首先感谢MCUISP老朋友参与菜农的技术讨论，其次感谢司南画图的辛苦~~~
1、这两个MOS管只是做微电流的开关，无需动用到SI2301/SI2302这一级别的管子。用2N7002/TP0610就可以了。当然，它们的封装是一样的。
2、RXD的脉冲短的话，经过C1/RS2滤波，给QS1的信号将是不满幅、畸形的，会导致EN信号不规范。
3、LDO输出给4007，将是LDO的稳压功效荡然无存。不知道这个管子目的是什么？要考虑用其他的方法来实现。Dp4在此处的作用也难以理解。
4、对低功耗电路，LDO的静态电流是不可忽略的。要实现真正的掉电，应该用MOS管关闭整机电流，而不是控制LDO的EN端。
首先接受意见4，将33楼图改为35楼图，这样117芯片通用好采购。
实际两个图的原理都是一样的，即控制 LDO的通断，不同的是33楼图可以用普通的三极管控制EN,35楼的PMOS要承受“大电流”。
意见1是功率合适的选择问题，这个不算问题。
焦点在3和2，实际建议2的想象是不会发生的，因为自保电路迫使NMOS导通，RXD信号被钳位。
故实际的问题只有建议3了。
3、LDO输出给4007，将是LDO的稳压功效荡然无存。不知道这个管子目的是什么？要考虑用其他的方法来实现。Dp4在此处的作用也难以理解。
实际这个设计是忧虑法拉电容的充电电压的高低问题：
法拉电容高时，自然掉电保护时间长，反之时间短，再考虑必须阻断法拉电容对外围电路不必要的放电，故必须用二极管的单性阻止放电。
为保持充电的高压，故必须太高LDO的输出，故用DP3抬高输出电压，而DP2则用于减低实际输出电压。即输出为3.3V。
这种抬高输入电压和输出电压的手法在线性稳压器中很常用。
至于1117能否实现以上目的要看试验而定，试验失败可将DP3短路，不过法拉电容的电压将会减小，维持时间将大大降低。
再次感谢各位参与。
|
