大电流冲击MOS管后的状况！

只看该作者 · 2010-12-24 15:55

蚂蚁兄弟，我真没见过功率管的瞬态热阻参数，但DATASHEET一般都给出：
1，安全工作区，包括了功率P－脉宽t关系

与T=Ta+Pt/Cm近似＝k *P *t 不矛盾

2，结－壳热阻Rjc

彭建学上海

2万 · 2010-12-24 16:01

有一件仪器，叫做“晶体管瞬态热阻仪”，就干这活儿

2万 · 2010-12-24 16:08

就因为计算不准确，你无法知道晶片上发热部位的体积多大，比热多大，晶片的尺寸，封装材料的配方（含了比热），这些是机密，不会告诉你

只看该作者 · 2010-12-24 16:21

热阻定义：
P=(T1-T2)/R

热传导体两个面1、2的温度T1、T2，两面间传导热阻R。

假设管芯初温为环境温度Ta, 又假设环境温度不变，且忽略热辐射，脉冲宽度远小于热惯性时间常数CmR,

根据前面，有

Tj-Ta=Pt/Cm

则瞬态热阻为：
R=t/Cm

假设热容量Cm不变，则瞬态热阻是脉冲宽度的函数。

我不知道瞬态热阻是怎样定义的。

纯属讨论学习。

彭建学上海

只看该作者 · 2010-12-24 16:25

我一直问电阻厂家，电阻热容量，有些会有参数，大多没有。

彭建学上海

2万 · 2010-12-24 16:48

实际工程应用中，不可能把发热部份当成与外界绝热了，对不？

前面我提到过我的理解，有可能不对：

nS级的时间，热量不容易传出来，可认为是绝热，这个热量被局限在少数的胞内，比如放电时间很短的ESD损伤，很小的热量就能伤害器件；

100nS级的时间，电流可扩散到所有的胞，热量只局限在导电沟道内

uS级的时间，热量传播的范围广些，但能否传遍整个晶片不得而知

mS级的时间，热量可能已传遍了整个晶片，准备向封装材料散发了

当然，上面的都只是猜想，没法验算

所以，厂家才需要一个瞬态热阻测试仪

只看该作者 · 2010-12-24 23:00

这个问题要讲清楚不容易，与你的器件的dv/dt, di/dt, EAS，热阻等都有关系。
你需要提供MOS的型号，工作参数如电压/电流/驱动等，最好有原理图。

影响瞬间过流能力，还有一个主要因素：热容量。

T-T0=P/Cm

彭 ...

pengjianxue 发表于 2010-12-24 13:05

呵呵，世界上还真有这种回一贴加个名字的人，你不去当芙蓉jj炒作炒作自己可惜了。