关于三极管深度饱和恢复时间问题

只看该作者 · 2012-11-22 13:44

本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-22 13:53 编辑

注，以下内容难免错讹，请大家帮助我纠正学习。

我几天前无意中搜索到这片帖子，感触到高手如云啊！
我当然不是什么高手，但是也许我能帮助大家理清争论的根源。
先看5楼

3楼所说和楼主所说根本是两回事，而且叙述不正确。
双极型三极管从深饱和到截止的时间延迟，主要是基区电荷的影响。这与3楼所说集电极基极之间的电容是两回事。
即使是二极管，从正向导通转入反向截止，也需要时间。 ...
maychang 发表于 2010-9-23 12:57

我在maychang的书中找到了来源依据：

显然，确实如此

只看该作者 · 2012-11-22 13:46

本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-22 14:12 编辑

开关滑到右边，二极管电流没有马上截止，还平稳地倒流了ts这么长一会儿，而后在tr时间段曲线回归近0。
如果我们能把这个现象中所有问题解释清楚了，就没有后面那么多麻烦事了。

那本书中对此现象的解释可以口水话成这样：
正向导通时有很多少子积累在薄薄的耗尽层边缘附近。

想要pn结反偏，这些少子就要移除，移除方式有两种：
1撤走外电压，即使不加反偏电压，如果我们什么也不做的话，那么少子也会自己乖乖消亡的=自己复合成热（声子）。这个消亡的时间就是所谓的少子的寿命。

当然这个消亡是不贡献给宏观上看的到的电流的-IR的。

2 -IR来源于哪里呢？来源于撤出正偏压之后，正向的扩散电流消失，便给了反向的漂移电流施展才能的舞台。原来高浓度的结区边缘的少子归心似箭，有了回家的千载难逢的机会，来之不易啊！当然了，回家的阻力不是来自结区，来自外电路，倘若二极管短路，瞬间大量的少子就能集体回家。现实残酷啊，只能以外电路规定的IR速度排队坐车。

只看该作者 · 2012-11-22 13:55

到底哪种方式快一点呢？或者哪种方式运走的少子最多呢？书上说：

就是说不分伯仲。

只看该作者 · 2012-11-22 14:08

本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-22 14:10 编辑

不管 ShakaLeo 之前还之后，二极管还是三极管，他其实纯粹的想法就是：何必这么繁琐，我们不是学过势垒电容和扩散电容吗？何不就用这两个电容来回答上图中的ts和tr两个时间呢。

下面说明maychang等大师没有给他说明的部分理由（欢迎添油加醋）
1.ts部分近似恒流，无法用电容的指数曲线来拟合。
2.ts部分不是瞬间，由图中可以看出，ts在整个延迟之中（ts+tr）占得比重还是挺大的。（6楼ShakaLeo说是 “瞬间流过很大反向电流 ”）

3.无法用电容来解释阶跃变化的根本原因，来自下图：

也就是说，如果信号变化过快，扩散电容的模型将失效，更何况阶跃信号的情境之下呢？

只看该作者 · 2012-11-22 14:21

不和谐的全部删号...哗众取宠的这么吸引注意力，请教问题这个态度说话也只有藏在显示屏后面的战士了。
外面很多新人的问题得不到解决...该怎么办

只看该作者 · 2012-11-22 14:25

本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-22 14:29 编辑

不知道看了以上的解释，
ShakaLeo是否意识到他的误解。
解决了他的问题，希望大家还能来帮助我解决我的烦恼：

1.ts阶段确实不能用扩散电容来描述，然而，tr阶段的指数曲线模样似乎给我们一种暗示：tr阶段主要是高势垒的耗尽层的建筑过程，这可以用势垒电容的放电模型来拟合。况且书上也没有说多子的节奏跟不上信号，这跟普通板电容的阶跃现象应该一致吧？
求指教

2.上面总是在讨论关断过程，但是对于开启过程的机制我还没有完全从公式中感性抚摸到：是否开启过程就是tr阶段的逆过程：即势垒电容的充电过程。
因为我们看下图，开启过程的图像

似乎一举一动间充满着性的暗示，不是吗？