双向可控硅关断困难

只看该作者 · 2017-11-21 16:51

描述：光耦控制双向可控硅关断，负载是开关电源。导通正常。

问题：门极=0，负载为开关电源，电流过零点很无规律（时间太短等），不能及时关断。造成控制不及时。

说明：负载不是开关电源时候很容易关断。

求解决办法。

只看该作者 · 2017-11-21 17:22

应该是电子电源阻值比较大负载功率小造成的原因

只看该作者 · 2017-11-21 17:30

由于输入端有整流元件和滤波电容，单相AC/DC的开关电源，输入阻抗呈容性，故供电侧输入电压和输入电流间必然存在较大的相位差。

只看该作者 · 2017-11-21 17:40

双向晶闸管作为容性负载的供电开关，每半个电流周期关断一次。在容性负载下，开通信号除掉后，待到下一个电流过零（严格地说，电流降低到晶闸管的维持电流以下）时，就在晶闸管关断的瞬间，其两端的电压会等于线路电压。晶闸管还没有来得及（通常需要几十微妙）达到阻断状态，由于端电压的陡增，太高的电压上升率 dv/dt，迫使晶闸管又反向导通了。这就是换向 dv/dt 引起的误导通。

只看该作者 · 2017-11-21 17:54

选用经过功率因数校正性能且功率因数尽可能接近于 1 的开关电源，可以消除或缓解。

只看该作者 · 2017-11-21 18:06

如果开关电源的功率因数做不到高，则必须选用 dv/dt 耐受能力较高的双向晶闸管。

只看该作者 · 2017-11-21 18:19

在晶闸管两端并接适当的 RC 吸收回路，对电压上升率即换向 dv/dt 加以限制。

只看该作者 · 2017-11-23 22:44

使用隔离芯片。

只看该作者 · 2017-11-23 22:44

楼主的硬件电路是怎么设计的？

只看该作者 · 2017-11-23 22:44

Soraka 发表于 2017-11-21 17:22
应该是电子电源阻值比较大负载功率小造成的原因

电源阻值是什么含义？

只看该作者 · 2017-11-23 22:48

可能功率造成的。

只看该作者 · 2017-11-23 22:48

驱动电路是否功率足够？

只看该作者 · 2017-11-23 22:48

Soraka 发表于 2017-11-21 17:22
应该是电子电源阻值比较大负载功率小造成的原因

应该就是驱动电路的问题吧。

只看该作者 · 2017-11-28 17:12

上电路图看看。

双向可控硅关断困难

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