是并联适当“电容”。
这要从ADC原理开始说了:
通常普通MCU内置的SAR结构(主次逼近型ADC)的,这种结构的AD过程是:采样、转换。
所谓采样,就是将被测电压拷贝到其内部的一个电容上,此电容通常为pF或亚pF级;
这个采样电容看上去很小,但这个“拷贝”也是需要时间的,
假设采样电容Cs = 1pF,R28||R18 = 1M,那么这里RC就有1us了,
然而这个时间Cs的电压也只有实际电压的60%多,到达到12bit的误差要求的话,需要将近10倍的RC时间(10us),
这就需要ADC工作在很慢速的状态下,如果你的AD还有其他好多通道的电压要转换的话,就会完成不了任务;
如果,你在R28上并联一个Ci = 10nF的电容,那么在此通道开始采样时的情形就不是像上面说的那样了,
几乎可以在“瞬间”让Cs得到接近实际电压的99.99%的电压(当然此处忽略了采样电路中的模拟开关的导通电阻,但这个确实基本可以忽略)。
Ucs = Uci * Ci / (Ci + Cs) = Uci * 10n / (10n + 1p) = Uci * 0.9999
其他的就不说了,一下子真说不完。 |