是并联适当“电容”。
这要从ADC原理开始说了：
通常普通MCU内置的SAR结构（主次逼近型ADC）的，这种结构的AD过程是：采样、转换。
所谓采样，就是将被测电压拷贝到其内部的一个电容上，此电容通常为pF或亚pF级；
这个采样电容看上去很小，但这个“拷贝”也是需要时间的，
假设采样电容Cs = 1pF，R28||R18 = 1M，那么这里RC就有1us了，
然而这个时间Cs的电压也只有实际电压的60%多，到达到12bit的误差要求的话，需要将近10倍的RC时间（10us），
这就需要ADC工作在很慢速的状态下，如果你的AD还有其他好多通道的电压要转换的话，就会完成不了任务；
如果，你在R28上并联一个Ci = 10nF的电容，那么在此通道开始采样时的情形就不是像上面说的那样了，
几乎可以在“瞬间”让Cs得到接近实际电压的99.99%的电压（当然此处忽略了采样电路中的模拟开关的导通电阻，但这个确实基本可以忽略）。
Ucs = Uci * Ci / (Ci + Cs) = Uci * 10n / (10n + 1p) = Uci * 0.9999
其他的就不说了，一下子真说不完。 |
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