为什么这个电路会烧MOS管?

发表于 2010-9-6 20:04

受教了

发表于 2010-9-6 21:43

学习……

发表于 2010-9-8 01:36

最好不要用817来驱动MOSFET，要用也需要使用TLP250之类的MOS驱动芯片，否则工作在放大区就杯具了
jazzyfox 发表于 2010-9-3 20:27

同意jazzyfox观点，算一下，如果MCU引脚输出5V，1K电阻限流，817线性光耦，不考虑压降最多5mA,按电流传输比50%算，驱动电路只能得到2.5mA电流，栅极电压4.7*2.5=11.75V
实际上发光管压降1.2V左右，MCU输出达不到5V(就算是推挽输出)，电流传输比每个光耦不一样，估计有部分使栅极电压不够高，使场管进入放大区而损坏，建议换光耦为开关型，换MOS管为低Vgs导通型，把两个4.7K换成10K

发表于 2010-9-8 22:49

太强大了

发表于 2010-9-8 23:08

4# 123jj
那要是大电流MOS管应该怎么设计呢？是由于MOS管的选型使得烧吗？

发表于 2010-9-9 13:00

昨天,我摸到象就像一根柱子...
今天,我摸到象就是一个大屁球,球上带一根绳子...
噢, 明天,不知道象又变成什么样子了.

发表于 2010-9-9 13:13

NTC变化负载电流变大

发表于 2010-9-9 16:12

:o是吗？

发表于 2010-9-13 05:56

4# 123jj
那要是大电流MOS管应该怎么设计呢？是由于MOS管的选型使得烧吗？
lp1468 发表于 2010-9-8 23:08

现在驱动MOS管的频率都做的比较高，对驱动源瞬间响应速度及驱动功率要求较高，一般都用IR系列专用MOS管驱动器，要简化成本，起码也要用推挽管驱动。

发表于 2010-9-15 12:47

学些学习，新手上路

发表于 2010-9-16 17:28

大家说法都不一至，也不知谁说的有理啊

发表于 2010-9-19 15:03

mark

发表于 2010-9-19 15:06

Q41只有60V的耐压，用在大电流电中，耐压太低了！负载电源线稍长，将发生击穿！
赛格电子网--网聚好生意 www.segdzw.com

发表于 2010-9-19 15:25

大家说法都不一至，也不知谁说的有理啊
wang_6684 发表于 2010-9-16 17:28

二姨家没有裁判，你只有多看看 chunyang，maychang，香水城等高手的发言，这些高手对菜鸟极其认真负责，一般情况下，每一个回贴都经过大脑认真思考过，回贴念金量很高，你认真学习钻研这些高手的思维方式和方法，定会收益非浅，早日成为真正大师级的高手。

发表于 2010-9-19 15:49

二姨家没有裁判

这句话说的好，非常好

发表于 2010-9-22 22:14

我也是菜鸟就是看着大家说的这么好学到了很多
17楼就像17楼说的要是感性负载是得在负载上加续流二极管

发表于 2010-9-22 22:15

明天接着来听课呵呵

发表于 2010-9-28 21:03

学习

发表于 2010-9-29 15:18

拿个板凳，学习一下！

发表于 2010-9-30 21:03

各位分析的很多啊！最终就是二个观点，MOS管是电压损坏还是电流损坏，这个就判断一下啊！是电流那么模拟一下各种情况看看发热量，电流必产生热量。少数坏，说明电流的可能性相对小些。电压那就在MOS管上并个TVS管，电感问题过压问题一并解决了！我随便讲讲！如有不到之处，还请指正！

[AVR单片机] 为什么这个电路会烧MOS管?

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