电平转换只用上拉电阻不用三极管可以吗？

发表于 2017-10-13 10:54

gujiamao12345 发表于 2017-10-13 08:58
你的意思不是说，不要三极管，只要一个上拉电阻到5v就可以实现电平转换么？ ...

对啊，像3楼那个图那样接

发表于 2017-10-13 10:56

xmar 发表于 2017-10-13 08:46
注意：保护二极管阴极接VDD（3.3V）改为VDD_FET（接5V）。

恩。。有道理。。不过这个是内部的结构改不了了，看来只能是外接三极管防止对内部产生影响了

发表于 2017-10-13 11:01

STM32的IO口设置为开漏输出，外接上拉电阻到5V，可以实现3.3-5V的电平转换，具体如下：
1. IO口设置为开漏输出；
2. 选择具有5V耐压功能的IO；
这样输出为1时片内IO上的NMOS关闭，IO可以作为输入使用，这样子就实现了双向IO口的功能。

发表于 2017-10-13 11:15

plplpo 发表于 2017-10-13 10:54
对啊，像3楼那个图那样接

三楼的图是可以的。
但是一般IO口都有上下MOS管，可以实现设置开漏，实现只用下MOS，
这样的效果是：输出0/5V逻辑，但是，你不是要3.3v转5v这样的效果嘛。

发表于 2017-10-13 12:42

相位，VIH,VOH

发表于 2017-10-13 12:45

对于OD输出的完全可以，对于PP输出的就不可以了，那这种失去了一般性了。

发表于 2017-10-13 12:46

对于普通的GPIO或许可以这样做，对于外设接口不可以这样做的。

发表于 2017-10-13 12:54

开漏输出是可以的。

发表于 2017-10-13 13:11

gujiamao12345 发表于 2017-10-13 11:15
三楼的图是可以的。
但是一般IO口都有上下MOS管，可以实现设置开漏，实现只用下MOS，
这样的效果是：输出 ...

哦哦，那是我没表达清楚啦，就是要实现输出0/5V逻辑

发表于 2017-10-13 13:13

zyj9490 发表于 2017-10-13 12:45
对于OD输出的完全可以，对于PP输出的就不可以了，那这种失去了一般性了。

哦哦，是不是可以这么理解，OD输出的话就用3楼的图（1楼的不行），PP输出的话就用1楼的图（3楼的不行）

发表于 2017-10-13 13:35

plplpo 发表于 2017-10-13 13:13
哦哦，是不是可以这么理解，OD输出的话就用3楼的图（1楼的不行），PP输出的话就用1楼的图（3楼的不行） ...

是的，OD输出只有低电平是确定，高电平是不确定的（高阻状态），必须外加或内置上拉电阻才能确认高电平输出。

发表于 2017-10-13 13:40

plplpo 发表于 2017-10-13 13:11
哦哦，那是我没表达清楚啦，就是要实现输出0/5V逻辑

3楼的有一个小问题，当高电平时，实际输出是3.3V+0.6V，不是5V，前后级糸统的高低电平的相符性，即VOH>VIH,不符合此条件，高电平1，有不确定性。

发表于 2017-10-13 13:42

plplpo 发表于 2017-10-13 13:13
哦哦，是不是可以这么理解，OD输出的话就用3楼的图（1楼的不行），PP输出的话就用1楼的图（3楼的不行） ...

1楼如果在端口上拉一个3.3V的上拉电阻，这样，对OD，PP都适用。并且不会产生32楼说的问题。

发表于 2017-10-13 15:25

亲，要隔离连个电压源

发表于 2017-10-13 15:44

发表于 2017-10-13 16:18

zyj9490 发表于 2017-10-13 13:40
3楼的有一个小问题，当高电平时，实际输出是3.3V+0.6V，不是5V，前后级糸统的高低电平的相符性，即VOH>VI ...

这个3.3V+0.6V是咋来的呢？如果换成11楼的图是不是就能输出5V了呢？

发表于 2017-10-13 17:12

xmar 发表于 2017-10-12 17:11
如果STM32的I/O出脚是开漏输出，用一个上拉电阻把NMOS管的漏极D接5V电源没问题。开漏输出很方便电平转换的 ...

32是有几个真开漏的

发表于 2017-10-13 20:06

本帖最后由 zyj9490 于 2017-10-13 20:09 编辑

plplpo 发表于 2017-10-13 16:18
这个3.3V+0.6V是咋来的呢？如果换成11楼的图是不是就能输出5V了呢？

端口各有上下二个TVS管起端口保护用，为何说兼容TTL电平，当外部5V通过上拉电阻加进时，上边TVS管正向导通，此时3.3V+TVS的正向压降。看14楼的端口内部原理图就明白了。

发表于 2017-10-13 21:31

本帖最后由 onz 于 2017-10-13 22:25 编辑

不用想太复杂。
IO抗静电几千V，实际应用中IO的损坏主要是因电流过大。3.3V单片机IO串连1个100k的电阻到20v电源也没事，倒灌电流也就0.2mA而已，不会烧坏IO内部的钳位二极管。
3.3V器件的IO驱动5V器件的IO的话，直接串联1k电阻限流，3.3V的IO可设置为推挽输出即可。
如果5V的IO已经有内部弱上拉电阻，3.3V的IO也可设置为开漏输出。
这是因为此时5V的IO是高阻输入，内部浮空或弱上拉或弱下拉电阻。即使直接短路到3.3V的IO，灌进的电流已经没有或者很小，不会烧坏3.3V的IO的内的二极管。
串联的电阻值越大驱动速度越慢，值小了对3.3V器件的保护能力也小了。
1k是比较通用的，值过大无法达到有内部上拉的5V器件的低电平阀值。

发表于 2017-10-13 22:17

增加驱动能力

[电子元器件] 电平转换只用上拉电阻不用三极管可以吗？

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