关于三极管深度饱和恢复时间问题

发表于 2010-10-2 09:42

继续努力

发表于 2010-10-3 20:11

看来的学习啦

发表于 2010-10-7 15:38

其实矛盾的焦点就是在基区存储电荷是否可以用结电容来表示。虽然觉得ShakaLeo的言语有点过激，但是个人认为在建模机制里，电荷存储机制就是用结电容来表示的。

发表于 2010-10-14 15:17

没想到我的一个帖子引起这么多高手的回应，努力学习中！

发表于 2010-10-15 13:33

群英会，来晚了

发表于 2010-10-15 18:06

新手，学习中！

发表于 2010-10-23 17:06

加油

发表于 2010-11-3 13:29

都是高人

发表于 2010-11-17 23:35

多年后，估计我还是个白痴
无可奈何花落去！

发表于 2010-11-18 12:28

学习！

发表于 2010-11-19 18:39

学习

发表于 2010-11-21 21:36

学习下

发表于 2010-11-23 22:59

围观

发表于 2010-12-6 00:37

同上

发表于 2010-12-6 19:16

值得学习啊啊！！

发表于 2010-12-8 10:32

赞
强帖留名

发表于 2011-3-6 17:08

希望自己能早点看明白

发表于 2011-3-12 23:02

这个有深度

发表于 2011-4-15 19:37

用电子和空穴来解释就没问题。电流是电子移动到空穴。空穴是不动的，就是正极性电荷，空穴里有电子就是中和状态，电子是移动的。加反向电压时，正向导通时耗尽层存储的电子还需要时间中和，所以正向电流不能立即停止。

发表于 2011-4-16 01:14

mark一下。。。明早好好看