请教maychang chunyang HWM t.jm 伟林电源 xwj等大虾,电路原理

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hecm1225 发表于 2011-2-21 08:07 | 显示全部楼层
把那篇参考的论文,也一并贴上来,应是有参考作用。
 楼主| 电子雨水 发表于 2011-2-21 10:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 电子雨水 于 2011-2-24 10:28 编辑

上传论文,看有没有参考价值。
qzhui121 发表于 2011-2-21 14:36 | 显示全部楼层
开始总结一下图有没有好的!!!
 楼主| 电子雨水 发表于 2011-2-22 15:57 | 显示全部楼层
等待高手
t.jm 发表于 2011-2-22 16:35 | 显示全部楼层
还有什么需要分析的,剩下的都很简单了,就是一个高压半桥驱动电路。
R2、V1、C1,、R3、V2、C2作用是产生死区,防止上下管(V5,V4)同时导通,
输入50%占空比高频信号,经过硬件死区发生器,反向器,驱动V5,V4。
 楼主| 电子雨水 发表于 2011-2-22 17:03 | 显示全部楼层
电容电阻的值怎么确定,t.jm?
t.jm 发表于 2011-2-22 17:08 | 显示全部楼层
根据你的PWM频率,确定死区时间,在根据RC充放电公式计算出所需的时间常数。
 楼主| 电子雨水 发表于 2011-2-22 17:12 | 显示全部楼层
高压半桥驱动电路,没有听过,有什么介绍的资料吗?
t.jm 发表于 2011-2-22 17:26 | 显示全部楼层
你想了解哪些内容?
就贴图中这个电路都是被论文作者所抛弃的。
 楼主| 电子雨水 发表于 2011-2-22 17:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 电子雨水 于 2011-2-24 13:59 编辑

是的。我想先把这个搞懂,没接触过高压半桥驱动。用multisim仿真了一个也出不来波形,我把文件传上来您帮我看看。
t.jm 发表于 2011-2-22 17:49 | 显示全部楼层
没装multisim,谁有装的麻烦帮LZ仿真一下。
谢谢!
tc9148 发表于 2011-2-22 19:09 | 显示全部楼层

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shgxx015 发表于 2011-2-23 14:04 | 显示全部楼层
够笨的,这个图有什么分析的,U3,U4之前是纯数字电路,VI为高电平的时候,NIA,NIB为高,NIC为低,则C11会因为NIA的高低变化出现电压突变,使R6出现同平的波形,但是请注意U3是一直导通的,而U4只有在NIC输出为高的时候才会导通,而它们的导通区别于R6上的底电平为6V-Ugs,高电平为6V+NIA的高电平-Ugs.而U4的输出为低电平为0,高电平为N1C的高电平-Ugs.好了吧,U5自己分析吧
 楼主| 电子雨水 发表于 2011-2-23 17:42 | 显示全部楼层
ls:而U4只有在NIC输出为高的时候才会导通
应该是N1C输出为低的时候才会导通吧
 楼主| 电子雨水 发表于 2011-2-23 17:47 | 显示全部楼层
而它们的导通区别于R6上的底电平为6V-Ugs,高电平为6V+NIA的高电平-Ugs.而U4的输出为低电平为0,高电平为N1C的高电平-Ugs
不敢苟同,shgxx015,负电源是-400V
shgxx015 发表于 2011-2-23 19:55 | 显示全部楼层
服了你,MOS管的输出,与R6后面的电位无关,只与UGS和UG有关
shgxx015 发表于 2011-2-23 19:56 | 显示全部楼层
好好看看MOS管的特性,你的基础有必要加强了
jin1song 发表于 2011-2-23 20:05 | 显示全部楼层
讨论的火*味出来了。
shgxx015 发表于 2011-2-23 20:21 | 显示全部楼层
haibushuo 发表于 2011-2-24 09:47 | 显示全部楼层

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