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关于三极管深度饱和恢复时间问题

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楼主: guolingho
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181楼
coolsingle| | 2014-1-15 11:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
大家都很强啊，自己刚刚步入这一行，希望可以好好跟大家学习，让自己也变强，现在什么都还不会

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182楼
wenzhenxing| | 2014-1-25 14:08 | 只看该作者
呵呵 之前也一直以为是结电容影响 看了大佬的发言 看来要好好去补下

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183楼
zmw809154465| | 2014-1-25 14:25 | 只看该作者
恩

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184楼
螃蟹爱虫| | 2014-3-28 11:36 | 只看该作者
maychang 发表于 2010-9-23 22:33
“关于BJT和MOS的开关速度，见下面的链接红字那一段。”
拿这种东西当论据？

maychang版主，您好。你们关于“三极管深度饱和恢复时间问题”的讨论很精彩，其实在铃木的《晶体管电路设计》就有这方面的阐述，是基区电荷引起的。   在回复中您提到《半导体器件基础》，Robert F. Pierret 著 这本书。我也想深入了解半导体所有的内部东西。对于这本书，按您自己的观点来说，是否强烈推荐？ 因为本人想买，但想得到过来人对这本书的肯定与推荐，或者推荐其它相关方面更好的书籍。

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185楼
Lgz2006| | 2014-3-28 11:57 | 只看该作者
wenzhenxing 发表于 2014-1-25 14:08
呵呵 之前也一直以为是结电容影响 看了大佬的发言 看来要好好去补下

上升时间和下降时间，可以认为是结电容的影响
这个载流子的”回复时间“表现在特性参数上就叫开关的”延迟时间“
它与下降时间之和，就叫”关断时间“

注：前面没看，偶尔看到183楼

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186楼
maychang| | 2014-3-28 12:02 | 只看该作者
螃蟹爱虫 发表于 2014-3-28 11:36
maychang版主，您好。你们关于“三极管深度饱和恢复时间问题”的讨论很精彩，其实在铃木的《晶体管电路设 ...

网上有电子版，不必花银子的。

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187楼
xukun977| | 2014-3-28 12:13 | 只看该作者
螃蟹爱虫 发表于 2014-3-28 11:36
maychang版主，您好。你们关于“三极管深度饱和恢复时间问题”的讨论很精彩，其实在铃木的《晶体管电路设 ...


墙裂推荐，我们上课用的教材就是这本书。

这书特点:言简意赅地把基本概念，基本分析方法完整阐述一遍。
所以很适合初学半导体物理的

要想深入了解，还得看些其他的。

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188楼
xukun977| | 2014-3-28 12:20 | 只看该作者

补充:这本书是黄如翻译的，翻译质量极佳，所以看中文版本就行。

清华周润德翻译的书也都不错。

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189楼
螃蟹爱虫| | 2014-3-28 13:11 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-3-28 12:02
网上有电子版，不必花银子的。

谢谢maychang版主，我刚下了电子版，先看一下电子版，如果好的话再买书（本人喜欢看书，可以在上面做笔记方便），谢谢版主推荐。

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190楼
螃蟹爱虫| | 2014-3-28 13:12 | 只看该作者
xukun977 发表于 2014-3-28 12:13
墙裂推荐，我们上课用的教材就是这本书。

这书特点:言简意赅地把基本概念，基本分析方法完整阐述一遍。 ...

好的，谢谢xukun977兄，刚下了，有空我再仔细看一下。:)

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191楼
螃蟹爱虫| | 2014-3-28 13:15 | 只看该作者
xukun977 发表于 2014-3-28 12:13
墙裂推荐，我们上课用的教材就是这本书。

这书特点:言简意赅地把基本概念，基本分析方法完整阐述一遍。 ...


xunkun977兄，您上课用的教材是这本书啊。。。我是电子信息工程专业的，但我们的教材没有这本书哦。教材没有这么深入的了解BJT的书籍。

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192楼
xukun977| | 2014-3-28 14:23 | 只看该作者
螃蟹爱虫 发表于 2014-3-28 13:15
xunkun977兄，您上课用的教材是这本书啊。。。我是电子信息工程专业的，但我们的教材没有这本书哦。教材 ...


墙裂建议买本书收藏，如果你以后从事的是电路设计行业。
如果是对付考试或以后不做电路行业就算了。

读过之后，你会发现刘恩科那本书在它跟前，就是7毛钱一斤的废纸。

这本书条理清晰，简单易懂，比如强调了少子平衡方程的重要性，轻松地用它推到出二极管，三极管伏特安特性。

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193楼
螃蟹爱虫| | 2014-3-28 16:13 | 只看该作者
xukun977 发表于 2014-3-28 14:23
墙裂建议买本书收藏，如果你以后从事的是电路设计行业。
如果是对付考试或以后不做电路行业就算了。

好的，谢谢xukun977兄，先看一下电子版本的先。:)

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194楼
shalixi| | 2014-3-28 17:03 | 只看该作者
第一次看到，要知道的东西很多，对此，只要知道有这么回事就可以了。

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195楼
x13686626760| | 2014-4-1 23:48 | 只看该作者
学习学习

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196楼
xukun977| | 2014-4-2 16:01 | 只看该作者

这个帖子太长，分多次读完。
实际上那个延时跟存储电荷和集电极电容都有关系，至于哪个强，哪个弱，是另回事了。

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197楼
zyj9490| | 2014-4-7 09:47 | 只看该作者
要建产扩散电埸和迁移电埸都要时间，表现为基区的扩散电容和耗尽电容，跟集电极的电容关糸不大，好比尽管MOS有很大的CGS电容，QGS几十纳库电荷，可以用驱动器进行快速拉出和推入一样，加快电荷的流动。主要是基区的电荷状态的变化。二种电埸的建立都要时间。

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198楼
zyj9490| | 2014-4-7 09:54 | 只看该作者
chunyang 发表于 2010-9-24 00:00
电荷密度和电压成正比，电压下降难道会导致电荷密度增加么？至于实验判别是电容增加还是密度增加，具体的实 ...

反向电压加到越深，绝对耗尽电荷越大，因此转为导通的时间也越长。

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199楼
shuaiyangqiao| | 2015-10-29 20:00 | 只看该作者
学习了

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200楼
鱼儿jd| | 2019-1-28 08:52 | 只看该作者
帖子有点长，留个爪印，后面慢慢看

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