加速电容与晶体管驱动电路

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hwq362202 发表于 2010-10-23 10:49 | 显示全部楼层
gaochenlin5566 发表于 2011-4-14 21:51 | 显示全部楼层
csq463276932 发表于 2011-6-30 17:23 | 显示全部楼层
不错的贴子。
radking 发表于 2011-6-30 17:34 | 显示全部楼层
mark:)
spy_001 发表于 2011-8-23 11:23 | 显示全部楼层
就着这个帖子请教一个问题:

“由于三极管饱和时会在基区存入过量的电荷”,我想请问对于NPN和PNP三极管来说在基区积累的过量电荷是正电荷还是负电荷?我有两种理解方法:一种理解是积累的电荷是从发射区扩散到基区的大量自由电子(对NPN)或空穴(对PNP),由于集电结在饱和状态下处于正偏,不能将这些电荷拉到集电区,导致在基区积累起来。还有一种理解是为了中和上述的自由电子(对NPN)或空穴(对PNP),外部电源会向基极灌入正电荷(对NPN)或负电荷(对PNP),随着基极电流的增大,除了中和掉三极管内部的电荷外还有一部分多余的在基区积累下来。这两种理解的结论是相反的,不知道哪一种是正确的?或者两者都不正确?
firewolf火狼 发表于 2012-6-27 00:21 | 显示全部楼层
标记一下
Siderlee 发表于 2012-6-27 23:34 | 显示全部楼层
阻抗
blessdxp 发表于 2012-6-28 08:39 | 显示全部楼层
哪一位高手知道,电容的选择方法,选择多大的最为合适??
kobe1941 发表于 2013-4-11 14:08 | 显示全部楼层
个人认为可以这么理解,输入信号为正时,晶体管饱和导通,C1左正右负,有一定电压差,但输入信号突变为0后,由于电容两端电压不能跳变,所以晶体管基极这边的电压,也就是电容C1右边的电压必然要跳变为负,此时正好晶体管基极有原先堆积的正电荷,这不就很快中和了嘛
if_for 发表于 2014-3-4 10:06 | 显示全部楼层
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