本帖最后由 Batistuta_ 于 2010-6-8 19:36 编辑
谢谢大家的关注。
1） 电容是在4w电阻的后面的，原来贴的图有误。
2） 改变了R2的参数，A点的下降沿明显变陡了。
3）管子上的第二个尖应该是长线引起的。当时实验用了两跟大概半米的线连接的电容，后来把线改短，第二个尖明显减小。
4）原来是两个场效应管并联在一块的(还有一个管子与Q3并联，门极电阻不共用),可能当初是为了减少单个管子的功耗.
如果给为单个场效应管工作（如图），那么，干扰就会小很多， 接受探头部分的信号也会好很多。
但现在问题又来了，单个管子发热很厉害。 （脉冲宽度为30微妙，周期为50毫秒）
//--------------------------------------------------------------------------------
也想了几个办法减小管子功耗
1) 增加Vgs. 8V->16V，没效果。（用手感觉）
2）改善A点波形的下降沿，改变R2,使门极波形下降沿变陡， 没效果。
按说减小了管子在放大区的时间，应该功耗降低啊，功耗怎么没有改善呢？
3）换管子，减小Rds(on)，吩咐采购订购了20N60（Rds = 0.15欧姆，Vgs = 10V, Id = 10A）
原来用的是FDB15N50（Rds = 0.33欧姆，Vgs = 10V, Id = 7.5A），
后来用IRF830（Rds = 1.35欧姆，Vgs = 10V, Id = 2.7A）做对比。
结果还是没有改善！
为什么两者Rds相差这么多，温度上没有什么差别呢？ 那20N60估计也不行。
请大家再分析一下，应该怎么降低功耗呢. |
楼主
