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电磁兼容的实用技术、技巧和工艺》，这是从上海图书馆借来的，简单的翻了下，还可以，内容正如其名，比较实用，不过一时很难全盘通读，刚全部翻完了，看到了几点可能能用得上的摘录如下：
1、CMOS的优先选用次序如下：4000 > 高速CMOS > 先进CMOS，应优先采用4000系列；（见该书第5页） 2、选用高度信号完整性和EMC较好的IC，如具有多个电源、地的IC，且电源与地临近；（没说到传统的DIP的电源、地，不过我想那是最不好的了，当然，现在很多IC都是符合的，也见该书第5页） 3、低输入电容有助于降低所产生的峰值电流，从而也降低了磁场发射和地回路电流（二者都是数字发射的主要原因）；（很有道理，见原书第7页） 4、小心图腾柱（Totem-Pole）在转换的瞬间，两个输出器件都会处于导通状态，是造成发射的一个很大的因素，因此应选用低瞬态值的IC；（见原书第7页） 5、在检测电路中，应优先选用电平检测而不是边沿检测，容易受到干扰的；（这条记不得在第几页了，不过确实有道理，记得以前开发51MCU时也遇到过这种情况，偶尔会被干扰，设计阶段就得特别小心） 6、在160MHz频率上，一根直径1mm的导线电阻是DC的50倍。这是因为在这个频率上，趋肤效应（原书是“集肤效应”，我记得物理书上是“趋肤效应”吧？）驱使67％的电流在导线最外层的5um中流动；（见原书第45页） 7、软性铁氧体器件在低频时呈现为电感器，但在高频时，却转变为有损耗的电阻性器件；在具体选用时应注意它们的阻抗频率响应曲线；（见原书第68页） 8、空气的击穿电压典型值是：1kV/mm；（原书上的，不记得第几页了，我记得似乎不是这个数据，如果您有可靠资料或数据请一定告知，谢谢了） 9、另外，书作者还介绍了另一本好书：《电子滤波器手册》，作者：Arthur B Williams，Mc Grew Hill出版公司，1981年，ISBN：0-07-070430-9
主要就记了这么多，没怎么仔细看，总的来说还是比较散的，权当了解或消遣吧！ 上述内容若有谬误之处请一定告知，古人不是说尽信书则不如无书嘛，在此先谢谢了！
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