buck型,外置MOSFET的问题

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 楼主| Hu.Te 发表于 2011-4-1 20:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
今天看到一个电源的电路,突然发现了一个问题:有关MOSFET的问题!
图片如下:

DriverH端外接的MOSFET为IR8707,DriverL端接的为IR8736
为何这个不选用同型号的MOSFET,从手册上看得出,IR8736明显要好于IR8707
而且我看了NCP5901的推荐电路,一样的,也是有如此的现象,
这个使用有没有什么说法的?
希望大侠能够指点,指点.

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微风 发表于 2011-4-1 21:30 | 显示全部楼层
同步BUCK电路下管的电流是比上管要大的,有资料说上管主要是开关损耗,下管主要是导通损耗。

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yyp123456 发表于 2011-4-2 09:09 | 显示全部楼层
菜鸟学习中
hile 发表于 2011-4-2 11:08 | 显示全部楼层
DriverH端外接的MOSFET为IR8707,DriverL端接的为IR8736
不要只看单方面的SPC,这个是PWM输出,两个MOSFET的DRIVER是不一样的,一个是H,一个是L
你要了解这两个驱动信号就会明白了,还有所承受的电压各损耗也是不一样的
 楼主| Hu.Te 发表于 2011-4-8 09:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 Hu.Te 于 2011-4-8 09:26 编辑

谢谢二楼与四楼的指点
MOSFET在其工作状态下的特性决定了

看到datasheet中的一段话了:
When PWM is set High, DRVH will be set high after the adaptive non-overlap delay.When PWM is set low, DRVL will be set high after the adaptive non-overlap delay.

When the pWM is set to the mid state, DRVH will be set low, and after the adaptive non-overlap delay, DRVL will be set high. DRVL remain high during the ZCD blanking time. When the timer is expired, the SW pin will be monitored for zero cross detection. After the detection, the DRVL will be set low.
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