关于三极管深度饱和恢复时间问题

只看该作者 · 2010-9-23 22:49

算啦，本不想和人争论。maychang是论坛里的大牛级人物，拥护的人自然也就多，这年头都讲个名人效应嘛。
但我始终认为，即使真的是大牛，也不见得每个见解和每句话都对。对于同一个物理现象，可能有不同的理解方法和解释方法，和书上不同的不一定就存在原理性错误，很可能只是理解方式不同。

2万 · 2010-9-23 22:54

41楼，这个跟名人效应没有关系，凡浸淫分立电路十数年以上的，对这个问题决对没有第二种看法，除非半导何等物理本身出了错。

4万 · 2010-9-23 22:57

这个和拥护不拥护的谈不上关系，科学的基本原则之一就是对现象解释的唯一性，否则要动用奥**剃刀原则删去多余的解释，而有时引入的等效模型只是为了简化对问题的分析，本身和解释的唯一性无关。

只看该作者 · 2010-9-23 22:59

41楼，这个跟名人效应没有关系，凡浸淫分立电路十数年以上的，对这个问题决对没有第二种看法，除非半导何等物理本身出了错。
PowerAnts 发表于 2010-9-23 22:54

说着说着，又来个高人，“对这个问题决对没有第二种看法”，呵呵，天下大同不远了。

2万 · 2010-9-23 23:01

撤退...

只看该作者 · 2010-9-23 23:04

这个和拥护不拥护的谈不上关系，科学的基本原则之一就是对现象解释的唯一性，否则要动用奥**剃刀原则删去多余的解释，而有时引入的等效模型只是为了简化对问题的分析，本身和解释的唯一性无关。 ...
chunyang 发表于 2010-9-23 22:57

用引入的等效模型解释就是错的呗？解释也分多种层次和深度吧，如果只是想从容易理解的角度解释为什么“深度饱和的恢复时间长”，我觉得并不一定非得用基极存储电荷的方法解释。

只看该作者 · 2010-9-23 23:04

撤退...
PowerAnts 发表于 2010-9-23 23:01

byebye，慢走。

4万 · 2010-9-23 23:05

说着说着，又来个高人，“对这个问题决对没有第二种看法”，呵呵，天下大同不远了。
ShakaLeo 发表于 2010-9-23 22:59

所以说科学普及任重道远，科学本身排斥“见仁见智”，解释能且只能是唯一的，在这一点上确实是天下大同，科学不分甲的科学和乙的科学。

3万 · 2010-9-23 23:05

34楼：
我在33楼谈到的那本书中，那两节共14页。我敲键盘抄14页书，有什么意思？何况还有图。

3万 · 2010-9-23 23:10

“byebye，慢走。”
就冲这句，快撤吧。

只看该作者 · 2010-9-23 23:11

所谓“基区存储电荷”，其实跟“结电容”的解释是相通的。
进入饱和状态后，集电极收集电子的能力减弱，过剩的电子在基区不断积累起来，称为超量存储电荷，同时集电区靠近边界处也积累起一定的空穴，集电结处于正向偏置。
当输入电压ui由+U2跳变到-U1时，存储电荷不能立即消失，而是在反向电压作用下产生漂移运动而形成反向基流，促使超量存储电荷泄放。在存储电荷完全消失前，集电极电流维持ICS不变，直至存储电荷全部消散，晶体管才开始退出饱和状态，iC开始下降。
基区的过剩电子和集电区积累的空穴的等效模型就是集电结电容。

只看该作者 · 2010-9-23 23:12

呵呵，再次感谢各位大叔级前辈的指点和指指点点啊。
byebye。

4万 · 2010-9-23 23:17

在特定的电压下，充满电的电容极板上的电荷密度是常数，该常数仅和电压相关跟电容量无关，就三极管而言，饱和电压可以认为是常数，如果用电容来解释那么就和前述物理现象矛盾，所以该解释不成立，载流子密度的增加是另一物理现象导致的，希望ShakaLeo好好思考这一点。

只看该作者 · 2010-9-23 23:32

回楼上，饱和电压是不可以认为是常数的。
并且，随着饱和深度的增加恢复时间增加，并不只是因为等效电容增大（即您说的载流子密度增大），还由于电容（存储的载流子）的放电回路的电阻增大了，因为集电极电阻在增大。

4万 · 2010-9-23 23:37

难道饱和电压会反而升高么？即使是，那也要观察到对应的量，否则就不是。电容增大和载流子密度上升导致的电荷总量增加的外部表现类似，但本质上根本不同，通过适当实验即可区分，也正是因此，解释将是唯一的。

4万 · 2010-9-23 23:39

楼主关键是陷入对“存储的电荷”的理解误区，并非只有电容会导致这一现象。

只看该作者 · 2010-9-23 23:44

饱和深度愈大，集电结的正向偏置也就会越大。为什么临界饱和的CE间电压为0.7V，而深度饱和CE间电压可以到0.2甚至0.1V？
“电容增大和载流子密度上升导致的电荷总量增加的外部表现类似，但本质上根本不同，通过适当实验即可区分” ----请赐教实验方法。

只看该作者 · 2010-9-23 23:50

楼主关键是陷入对“存储的电荷”的理解误区，并非只有电容会导致这一现象。
chunyang 发表于 2010-9-23 23:39

集电结的耗尽区两边都存储一定数量电荷，把它看成一个电容没什么问题吧？

4万 · 2010-9-24 00:00

电荷密度和电压成正比，电压下降难道会导致电荷密度增加么？至于实验判别是电容增加还是密度增加，具体的实验俺没做过，一时也说不上来，但方法总是有的，比如同在深度饱和区用频率信号去扰动（直流上叠加微小交流信号）等。另一个问题：看成电容和是否真是电容在工程上也许不重要，但在物理上必需判定，所以你的看法不能成立。

2万 · 2010-9-24 00:03

这个，涉及到能带理论....

未学过相关理论者，建议将其理解为一脚踩入泥潭里，将脚拔起自然费点力气。注意，大地不是总具有“弹性”地。

关于三极管深度饱和恢复时间问题

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