射极跟随器困惑

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 楼主| 令界剑 发表于 2017-4-8 10:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
为什么将三极管集电极与VCC串联的电阻移到发射极与地串联,三极管就变成了一个设计跟随器,三极管的工作状态放生了怎么样的改变
 楼主| 令界剑 发表于 2017-4-8 10:54 | 显示全部楼层
比如我基极输入一个1V的电压,集电极接24v,发射极输出跟随基极电压,集电极到发射极的压降是否全部加在看三极管上。
HWM 发表于 2017-4-8 10:55 | 显示全部楼层
去看《模拟电路》中的共集组态三极管放大器部分。内有相应说明。
zyj9490 发表于 2017-4-8 11:01 | 显示全部楼层
跟随,指的是一个电压信号(低能量的,只能输出小电流)转换成能输出大电流的,但信号幅值没有多大变化,阻抗变换级,输入阻抗大,输出阻抗小,增益近似于1的电路级。叫跟随。
maychang 发表于 2017-4-8 16:53 | 显示全部楼层
“为什么将三极管集电极与VCC串联的电阻移到发射极与地串联,三极管就变成了一个设计跟随器”
没有那么简单。
最重要的,是放大电路输出端从三极管集电极改到了发射极。
renxiaolin 发表于 2017-4-13 09:25 | 显示全部楼层
令界剑 发表于 2017-4-8 10:54
比如我基极输入一个1V的电压,集电极接24v,发射极输出跟随基极电压,集电极到发射极的压降是否全部加在看 ...

显然,电压取点不一样,一个在集电极取,一个在发射极取,在一个,发射极的电流大于集电极,所以驱动能力更强
maychang 发表于 2017-4-13 10:00 | 显示全部楼层
renxiaolin 发表于 2017-4-13 09:25
显然,电压取点不一样,一个在集电极取,一个在发射极取,在一个,发射极的电流大于集电极,所以驱动能 ...

“发射极的电流大于集电极,所以驱动能力更强”
要是MOS管呢?MOS管漏极电流等于源极电流。
renxiaolin 发表于 2017-4-13 10:20 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2017-4-13 10:00
“发射极的电流大于集电极,所以驱动能力更强”
要是MOS管呢?MOS管漏极电流等于源极电流。 ...

楼主原帖说的就是三极管,说的是射极跟随,MOS管是电压驱动,跟三极管的原理根本不一样,只是在实际中,因为MOS的种种特性,尤其是功耗比三极管小,所以应用更普遍,但,三极管的频率特性是MOS不具备的

评论

低压糸统,低压差,高频的驱动,BJT有优势。  发表于 2017-4-13 12:00
maychang 发表于 2017-4-13 11:21 | 显示全部楼层
renxiaolin 发表于 2017-4-13 10:20
楼主原帖说的就是三极管,说的是射极跟随,MOS管是电压驱动,跟三极管的原理根本不一样,只是在实际中, ...

“因为MOS的种种特性,尤其是功耗比三极管小,所以应用更普遍”
一点边也不沾。
renxiaolin 发表于 2017-4-13 12:17 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2017-4-13 11:21
“因为MOS的种种特性,尤其是功耗比三极管小,所以应用更普遍”
一点边也不沾。 ...

你来个沾边的,你要是说个道理在评论,还是讨论,你要是啥也不说,直接说啥沾边不沾边的话,我会直接无视,在一个我奇怪的是,人家楼主明明说的三极管,你突然给我说个MOS管,谁不沾边?要是您认为两者一样的话,那就当我没说,冒犯之处还请谅解,谢谢大家
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