香主，IAR下对EEPROM写保护操作报错

只看该作者 · 2010-7-13 12:31

本帖最后由 black.lu 于 2010-7-13 18:41 编辑

IAR的自带例程里有这样的操作：FLASH->IAPSR &= (u8)(~FLASH_IAPSR_DUL);
而我的操作：FLASH_IAPSR_DUL=0;就报错，编译不过，我看过系统头文件，已经对FLASH_IAPSR_DUL进行了定义，所以不存在没定义的问题。
而且编译报错是Error[Pe137]: expression must be a modifiable lvalue，即指FLASH_IAPSR_DUL不可修改，这是为什么啊，一直没解决掉，后来也没管他，今天打干扰的时候出问题了……郁闷。

只看该作者 · 2010-7-13 14:07

宏定义是常量，不能赋值，变量才能被赋值

只看该作者 · 2010-7-13 14:57

常量肯定是不能被赋值的

只看该作者 · 2010-7-13 15:00

楼主先找本C语言的书看看，
什么是左值（lvalue），什么是右值（rvalue）。

只看该作者 · 2010-7-13 17:19

谢谢楼上各位的回答，关于C语言的问题，左值和右值的概念我还是懂的，如果是常量宏定义，我不否认我的写法是有问题的。但是如果去IAR自带的iostm8.h的头文件中看，
#define FLASH_IAPSR_DUL FLASH_IAPSR_bit.DUL
不难发现 FLASH_IAPSR_DUL不是常量，而是结构体的成员变量，所以不会存在赋值、以及左右值的问题。
在头文件中队FLASH_IARSR的结构体定义为：
__IO_REG8_BIT(FLASH_IAPSR, 0x505F, __READ, __BITS_FLASH_IAPSR);即该寄存器为只读。
我现在唯一的解决办法是更改系统头文件，将该寄存器更改为可读可写（__READ_WRITE），才可以解决在密码开启之后的数据写保护问题。（当然单片机复位不算）
更改后的结果是：编译能通过、密钥开启后可以通过DUL清零（即重新写保护），与PDF资料相符。
还是想请权威人士给一个肯定的结论，这样的操作是不是有风险，还是IAR本身的问题？

只看该作者 · 2010-7-13 17:32

工程使用的ST的固件库没有？

如果使用了，楼主你找错了文件。
(使用库并没有包含iostm8.h,而是包含stm8s.h)

只看该作者 · 2010-7-13 18:40

我没有使用库，库太繁琐。直接操作寄存器，自己写的，对了我的开发环境是IAR，我看安装目录下的头文件夹内都是是io打头的头文件，LS是用的STVD吗？
6# stm8s103

只看该作者 · 2010-7-13 18:46

楼主把反映问题的最小工程上传吧

只看该作者 · 2010-7-13 19:29

/*******************************************************************************
Copyright (C), 2003-2009, winpark Electronics Co., Ltd.
Flie name: for STM8Sxxx--eeprom
Author: black.lu
Version: V1.00
Date: 2010-6-29
Description:对STM8系列单片机的内部EEPROM进行操作
*******************************************************************************/
#include "File_Include.h"
//----------------------------------------------------------
#define MASS_KEY1 0XAE //写操作密钥,注意FLASH与EEPROM的密钥相反
#define MASS_KEY2 0X56
//----------------------------------------------------------

/***********************************************************
* 函数：void STM8_EEPROM_Init(void)
* 说明：EEPROM的寄存器初始化
* 参数：无
* 输出：无
* 返回：无
***********************************************************/
void STM8_EEPROM_Init(void)
{
//都初始化为默认值
FLASH_CR1=0X00;
FLASH_CR2=0X00;
FLASH_NCR2=0XFF;
}
/***********************************************************
* 函数：void STM8_EEPROM_MASS(void)
* 说明：对STM8的EEPROM写使能和写保护
* 参数：bool mass_en
0--写保护
1--写使能
* 输出：无
* 返回：无
***********************************************************/
void STM8_EEPROM_MASS(bool mass_en)
{
if(mass_en) //写使能
{
FLASH_DUKR=MASS_KEY1;
FLASH_DUKR=MASS_KEY2;
while(!FLASH_IAPSR_DUL)asm("nop"); //等待硬件置位
}
else //写保护
{
FLASH_IAPSR_DUL=0;
}
}
/***********************************************************
* 函数：void STM8_EEPROM_Write_Byte(void)
* 说明：EEPROM写一字节函数
* 参数：uint16 address----写入数据的地址
uint8 dat----写入的一字节数据
bool mass_en----密钥开启选择
* 输出：无
* 返回：无
***********************************************************/
void STM8_EEPROM_Write_Byte(uint16 address, uint8 dat, bool mass_en)
{
if(mass_en) //是否需要密钥
{
STM8_EEPROM_MASS(1); //密钥使能
}
*((uint8 *)address)=dat; //写入地址
// STM8_EEPROM_MASS(0); //禁止写入，直接在使用时将其禁止
}
/***********************************************************
* 函数：uint8 STM8_EEPROM_Read_Byte(uint8 address)
* 说明：EEPROM读取地址一字节函数
* 参数：address----需要读取的地址
* 输出：无
* 返回：uint8
***********************************************************/
uint8 STM8_EEPROM_Read_Byte(uint16 address)
{
uint8 lc_dat_buf;
lc_dat_buf=*((uint8 *)address); //读取偏移地址数据
return lc_dat_buf;
}
/***********************************************************
* 函数：void STM8_EEPROM_Write_NByte(void)
* 说明：EEPROM写N字节函数
* 参数：uint16 address----写入数据的起始地址的地址
uint8 *p----写入的数据指针
uint8 n-----写入的个数
* 输出：无
* 返回：无
***********************************************************/
void STM8_EEPROM_Write_NByte(uint16 address, uint8 *p, uint8 n)
{
uint16 lc_adr_buf;
uint8 i;
STM8_EEPROM_MASS(1); //密钥使能
lc_adr_buf=address; //起始地址
for(i=0;i<n;i++)
{
*((uint8 *)lc_adr_buf)=*p;
lc_adr_buf++;
p++;
}
STM8_EEPROM_MASS(0); //禁止写入
}
/***********************************************************
* 函数：void STM8_EEPROM_Read_NByte(void)
* 说明：EEPROM读N字节函数
* 参数：uint16 address----读取的数据的起始偏移地址
uint8 *p----读取后存入的首地址
uint8 n-----读取的个数
* 输出：无
* 返回：无
***********************************************************/
void STM8_EEPROM_Read_NByte(uint16 address, uint8 *p, uint8 n)
{
uint16 lc_adr_buf;
uint8 i;
for(i=0;i<n;i++)
{
*p=*((uint8 *)lc_adr_buf);
p++;
lc_adr_buf++;
}
}

只看该作者 · 2010-7-13 19:31

我的EEPROM的驱动文件部分的代码都在上面了，红色句就是编译不过的。

只看该作者 · 2010-7-13 21:16

这个问题挺有意思
我的理解: 寄存器定义的时候类型为READ，那么这个寄存器就相当于定义了一个const修饰的常变量，是不能当左值用的。而把寄存器定义改为READ WRITE型的时候，这个寄存器就可读可写的了。
这么做有没有风险，得看STM8手册上对该寄存器的描述

只看该作者 · 2010-7-14 08:32

今天看了一下IAREWARM，感觉昨天猜对了，io_macros.h中：
#define __READ_WRITE
#ifdef __cplusplus
#define __READ       /* Not supported */
#else
#define __READ       const
#endif
#define __WRITE       /* Not supported */

只看该作者 · 2010-7-14 08:34

如果按PDF上的说明，FLASH_IAPSR寄存器的DUL位是可以通过写入密钥来硬件置位，（中文手册36页，英文手册51页）软件清零的。即该位是可读可写的。

只看该作者 · 2010-7-14 08:58

那就不太清楚了，对STM8不熟悉，很可能是这个寄存器中有其它的位是只读位，头文件中就把整个寄存器定义成只读了

只看该作者 · 2010-7-14 09:01

IAR 头文件错误不止一处呀，尽量使用库文件吧；

1万 · 2010-7-14 09:21

自己进行些小修改，就可以了，比如：
__IO_REG8_BIT(FLASH_IAPSR_RW, 0x505F, __READ, __BITS_FLASH_IAPSR);即该寄存器为可读写。
#define FLASH_IAPSR_RW_DUL FLASH_IAPSR_RW_bit.DUL

FLASH_IAPSR_RW_DUL=0;

只看该作者 · 2010-7-14 11:31

本帖最后由 stm8s103 于 2010-7-14 11:36 编辑

楼主上传最小反映问题工程。

光代码没用，无解。

这里仅仅是个编译错误，要找错误得看上下文环境。

只看该作者 · 2010-7-14 12:27

……还有哪些错误啊，能不能举例下，免得我以后遇到又没辙，感谢！
15# mcu5i51

只看该作者 · 2010-7-14 17:54

好像TM2部分在103F3时有错误吧，还有级的少一个端口定义；记不清了，后来就用库了。

香主，IAR下对EEPROM写保护操作报错

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