关于三极管深度饱和恢复时间问题

发表于 2010-9-25 14:02

不管怎么说，ShakaLeo的水平还是有的，起码跟大佬们争论的时候能**到一百多楼。
此帖很好，LZ额外的收获。

发表于 2010-9-25 14:28

呵呵~~~这么热闹。

发表于 2010-9-25 16:51

我觉得双方的水平都是有的，
谦虚使人进步

发表于 2010-9-25 22:27

好帖子，，留个脚印，，回头慢慢细看。

发表于 2010-9-26 08:57

坐后排

发表于 2010-9-26 10:24

这是其它网友对你的看法。
chunyang 发表于 2010-9-24 01:28

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ShakaLeo 讲话是有点冲。
这里讨论问题的氛围那么好，大家没必要把面子里子掺和到讨论里来吧。
另外，我个人比较喜欢用等效的“并且变化"的结电容思路来看这个三极管饱和恢复问题，大家理解的方式是有不同。
其实最直观的来看，关于饱和恢复抓住PN空间电荷区”正偏多子扩散，反偏少子耗尽“这个
思路来看电子，空穴的运动就OK了

发表于 2010-9-26 11:28

不管怎么说，ShakaLeo的水平还是有的，起码跟大佬们争论的时候能**到一百多楼。
此帖很好，LZ额外的收获。
tongshaoqiang 发表于 2010-9-25 14:02

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这也叫水平啊，老天！

发表于 2010-9-26 14:37

ShakaLeo是一根筋的人。
你说的那个电容，在这里的贡献微乎其微。
李冬发发表于 2010-9-23 21:52

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能否就此问题谈谈您的看法？为什么贡献微乎其微？

发表于 2010-9-26 15:07

能否就此问题谈谈您的看法？为什么贡献微乎其微？
ShakaLeo 发表于 2010-9-26 14:37

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两种观点不同肯定有一种是对的，有一种是错的。
我个人比较认同chunyang在最前面提出的观点。
在我身上也发生过觉得自己怎么都是对的，别人的想法怎么都是错的情况。
当最后发现别人好心好意帮自己认识问题的时候，却因为自己的固执对别人恶语相向。等自己明白过来会有多么后悔自己当初的行为。
maychang在说不是因为结电容的时候，说自己在三极管基极和集电极并联电容做过实验。Leo兄弟，你连实验做都没做，就说maychang并联的电容太小。
盗版亚里斯多德的名言：吾爱真理，更爱我的观点。
不要觉得自己怎么想都对的，可以先自己在下面好好想想这个问题，再来讨论。

发表于 2010-9-26 15:49

两种观点不同肯定有一种是对的，有一种是错的。
我个人比较认同chunyang在最前面提出的观点。
在我身上也发生过觉得自己怎么都是对的，别人的想法怎么都是错的情况。
当最后发现别人好心好意帮自己认识问题的时候， ...
lone_wolf 发表于 2010-9-26 15:07

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我觉得这个问题我已经想的够清楚了，除非哪位大侠能够现身用合理的解释来说明我的看法是错的。
关于2楼的“载流子密度过大”，我认为其实这种说法是不具体甚至是不对的，三极管产生集电极电流的原因是什么？是发射极发射到基区并被集电极收集的电子，电子就是载流子，那么应该是集电极电流Ic越大载流子密度越大，那为什么还说“深度饱和时载流子密度过大”？要知道深度饱和时Ic并不一定很大，相反却可能很小。
我觉得107楼122013137在这个问题上看的比较透彻。“正偏多子扩散，反偏少子耗尽”，这是问题的本质，而结电容是这个本质的等效模型。

发表于 2010-9-26 15:59

这个好长阿慢慢看

发表于 2010-9-26 20:39

引起不少的围观..

发表于 2010-9-27 12:02

我觉得这个问题我已经想的够清楚了，除非哪位大侠能够现身用合理的解释来说明我的看法是错的。
关于2楼的“载流子密度过大”，我认为其实这种说法是不具体甚至是不对的，三极管产生集电极电流的原因是什么？是发 ...
ShakaLeo 发表于 2010-9-26 15:49

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。。把楼全仔细溜了一遍，楼猪确实很认真，但我想楼猪的问题在于只拘泥于“BJT_BC结的结电容”了，建议你先把这个问题放一放，隔一段时间再回顾可能会更上一层楼~
PS: maychang等老师确实令人尊重，希望以后还有类似提问时能看到你们的热心参与，因为每次看你们的讨论我们都会有不同方面的体会和收获，谢谢

发表于 2010-9-27 13:37

。。把楼全仔细溜了一遍，楼猪确实很认真，但我想楼猪的问题在于只拘泥于“BJT_BC结的结电容”了，建议你先把这个问题放一放，隔一段时间再回顾可能会更上一层楼~
PS: maychang等老师确实令人尊重，希望以后还有 ...
122013137 发表于 2010-9-27 12:02

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114楼好像弄错了，我不是楼猪。。
关于拘泥于BC结电容的问题，当然除了BC结电容影响恢复时间外，BE结电容也是一个因素。但一般情况下BC结电容是对恢复时间起决定作用的，两个原因：一是BC结电容在恢复过程中的电压变化比BE结电容要大，尤其是VCC比较高的时候。二是因为BC结电容的放电回路比BE结放电回路的电阻要大，尤其是当集电极电阻Rc比较大的时候。

发表于 2010-9-28 08:47

盖了那么多楼，其实大家都同意三极管饱和程度越深，从饱和到截止的反应时间要慢。
ShakaLeo**他的观点，我觉得没有人给他讲明7楼电路图中，当输入IB一定时，三极管达到饱和时R2=100k比R2=10k的反应时间长。

maychang在9楼讲的，是固定了R2，改变输入信号幅度（增大Ib到深度饱和）

发表于 2010-9-28 13:03

添砖加瓦，留着慢慢学习。。。

发表于 2010-9-28 13:07

118# tongshaoqiang
不管是基区过剩的电子，还是因为寄生的势垒电容，都肯定是电流越大，电子复合的速度越快。

发表于 2010-9-29 14:31

这几天正在研究这个问题，值得讨论

发表于 2010-10-1 22:00

看看。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

发表于 2010-10-2 09:42

学习

关于三极管深度饱和恢复时间问题

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