 系列 分光干涉式晶片厚度计.pdf (1.99 MB)
LS-9000 系列 超高速度、高精度数字测微计.pdf (3.4 MB)
LK-G 系列 小型/高精度/长距离 创新的CCD激光位移传感器.pdf (3.93 MB)
EX-500 系列 高精度涡电流位移传感器.pdf (454.72 KB)
EX-V 系列 数字涡电流位移传感器.pdf (2.31 MB)
EX-200 系列 涡电流位移传感器 产品目录.pdf (404.32 KB)
激光位移传感器 测量指南.pdf (3.24 MB)

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地板
fzh123|  楼主 | 2017-3-9 13:42 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-3-9 11:34
把你的测量条件说清楚.金属,非金属.静态,动态?在基板上测,还是悬空的(涉及到位移传感器找基准点.)

测量硅片厚度,半导体。理解为悬空吧。

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5
fzh123|  楼主 | 2017-3-9 14:14 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-3-9 11:34
把你的测量条件说清楚.金属,非金属.静态,动态?在基板上测,还是悬空的(涉及到位移传感器找基准点.)

电容式传感器可以吗?

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6
dirtwillfly| | 2017-3-10 08:19 | 只看该作者
用超声波应该也可以

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7
fzh123|  楼主 | 2017-3-10 09:31 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-3-9 11:34
把你的测量条件说清楚.金属,非金属.静态,动态?在基板上测,还是悬空的(涉及到位移传感器找基准点.)

T叔,恕我愚钝,测量位移的怎么用来测量厚度啊?

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8
tyw| | 2017-3-10 09:38 | 只看该作者
fzh123 发表于 2017-3-10 09:31
T叔,恕我愚钝,测量位移的怎么用来测量厚度啊?

先测传感器到基点距离,清零后再测到工件的距离.读数就是工件厚度了.当然工件必需平放在基点上.

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9
xuyaqi| | 2017-3-10 09:42 | 只看该作者
到这里去看看:http://www.shidaiyiqi.com.cn/product/product117.html
探头主要技术参数:
测头型号
F400
F1
F1/90
F10
N1
CN02
工作原理
磁感应
电涡流
测量范围(um)
0-400
0-1250
0-10000
0-1250(铜上镀铬0-40um)
10-200
低限分辨力(um)
0.1
0.1
10
0.1
1
示值误差
一点校准(um)
±[3%H+1]
±[3%H+10]
±[3%H+1.5]
±[3%H+1]
两点校准(um)
±[(1~3)%H+0.7]
±[(1~3)%H+1]
±[(1~3)%H+10]
±[(1~3)%H+1.5]
-
测量条件
最小曲率半径(mm)
凸 1
凸1.5
平直
10
3
平直
基体最小面积的直径(mm)
ф3
ф7
ф7
ф40
ф5
ф7
最小临界厚度(mm)
0.2
0.5
0.5
2
0.3
无限制

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10
fzh123|  楼主 | 2017-3-10 10:06 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-3-10 09:38
先测传感器到基点距离,清零后再测到工件的距离.读数就是工件厚度了.当然工件必需平放在基点上. ...

精度是um级别的,两个物体只要有接触,应该就会有缝隙,这个不好办吧。

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11
tyw| | 2017-3-10 10:12 | 只看该作者
12
fzh123|  楼主 | 2017-3-13 14:10 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-3-10 10:12
去这里看看,这家专做晶片测量的
http://china-search.keyence.com/cn/zhcn/downloadcon/search.x?q=&ie=u ...

T叔,我看电容式传感器可以测量厚度,上电容和下电容传感器,利用上电容和中间待测物表面、下传感器和待测物表面,分别计算电容。
我的问题是,中间待测物没有连接,怎么去测电容值啊?

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13
tyw| | 2017-3-13 14:36 | 只看该作者
fzh123 发表于 2017-3-13 14:10
T叔,我看电容式传感器可以测量厚度,上电容和下电容传感器,利用上电容和中间待测物表面、下传感器和待 ...

电容传感器(传感器原理与应用).pdf (2.15 MB)
电容位移传感器的.pdf (8.22 MB)
第2章位移检测传感器之电容式.pdf (590.44 KB)
电容式位移传感器.pdf (202.82 KB)
电容式位移传感器的设计.pdf (2.42 MB)
电容式传感器.pdf (1.72 MB)

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14
fzh123|  楼主 | 2017-3-16 09:18 | 只看该作者

T叔,我看了好多,频率变换型电容传感器,大概了解它的原理。
但是还是我上面说的,待测物(相当于悬空)与上电容之间的电容容量怎么测,待测物作为一个电极,没法接线啊。

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15
tyw| | 2017-3-16 09:23 | 只看该作者
fzh123 发表于 2017-3-16 09:18
T叔,我看了好多,频率变换型电容传感器,大概了解它的原理。
但是还是我上面说的,待测物(相当于悬空) ...

晶片不是金属,不能作为电极(就算能导电,能让你碰吗?)所以得用其他办法测.

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16
fzh123|  楼主 | 2017-3-16 09:54 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-3-16 09:23
晶片不是金属,不能作为电极(就算能导电,能让你碰吗?)所以得用其他办法测. ...

有的测量硅片厚度就是这个方法,国内和国外都有,一直不得其解。
大概利用的就是数脉冲的方式计算电容容值,但是就是这个硅片作为一级始终不明白。
The measurement technique follows directly from the formula for capacitance. The
capacitance of two parallel plates, separated by air, is directly proportional to the area of the
plates and inversely proportional to the distance between the plates. When measuring the
thickness of a silicon wafer, wafer acts as one plate of the capacitor, and a measurement
electrode, held a fixed distance above the bottom surface of the wafer, acts as the second
plate. Because the silicon in conductive, the thicker the wafer, the smaller the spacing
between the “lower” plate and the upper plate.
Semilab In-Line systems (WLT and WMT) measure thickness of wafers while moving on a
conveyor belt. In this case the wafer is not grounded, and the one-sided measurement won’t
work. Instead, Semilab uses a proprietary double-sided extension of the one-sided
measurement technique.

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tyw| | 2017-3-16 09:57 | 只看该作者
本帖最后由 tyw 于 2017-3-16 10:15 编辑
fzh123 发表于 2017-3-16 09:54
有的测量硅片厚度就是这个方法,国内和国外都有,一直不得其解。
大概利用的就是数脉冲的方式计算电容容 ...


测量技术直接遵循电容公式。 的
由空气隔开的两个平行板的电容与面积成正比
并与板之间的距离成反比。 测量时
硅晶片的厚度,晶片用作电容器的一个板,并且进行测量
电极,保持在晶片底面上方的固定距离,充当第二个
盘子。 因为硅在导电,晶片越厚,间距越小
在“下”板和上板之间。
Semilab在线系统(WLT和WMT)在移动时测量晶片的厚度
输送带。 在这种情况下,晶片不接地,单侧测量不会
工作。 相反,Semilab使用专有的双面扩展的单面
测量技术。

狗狗翻译的.大致意思明白了,晶片作为导体放在固定极板上(注:也存在你前面担心的间隙),然后测上极板与晶片之间电容.因为极间加载了激励频率,所以只要测频率就可换算厚度了.

晶片有多大?重吗?重的话靠自重来压平.也可试试在下极板打孔,用真空负压来吸住晶片.在线测可能有点麻烦.假设测试工位占时一秒,则下极板得随行1秒的距离,真空软管得长点才行,或者弄个薄膜泵跟着一起动.这是后话.先做工艺试验确定可行,再做总体设计.

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18
fzh123|  楼主 | 2017-3-16 10:04 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-3-16 09:57
测量技术直接遵循电容公式。 的
由空气隔开的两个平行板的电容与面积成正比
并与板之间的距离成反比。 测 ...

是这个意思吗?硅片作为电极的一极。

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19
fzh123|  楼主 | 2017-3-16 10:15 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-3-16 09:57
测量技术直接遵循电容公式。 的
由空气隔开的两个平行板的电容与面积成正比
并与板之间的距离成反比。 测 ...

不重,单靠硅片重量我估计是压不平的。
我的感觉是,利用555之类的,电容变化,测量555输出频率的方法。但是硅片如何作为一极啊........
我看老外的一个东西,完全没有与外界有任何的电气接触。

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20
tyw| | 2017-3-16 10:20 | 只看该作者
本帖最后由 tyw 于 2017-3-16 10:21 编辑
fzh123 发表于 2017-3-16 10:15
不重,单靠硅片重量我估计是压不平的。
我的感觉是,利用555之类的,电容变化,测量555输出频率的方法。 ...


具体木玩过,也许晶片半导体性质在这里不碍事.可容询下传感器厂家.
555>10kHz,线性很差,不能用.

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