二极管反偏与 NPN三极管的BC反偏有什么区别？

发表于 2017-12-23 10:07

本帖最后由 eyuge2 于 2017-12-23 10:09 编辑

1.大家都知道二极管在反偏的时候，耗尽区会增大，电流基本是零.
2.NPN三极管的BC反偏的时候，同样是PN结反偏，还会提到E极流入B极的电子只有少部分被B极的空穴复合，大部分电子会进入BC之间的耗尽区，在该区域的电场作用下，越过反偏的BC结，形成c极电流。

3.我的问题是，在单个二极管反偏的情况下，为什么不提电源的负极能够提供电子，这些电子也会进入耗尽区，在电场的作用下，越过反偏的PN结，形成电流.

发表于 2017-12-23 11:09

大家都来说道说道啊！

发表于 2017-12-23 13:17

个人理解，供商榷。

Vc > Vb > Ve情况下，一个NPN三极管，假想：E极（N区）重掺杂，B极悬空，，就接近一个反偏的二极管了。在此情况下，由于B极悬空，没有足够的BE结偏压，无法提供足够的电子，因此电流极小。

发表于 2017-12-23 13:37

单独一个二极管的情况下，电源的负极也应该能够提供电子。

二极管在反偏的时候，电源提供的电子能够到达二极管的P区，为啥这些电子就不能在耗尽区电压作用下越过耗尽区而产生大电流呢？

三极管的时候，BC同样是反偏，为啥E极提供的电子就能越过耗尽区而产生大电流呢？

同样都是电子，同样都是反偏，为啥产生不一样的结果

发表于 2017-12-23 13:49

然而二极管反偏的时候电源负极电子并不能进入P区。。。。。这就是三极管的牛X之处啦。

发表于 2017-12-23 13:56

刚才那个说麻烦了。
其实，NPN三极管，BE结短接，就相当于二极管了。BE结短接，电位相同，电子很难越过BE结进入B区，而B区内电子是少子，数量极少，因此电流极小。

单看二极管的话，P区内电子是少子，只能提供极小的电流。

发表于 2017-12-23 14:07

本帖最后由 eyuge2 于 2017-12-23 14:26 编辑

哈哈，只是书上这样教导我们的时候，感觉讲得有道理。是啊是啊！

。

发表于 2017-12-23 14:13

and 发表于 2017-12-23 13:56
刚才那个说麻烦了。
其实，NPN三极管，BE结短接，就相当于二极管了。BE结短接，电位相同，电子很难越过BE结 ...

单看二极管的话，P区内电子是少子，只能提供极小的电流。

P区电子是少子，这是书上讲的。
电源的负极连接到P极的时候，能否给P区提供大量的电子，书上没有讲。

发表于 2017-12-23 14:22

本帖最后由 and 于 2017-12-23 14:32 编辑

eyuge2 发表于 2017-12-23 14:13
单看二极管的话，P区内电子是少子，只能提供极小的电流。

P区电子是少子，这是书上讲的。

其实P区和电极接触的地方，应该有一个金属-半导体界面。这个我不了解。
我猜应该象个PN结，反偏的时候，电子很难越过这个结进入P区。

这个看法，请了解的朋友指正。

发表于 2017-12-23 15:06

本帖最后由 dfyh1101 于 2017-12-23 15:33 编辑

我觉得90%的人和楼主一样被这个问题困扰。正偏的时候P区能导电，反偏咋就变不导电了呢？？？？哈哈，去拿本半导体物理啃吧。我啃完了也还是不很清楚。。。

发表于 2017-12-23 15:57

坐等高手

发表于 2017-12-23 19:51

本帖最后由 dfyh1101 于 2017-12-23 20:08 编辑

and 发表于 2017-12-23 14:22
其实P区和电极接触的地方，应该有一个金属-半导体界面。这个我不了解。
我猜应该象个PN结，反偏的时候， ...

确实金属和半导体接触会形成是肖特基结，但是实际生产的时候经过处理可以去掉这种结。

说下我的看法：
一般情况下电子确实是不能像在导体中一样大量进入P区形成自由电子的，因为进入的自由电子会被大量的空穴复合吞噬掉，在边界处会形成一个很陡的分布密度坡，但是不能进入并不代表P区就不能导电，P区的导电机制是一端进入的电子被吞噬，另一端又把吞噬的电子拉出，于是完成了电子的回路，这正是pn结正偏时的导电机制。那么反偏的时候呢，电源负极确实是提供大量自由电子让空穴吞噬的，那为什么还不导电呢，因为另一端是一个结，这个结虽然有空间电荷可以拉电子，但是，它只能拉自由电子，形成漏电流，却拉不出空穴里的电子，要想拉出来必须把反向电压加大到结的击穿电压，也就是说在结这里断路了。
然后再说三极管。为什么三极管的P区有大量的自由电子呢？首先前面说过，自由电子电子一进来就被吞噬的，但是前面也说过，自由电子在边界处是有一个分布密度的坡度的，也就是并没有完全被吞噬掉，这种坡可以调节让它变地缓一点变得长一点，那就是减低P区的掺杂浓度，减少空穴的数量，然后再减小P区的长度，使得自由电子的分布能够触及到电荷区的边界，让电荷区把自由电子吸过去。差不多是这样吧，有不正之处还请指正。

发表于 2017-12-23 20:20

dfyh1101 发表于 2017-12-23 19:51
确实金属和半导体接触会形成是肖特基结，但是实际生产的时候经过处理可以去掉这种结。

说下我的看法：

哈哈，不知道对不对，先谢谢！

发表于 2017-12-23 20:29

dfyh1101 发表于 2017-12-23 19:51
确实金属和半导体接触会形成是肖特基结，但是实际生产的时候经过处理可以去掉这种结。

说下我的看法：

修正一下：上面的自由电子说法不对，它并没有导体里的自由电子自由。

发表于 2017-12-25 09:05

大师们都去哪儿了？

发表于 2017-12-25 09:31

LZ：

BJT的基区很薄（两个PN结靠得很近），不能简单地用两个二极管来类比。

具体器件机理和相关理论分析需要适当的前导知识。如果一定想了解相关原理，可以翻看相关的书籍，譬如《半导体器件物理》。

发表于 2017-12-25 09:39

如果真能搞懂BJT的工作原理，那么BJT的截止、放大和饱和等工作状态就该明白。而从之前的讨论来看，至少连BJT的饱和概念都不清楚的不在少数。

发表于 2017-12-25 09:41

HWM 发表于 2017-12-25 09:31
LZ：

BJT的基区很薄（两个PN结靠得很近），不能简单地用两个二极管来类比。

哈哈，这么复杂。

只看了模拟电路，感觉书上在讲这个问题的时候没有说的很清楚。

你能否比较通俗的解释一下这个问题？

发表于 2017-12-25 09:53

eyuge2 发表于 2017-12-25 09:41
哈哈，这么复杂。

只看了模拟电路，感觉书上在讲这个问题的时候没有说的很清楚。

"你能否比较通俗的解释一下这个问题？"

没办法“通俗的解释”。所涉术语的解释就不是一个帖子能说得清楚的。

虽然，作为一般“模拟电路”，无需去具体了解器件物理，但还得从器件的“特性曲线”去了解器件的基本特性。关于这个，我曾经给过一帖：

https://bbs.21ic.com/icview-2063634-1-1.html

注意最后的两图。

发表于 2017-12-25 10:08

HWM 发表于 2017-12-25 09:53
"你能否比较通俗的解释一下这个问题？"

没办法“通俗的解释”。所涉术语的解释就不是一个帖子能说得清楚 ...

好的，谢谢！以后多注意看器件的数据手册。

这个东西深究下去，到处都是学问

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