MSP430G2553 flash操作例子

只看该作者 · 2017-9-25 10:47

/* 实际适用于MSP430x2xx系列单片机，包含以下10个常用功能函数：
(1)初始化。Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg )：依据SMCLK频率计算设定Flash的时
钟的分频系数，靠Seg段号码确定计划操作的段起始地址。
(2)整段擦除。Flash_Erase()：段擦除函数。
(3)读字节。Flash_ReadChar(unsigned int Addr)：读取偏移地址Addr位置1个字节的数据。
(4)读字。Flash_ReadWord(unsigned int Addr)：读取偏移地址Addr位置1个字的数据。
(5)读一串字节到RAM数组。Flash_ReadSeg(unsigned int Addr, unsigned int SegSize,char *
Array)：读取起始偏移地址为Addr，长度SegSize个字节数据到RAM的Array数组。
(6)直接写1个字节。Flash_Direct_WriteChar(unsigned int Addr)：直接写偏移地址Addr位置1个字节
的数据。
(7)直接写1个字。Flash_Direct_WriteWord(unsigned int Addr)：直接写偏移地址Addr位置1个字的数
据。
(8)备份后写1字节。Flash_Bak_WriteChar(unsigned int Addr)：先备份段内其他数据，擦写后，在偏
移地址Addr位置写1个字节的数据，再还原段内其他数据。（仅限信息flash段，使用RAM备份）
(9)备份后写1个字。Flash_Bak_WriteWord(unsigned int Addr)：先备份段内其他数据，擦写后，在偏
移地址Addr位置写1个字的数据，再还原段内其他数据。（仅限信息flash段，使用RAM备份）。
(10)读SegA专用函数。Flash_SegA_ReadChar(unsigned int Addr)：读取SegA段偏移地址Addr位置1
个字节的数据。
说明：  1、块写函数需要在RAM中调用函数指针来使用，本库函数未涉及
      2、其他长字节的数据类型读写需使用结构体，本库函数未涉及
      3、所有函数均针对无符号整型数据，如需使用有符号整型，需修改函数
      4、对InfoA段单独处理，只有读字节函数Flash_SegA_ReadChar()，不提供擦写函数。
      5、其他函数的段操作首地址SegAddr被Flash_Init()函数“限定”，不易发生误写 */

#include "MSP430G2553.h"
unsigned  int SegAddr=0;                      //全局变量
unsigned  int SegPre=0;                      //全局变量  当前信息段
/******************************************************************************************************
* 名    称：Flash_Init()
* 功    能：对Flash时钟进行初始化设置
* 入口参数：Div：根据SMCLK频率计算的所需分频值，可设定为1-64
*          选择原则: SMCLK分频后,落在257kHz~476kHz
*       Seg：段号，可设为"0"-"31"或”"A"、"B"、"C"、"D"。
* 出口参数：1：配置成功
*          0：配置失败
* 说    明：操作Flash其他函数前，需要调用该初始化函数设置时钟分频和待操作段首地址。
*          其他函数中均不出现绝对地址，防止误操作。
* 范    例：  Flash_Init(3,'B' ) 3分频、对Info B段操作
******************************************************************************************************/
unsigned char Flash_Init(unsigned  char Div,unsigned  char Seg )
{
  //-----设置Flash的时钟和分频，分频为恰好为最低位，直接用Div-1即可-----
  if(Div<1) Div=1;
  if(Div>64) Div=64;
  FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + Div-1; //  默认使用SMCLK，分频系数参数传入
  //-----操作对象为主Flash段的情况，可通过512的倍数设置段起始地址-----
  SegPre = Seg;          //获取当前段
  if (Seg <= 31)          //判断是否处于主Flash段
{
SegAddr=0xFFFF-(Seg+1)*512+1;       //计算段起始地址
      return(1);                //赋值成功后即可退出并返回成功标志”1“
}
  //-----操作对象为信息Flash段的情况，穷举即可-----
  switch(Seg)             //判断是否处于信息Flash段
  {
  case  'A':  case'a': SegAddr=0x10C0; break;
  case  'B':  case'b': SegAddr=0x1080; break;
  case  'C':  case'c': SegAddr=0x1040; break;
  case  'D':  case'd': SegAddr=0x1000; break;
  default: SegAddr=0x20FF;  return(0);    //0x20FF地址为空白区，保护Flash
  }
  return(1);
}
/******************************************************************************************************
* 名称：Flash_Erase()
* 功能：擦除Flash的一个数据块，擦写段由初始化函数 Flash_Init()的SegAddr变量决定
* 入口参数：无
* 出口参数：无
* 说明：函数中给出了擦除InfoFlashA段的操作代码（已注释掉了），但不建议初学者使用。
* 范例：无
******************************************************************************************************/
void Flash_Erase()
{
unsigned char  *Ptr_SegAddr;                   //Segment  pointer
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)SegAddr;       //Initialize Flash  pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE;                      //段擦除模式
FCTL3 = FWKEY;                               //解锁
//FCTL3 = FWKEY+LOCKA;                   //对InfoFlashA也解锁
_DINT();
*Ptr_SegAddr = 0;                            //擦除待操作段
while(FCTL3&BUSY);                         //Busy
_EINT();
FCTL1 = FWKEY;                               //取消擦模式
FCTL3 = FWKEY+LOCK;                         //上锁
// FCTL3 = FWKEY+LOCK+LOCKA;             //对InfoFlashA也上锁
}
/******************************************************************************************************
* 名称：Flash_ReadChar()
* 功能：从Flash中读取一个字节
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址
* 出口参数：Data：读回的数据；当偏移溢出时返回0
* 说明：无
* 范例：无
******************************************************************************************************/
unsigned char Flash_ReadChar  (unsigned  int Addr)
{
unsigned char Data=0;
unsigned  int *Ptr_SegAddr,temp=0;                      //Segment  pointer
//-----  段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )
   return 0;
temp =SegAddr+Addr;
Ptr_SegAddr =(void*)temp;                   //initialize Flash  pointer
Data=*(Ptr_SegAddr);
return(Data);
}
/******************************************************************************************************
* 名称：Flash_ReadWord()
* 功能：从FlashROM读回一个整型变量，地址应为偶数
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址，仍按字节计算，需为偶数
* 出口参数：Data：读回的整型变量值  ；当偏移溢出时返回0
* 说明：无
* 范例：无
******************************************************************************************************/
unsigned  int Flash_ReadWord (unsigned  int Addr)
{
unsigned  int *Ptr_SegAddr;
unsigned  int temp=0,Data=0;                            //Segment  pointer
//-----  段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )
   return 0;
temp = SegAddr+Addr;
   Ptr_SegAddr = (void  *)temp;                //Initialize Flash pointer
Data=*(Ptr_SegAddr);
return(Data);
}
/******************************************************************************************************
* 名称：Flash_ReadSeg()
* 功能：将Flash段内一串数据拷贝到RAM的Array数组
* 入口参数：Addr：起始偏移地址
*       SegSize：数据个数
*       *Array：RAM中数组的头指针
* 出口参数：返回出错信息  0:偏移溢出；1:正常工作
* 说明：无
* 范例：无
******************************************************************************************************/
char Flash_ReadSeg(unsigned  int Addr, unsigned  int SegSize,unsigned char * Array)
{
  unsigned  int i=0,temp=0;
  unsigned char  *Ptr_SegAddr;                      //Segment  pointer
   //-----  段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
  if((SegPre<=31&&(Addr+SegSize)>512) ||(SegPre>31&&(Addr+SegSize)>64) )
   return 0;
  for(i=0;i<SegSize;i++)
  {
temp=SegAddr+Addr+i;          //防止编译器处理指针偏移出错
Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp;          //Initialize Flash  pointer
Array=*Ptr_SegAddr;          //指针移位方法赋值
  }
   return 1;
}
/******************************************************************************************************
* 名称：Flash_Direct_WriteChar()
* 功能：强行向Flash中写入一个字节(Char型变量)，而不管是否为空
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址
         Data:待写入的数据
* 出口参数：返回出错信息  0:偏移溢出；1:正常工作
* 范例：Flash_Direct_WriteChar(0,123);将常数123写入0单元
         Flash_Direct_WriteChar(1,a);将整型变量a写入1单元
******************************************************************************************************/
char Flash_Direct_WriteChar (unsigned  int Addr,unsigned char Data)
{
  unsigned  int temp=0;
  unsigned char  *Ptr_SegAddr;                   //Segment  pointer
   //-----  段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
  if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )
   return 0;
  temp = SegAddr+Addr;
  Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp;             //Initialize Flash  pointer
  FCTL1=FWKEY+WRT;          //正常写状态
  FCTL3=FWKEY;             //解除锁定
//  FCTL3=FWKEY+LOCKA;          //解除锁定（包括A段）
  _DINT();          //关总中断
  *Ptr_SegAddr=Data;             //指定地址，写1字节
  while(FCTL3&BUSY);          //等待操作完成
  _EINT();          //开总中断
  FCTL1=FWKEY;             //退出写状态
  FCTL3=FWKEY+LOCK;          //恢复锁定，保护数据
//  FCTL3=FWKEY+LOCK+LOCKA;       //恢复锁定，保护数据（包括A段）
return 1;
}
/******************************************************************************************************
* 名称：Flash_Direct_WriteWord()
* 功能：强行向Flash中写入一个字型变量，而不管存储位置是否事先擦除
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址，仍按字节计算，需为偶数
            Data:待写入的数据
* 出口参数：返回出错信息  0:偏移溢出；1:正常工作
* 范例：Flash_Direct_WriteWord(0,123);将常数123写入0单元
         Flash_Direct_WriteWord(2,a);将整型变量a写入2单元
******************************************************************************************************/
char Flash_Direct_WriteWord  (unsigned  int Addr,unsigned  int Data)
{
  unsigned  int temp=0;
  unsigned  int *Ptr_SegAddr;                      //Segment  pointer
   //-----  段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
  if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )
   return 0;
  temp=SegAddr+Addr;
  Ptr_SegAddr = (unsigned  int *)temp;                //Initialize Flash  pointer
  FCTL1=FWKEY+WRT;          //正常写状态
  FCTL3=FWKEY;             //解除锁定
//  FCTL3=FWKEY+LOCKA;          //解除锁定（包括A段）
  _DINT();          //关总中断
  *Ptr_SegAddr=Data;             //写16位字
  while(FCTL3&BUSY);          //等待操作完成
  _EINT();          //开总中断
  FCTL1=FWKEY;             //退出写状态
  FCTL3=FWKEY+LOCK;          //恢复锁定，保护数据
//  FCTL3=FWKEY+LOCK+LOCKA;       //恢复锁定，保护数据（包括A段）
return 1;
}
/********************************************************************************************* *********
* 名称：Flash_Bak_WriteChar()
* 功能：不破坏段内其他数据，向Flash中写入一个字节(Char型变量)
* 入口参数：Addr:存放数据的地址
         Data:待写入的数据
* 出口参数：返回出错信息  0:偏移溢出；1:正常工作
* 范例：Flash_Bak_WriteChar(0,123);将常数123写入0单元
            Flash_Bak_WriteChar(1,a);将变量a写入1单元
******************************************************************************************************/
char Flash_Bak_WriteChar (unsigned char Addr,unsigned  char Data)
{
  unsigned  int temp=0;
  unsigned char  *Ptr_SegAddr;                   //Segment  pointer
  unsigned char BackupArray[64];       //开辟64字节的临时RAM备份Seg
  unsigned char  i = 0;
   //-----  段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
  if((SegPre<=31&&Addr>=512) || (SegPre>31&&Addr>64) )
   return 0;
  for(i=0;i<64;i++)
  {
   temp=SegAddr+i;
   Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp;          //Initialize Flash  pointer
   BackupArray=*Ptr_SegAddr;       //指针移位方法赋值
  }
  Flash_Erase();                //擦除待操作段
  FCTL1 = FWKEY + WRT;                         //正常写入（非块写）
  FCTL3 = FWKEY ;                               //解锁
//  FCTL3 = FWKEY ;                               //解锁（含A段）
  for (i=0; i<64; i++)
  {
  _DINT();             //关总中断
  if(i==Addr)
  {
   temp=SegAddr+Addr;
   Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp;          //Initialize Flash  pointer
*Ptr_SegAddr =Data;                            //写数据
while(FCTL3&BUSY);                         //等待写操作完成
}
  else
  {
   temp=SegAddr+i;
   Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp;             //Initialize Flash  pointer
*Ptr_SegAddr = BackupArray;                //恢复Flash内的其他数据
while(FCTL3&BUSY);                            //等待写操作完成
  }
  _EINT();                //开总中断
  }
  FCTL1 = FWKEY;                               //清除写
  FCTL3 = FWKEY + LOCK;                         //上锁
//    FCTL3 = FWKEY + LOCK;                         //上锁（含A段）
return 1;
}
/******************************************************************************************************
* 名称：Flash_Bak_WriteWord()
* 功能：不破坏段内其他数据，向Flash中写入一个字(int型变量)
* 入口参数：Addr:存放数据的地址，仍然是以字节为单位的偏移地址，需为偶数
         Data:待写入的数据
* 出口参数：返回出错信息  0:偏移溢出；1:正常工作
* 说明：MSP430单片机可以对16位数据直接操作，所以为了加快速度
*             函数中均直接对word进行操作。
* 范例：Flash_Bak_WriteWord(0,123);将常数123写入0单元
         Flash_Bak_WriteWord(1,a);将变量a写入1单元
******************************************************************************************************/
char Flash_Bak_WriteWord(unsigned int Addr,unsigned  int Data)
{
  unsigned  int *Ptr_SegAddr;                         //Segment  pointer
  Ptr_SegAddr = (unsigned  int *)SegAddr;             //Initialize Flash  pointer
  //-----注意：以下操作数全部为word16位数据类型-----
  unsigned  int BackupArray[32];       //开辟32字(64字节）的临时RAM备份Seg
  unsigned  int i = 0;
//-----  段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
  if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>64) )
  return 0;
  for(i=0;i<32;i++)                //word型占两个字节
  {
   BackupArray= *(Ptr_SegAddr+i);          //指针移位方法对字赋值
  }
  Flash_Erase();                   //擦除待操作段
  FCTL1 = FWKEY + WRT;                         //正常写入（非块写）
  FCTL3 = FWKEY;                               //解锁
//    FCTL3 = FWKEY+LOCKA;                         //解锁  （含A段）
  for (i=0; i<32; i++)                   //word型占两个字节，需跳过奇数地址
  {
  _DINT();             //关总中断
  if(i==Addr)
  {
*(Ptr_SegAddr+Addr) =Data;                //写字型数据
while(FCTL3&BUSY);                            //等待写操作完成
}
  else
  {
*(Ptr_SegAddr+i)= BackupArray;                   //恢复Flash内的其他数据，按字恢复
while(FCTL3&BUSY);                            //等待写操作完成
  }
  _EINT();             //开总中断
  }
  FCTL1 = FWKEY;                               //清除写
  FCTL3 = FWKEY + LOCK;                         //上锁
//  FCTL3 = FWKEY + LOCK+LOCKA;                   //上锁（含LOCKA）
return 1;
}
/******************************************************************************************************
* 名称：Flash_SegA_ReadChar()
* 功能：从InfoA中读取一个字节
* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址
* 出口参数：Data：读回的数据;偏移溢出时，返回 0
* 说明：无
* 范例：无
******************************************************************************************************/
unsigned char Flash_SegA_ReadChar  (unsigned  int Addr)
{
  unsigned  int temp=0;
  unsigned char Data=0;
//-----  段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----
  if(Addr>=64)
return 0;
  unsigned char  *Ptr_SegAddr;          //Segment  pointer
  temp = 0x10c0+Addr;
  Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp;    //Initialize Flash  pointer
  Data=*Ptr_SegAddr;                //直接为InfoA首地址，未使用全局变量SegAddr
  return(Data);
}

unsigned char gTemp=0;
unsigned char gA;
void main()
{

  WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关狗

  DCOCTL = CALDCO_8MHZ;                // 先设DCO为8MHz
  BCSCTL1 = CALBC1_8MHZ;
  BCSCTL2 |= DIVM_1+DIVS_2;             // 2分频后到MCLK为4MHz ，4分频后到SMCLK为2MHz

  Flash_Init(6,'B' );                //6分频后为333.3kHz, 操作B信息段

  gTemp=Flash_ReadChar(0);             //读取

  Flash_Bak_WriteChar (0,0x23);       //写入

  gTemp=Flash_ReadChar(0);             //再读取

  gA=gTemp;

}

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