[技术求助] 双向可控硅关断困难

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 楼主| Brand2 发表于 2017-11-21 16:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
描述:光耦控制双向可控硅关断,负载是开关电源。导通正常。

问题:门极=0,负载为开关电源,电流过零点很无规律(时间太短等),不能及时关断。造成控制不及时。

说明:负载不是开关电源时候很容易关断。

求解决办法。
Soraka 发表于 2017-11-21 17:22 | 显示全部楼层
应该是电子电源阻值比较大负载功率小造成的原因
Garen2 发表于 2017-11-21 17:30 | 显示全部楼层
由于输入端有整流元件和滤波电容,单相AC/DC的开关电源,输入阻抗呈容性,故供电侧输入电压和输入电流间必然存在较大的相位差。
Ryze 发表于 2017-11-21 17:40 | 显示全部楼层
双向晶闸管作为容性负载的供电开关,每半个电流周期关断一次。在容性负载下,开通信号除掉后,待到下一个电流过零(严格地说,电流降低到晶闸管的维持电流以下)时,就在晶闸管关断的瞬间,其两端的电压会等于线路电压。晶闸管还没有来得及(通常需要几十微妙)达到阻断状态,由于端电压的陡增,太高的电压上升率 dv/dt,迫使晶闸管又反向导通了。这就是换向 dv/dt 引起的误导通。
Varus 发表于 2017-11-21 17:54 | 显示全部楼层
选用经过功率因数校正性能且功率因数尽可能接近于 1 的开关电源,可以消除或缓解。
Snow7 发表于 2017-11-21 18:06 | 显示全部楼层
如果开关电源的功率因数做不到高,则必须选用 dv/dt 耐受能力较高的双向晶闸管。
android2 发表于 2017-11-21 18:19 | 显示全部楼层
在晶闸管两端并接适当的 RC 吸收回路,对电压上升率即换向 dv/dt 加以限制。
aspoke 发表于 2017-11-23 22:44 | 显示全部楼层
使用隔离芯片。
232321122 发表于 2017-11-23 22:44 | 显示全部楼层
楼主的硬件电路是怎么设计的?
ghuca 发表于 2017-11-23 22:44 | 显示全部楼层
Soraka 发表于 2017-11-21 17:22
应该是电子电源阻值比较大负载功率小造成的原因

电源阻值是什么含义?
aspoke 发表于 2017-11-23 22:48 | 显示全部楼层
可能功率造成的。
232321122 发表于 2017-11-23 22:48 | 显示全部楼层
驱动电路是否功率足够?
ghuca 发表于 2017-11-23 22:48 | 显示全部楼层
Soraka 发表于 2017-11-21 17:22
应该是电子电源阻值比较大负载功率小造成的原因

应该就是驱动电路的问题吧。
123ycli 发表于 2017-11-28 17:12 | 显示全部楼层
上电路图看看。
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