一个很奇怪的MOSFET驱动问题

只看该作者 · 2010-7-9 16:42

你把MOSFET 制造工艺搞明白了问题也迎刃而解了
MOSFET GS DS 之间有分布电容
cgchb 发表于 2010-7-9 15:31

你好，可能是我没有说清楚。请仔细对比那两个波形。实际上单片机的信号还为低电平的时候，MOSFET就开始充电了。如果那个小尖峰是在单片机为高电平的时候开始有，那也就正常了，现在这个图好像是不互为因果。没有因就有果了

只看该作者 · 2010-7-9 16:43

弥勒效应
Siderlee 发表于 2010-7-9 16:19

你好，可能是我没有说清楚。请仔细对比那两个波形。实际上单片机的信号还为低电平的时候，MOSFET就开始充电了。如果那个小尖峰是在单片机为高电平的时候开始有，那也就正常了，现在这个图好像是不互为因果。没有因就有果了。所有这个用弥勒效应好像解释不过来

只看该作者 · 2010-7-9 18:12

米勒效应，没这个台阶倒是不正常了。

只看该作者 · 2010-7-9 21:50

mos的GS之间加个10K电阻用于保护MOSFET

只看该作者 · 2010-7-9 22:20

9# bamboo03

只看该作者 · 2010-7-9 22:22

是mos驱动不足.mos启动时会先给ciss充电,..

只看该作者 · 2011-4-18 17:18

你抓的波形不合适,你需要看你的IR2101的输入与输出波形对比,然后比较IR2101输出与MOSFET比较,你直接看
IR2101的输入与MOSFET输出比较问题点较难发现,GS之间加个10K电阻可以保护mos管在高阻状态下被击穿.建议在C20上 ...
xiaoyc1979 发表于 2010-7-5 12:16

请问一下，为啥在GS之间加个电阻可以保护MOS管在高阻态下被击穿呢？

只看该作者 · 2011-4-18 20:51

电源串扰。查ir2102输入?

只看该作者 · 2011-4-19 04:11

不是吧，大概是自举电容的漏电参数吧，换个自举电容看看波是不是改变了，自举要用低漏电的的

只看该作者 · 2011-4-24 19:18

cmos drain_open这是什么样的管子啊
是功率放大管吗?
谢谢大家指点一二啊

只看该作者 · 2011-4-24 20:43

寄生电容的影响。

只看该作者 · 2011-4-25 22:31

MOSFET存在着分布电容，以及驱动电路分布着寄生电感。开始门极驱动电压上升，达到MOSFET门极的门槛值，漏极电流开始上升，且驱动电路分布的寄生电感的感应电压随着漏极电流的上升而增大，从而降低了门极的驱动电压；另外漏极电流达到最大时，门极和漏极分布的电容开始放电，在驱动电路中增加了容性电流，使得驱动电路内阻抗的压降增加，也削弱了栅极驱动电压。不知道，这样回答可以吗？