上周刚好做了实验，发现了跟lz一样的问题，在网上看了半天，大概有了下自己的理解，说一下，请轻批。
首先，关于导通时间比关断时间长，借用另一个帖子一个高手的回答，原文在https://bbs.21ic.com/icview-223899-1-1.html
电流的流动实际上是电子的移动，即从负极或地移动到正极，移动速度快。正极是空穴，移动缓慢。半导体有个耗尽层，正向导通时电子和空穴在这个区域中和时的时间短，耗尽层很快变薄。但加上反向电压时，要把耗尽层原来的电子和空穴分开时需要时间长，耗尽层变厚的速度慢。
从开始变薄到达到临界饱和所需厚度（如果电流比较大，之后耗尽层还会变薄）的时间即为导通时间，从开始变厚到达到关断所需厚度的时间即为关断时间。
其次，导通时间与导通电流关系不大，而当导通电流越大时，be结的耗尽层厚度越窄，设为b。而完全关断时耗尽层的厚度是固定的，设为a。关断时间即为耗尽层厚度从b恢复到厚度a所需的时间，b与a之间差值越大，恢复时间越长，关断延迟越大。这个从实际的实验中看，就是当b端限流电阻不变时，输入电压越高，关断延迟时间越长。 |
