楼主问题与三极管饱和类似，参考下面文字。 B、C反偏，但还是有IC，简单说是因为有Ib导致三极管B区电子密度大大增加，通过热扩散至C区形成IC电流。
从三极管结构来讲：在正向的Vbe电场作用下，发射极的电子注入基区，再扩散到集电结边缘。三极管未饱和时，集电结反偏的电压会把边缘的电子立刻吸引到集电极。可是当电流Ib逐渐增加，Ic也增加，扩散到集电结边缘的电子越来越多，电子浓度不断增加，集电结反偏势垒Vcb就会越来越小。当Ic大到使Vcb为0时，管子进入饱和，就不再有电场吸引这些结边缘的电子了，电子只能是扩散到集电极。当Ic再增加时，Vcb<0（Vb=0.7V，Vc=0.3V）,此时集电结就正偏了，会阻碍电子扩散了，但因为基区电子浓度太大了，电子继续扩散到集电极，能够满足Ic大小的要求。注意：Vcb<0集电结正偏并不是三极管外部电场导致的结果，而是由于基区的电子浓度远大于集电区由电子扩散所造成的！
注：扩散，全称分子扩散。在浓度差或其他推动力的作用下，由于分子、原子等的热运动所引起的物质在空间的迁移现象，是质量传递的一种基本方式。以浓度差为推动力的扩散，即物质组分从高浓度区向低浓度区的迁移，是自然界和工程上最普遍的扩散现象；以温度差为推动力的扩散称为热扩散；在电场、磁场等外力作用下发生的扩散，则称为强制扩散。 |
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