可控硅触发电路---故障分析

发表于 2011-6-6 09:46

本帖最后由 123jj 于 2011-6-6 10:14 编辑

问：
1、如果T1235击穿，是否会导致Q1,Q2击穿？如果会，是什么情况下。.......................此电路T1235根本不会击穿，只有当Q1,Q2击穿后，才会连锁反应，引起T1235击穿。
2、什么原因能导致两者一起击穿？或是哪个先坏？哪个后坏呢？有什么办法避免呢？.......................电路设计先天缺陷，请苦读厂家可控硅技术手册，别拍脑袋乱改电路即成。
3、这个触发线路存在什么安全隐患吗？.......................同上，电路设计先天缺陷，不击穿是可控硅质量好，外加LZ运气好，击穿是必然结果。
4、rc吸收电路的参数该怎么计算呢？.......................电阻性负载加不加rc吸收电路都无所谓。

发表于 2011-6-6 15:22

本帖最后由 magic1983 于 2011-6-6 15:36 编辑

电阻性负载加不加rc吸收电路都无所谓 --------认同，负载上基本不会出现大的dv/dt，不过如果加的合适的话，应该比不加更加安全和可靠。
此电路T1235根本不会击穿------怀疑，Q1Q2都击穿了，应该相当于短路，T1235有何连锁呢？
电路设计先天缺陷-------这个我自己是隐隐的感觉到，网上查资料，众说纷纭，还请明示（直接给个图也行）。
注：这个电路得可以控制反并联也可控制双向可控硅。

不击穿是可控硅质量好，外加LZ运气好，击穿是必然结果-----还请明示。
请苦读厂家可控硅技术手册------不好操作，我们触发的可控规是设备使用厂家的维护工程师自己换的（品牌不确定），每个厂家到市场上买的可能都不同。不过这几次烧坏的可控硅，我想可能要去追根溯源了！
我得承认，对可控硅的控制以前的确没有深入研究，我一直认为技术无止境任何一点东西都可能值得一个人去为之奋斗一生；作为工程师每个人都有自己感兴趣的地方（值得去花很多时间），不是现场出现了这个问题，我可能也不会再去研究。

登录 · 发表于 2011-6-6 15:39

本帖最后由 123jj 于 2011-6-6 15:43 编辑

给个经典的电路图供参考，对比一下错在哪

登录 · 发表于 2011-6-6 16:04

本帖最后由 magic1983 于 2011-6-6 16:13 编辑

这个电路我研究过的啊，我也知道他是怎么工作的，360欧姆的是g极限流电阻，下面的330欧姆电阻在右面可控硅导通时起到抗干扰作用，叫Rgk,与其并联的1n4007是利用单向导通作用，抗干扰时截止，在要导通左面的可控硅时导通，把330欧姆电压限位在0.7v，这样就可以是触发极电流增大。
但是我认为这个电路不能兼容双向可控硅，所以不想采用。

我的电路图是这样工作的：
当触发Q1导通时，电流从R3流入，经D2进入Q1触发极，此时R3为限流电阻，R4为抗干扰电阻。
当要触发Q2时，电流从R4进入，经D2进入Q2触发极，此时R4为限流电阻，R3为抗干扰电阻。

发表于 2011-6-6 19:07

小盆友：
你知道可控硅最怕什么吗？
告诉你吧！
可控硅最怕容性负载！并且在非电流过零时进行同步触发！
23楼的图纸是厂家推荐的标准电路，在一般电阻性负载时，可靠性很高，在纯感性负载时，可靠性较高，在带有容性负载时，可靠性急剧降低，特别是触发同步没控制好时，极易过电流击穿！
比较典型的例子：是用他驱动带电容启动的单相交流电机。故障率较高。
24楼的电路，是LZ自作聪明，考虑不周简化的，一看就知道，用于电阻性负载时，可靠性就不高，就不要说用于其他感性负载了。
在24楼你是分析了电路，但只分析了表面静态之工作原理，并没考虑到深层，自己再好好想想吧~~~ :lol

magic1983 · 发表于 2011-6-6 19:28

扯了这么多,没人说到重点, 单向硅最怕的是门极反向过压, 一般是5-7V(也就是内部NPN管的发射结击雪崩击穿电压), 当D2截止时, 就是Q1，Q2的末日，给门极反并一个二极管就行了

发表于 2011-6-6 19:42

可控硅扛容性负责也不是很脆弱，100A的单硅，是RD91封装吧，少说也能扛2000安平方秒的电流冲击，相当于1000A 2mS，2个库论的电荷，380V回路的峰值电压*1.1倍=590V，2库论相当于要3300uF电容组

123jj · 发表于 2011-6-6 19:55

23楼的图正确，两颗单硅反向并联，压降明显低于双向硅，在电容投切中常用到，不过电容投切器中，可控硅并不能真正做到零压差投切，因此电流冲击还是很大的。有的产品则采用可控硅投切，投入后用磁保持继电器短路可控硅，实现零功耗运行，断开关则是继电器先断，然后可控硅切断，可控硅发热很少。

发表于 2011-6-6 20:05

本帖最后由 PowerAnts 于 2011-6-6 20:56 编辑

这个电路我研究过的啊，我也知道他是怎么工作的，360欧姆的是g极限流电阻，下面的330欧姆电阻在右面可控硅导通时起到抗干扰作用，叫Rgk,与其并联的1n4007是利用单向导通作用，抗干扰时截止，在要导通左面的可控硅时 ...
magic1983 发表于 2011-6-6 16:04

单向硅只能工作在第1象限，因此门极绝对要钳位。这与双向硅四象限工作有很大差别，当然了，Hi-com双向硅，要避免第四象限触发。

发表于 2011-6-7 07:36

一直想盼maychang老师来讲解，结果maychang老师没盼到，只盼来maychang老师的徒弟，不过一样欢迎~~~ :lol

发表于 2011-6-7 07:48

本帖最后由 magic1983 于 2011-6-7 07:49 编辑

单向硅最怕的是门极反向过压-------看来是我没有完全理解标准线路中二极管的功能，按自己的思路吧电路简化惹的事。我改，呵呵。借用范伟的一句话表达感激之情——大哥，谢谢了昂。:)
我重新打样几块板试试

发表于 2011-6-7 08:17

23楼的图正确，两颗单硅反向并联，压降明显低于双向硅，在电容投切中常用到，不过电容投切器中，可控硅并不能真正做到零压差投切，因此电流冲击还是很大的。有的产品则采用可控硅投切，投入后用磁保持继电器短路可控 ...
PowerAnts 发表于 2011-6-6 19:55

可控硅在一般应用可靠性较高，只是最怕容性负载！并且在非电流过零时进行同步触发！

大蚂蚁推荐的用磁保持继电器短路可控硅，倒是一条不错的“非典”应用，顶~~~

发表于 2011-6-7 08:27

单向硅最怕的是门极反向过压-------看来是我没有完全理解标准线路中二极管的功能，按自己的思路吧电路简化惹的事。我改，呵呵。借用范伟的一句话表达感激之情——大哥，谢谢了昂。:)
我重新打样几块板试试 ...
magic1983 发表于 2011-6-7 07:48

小盆友，不要加了二极管，到时又击穿，说二姨家无高手~~~

友情提示：
LZ的电路，就算加了二极管，还是一样会损坏单向可硅管，原因不是门极反向过压, 可硅管内部PN结雪崩击穿，而是由其他原因造成的。
因此，建议不要自作聪明，在没有彻底搞清每一个元件具体功能之前，不要任意省略更改。

发表于 2011-6-7 08:32

外国人搞的经典电路，有时一个元件的功能可起到数个作用！！！

不是一眼就能看穿看到位的！！！

发表于 2011-6-7 15:54

各位大哥，谢谢了昂！我改过来试试，先结贴了！要是改过来有问题再反馈

发表于 2011-6-7 16:02

怎么给不了分，怎么结贴给分啊？

发表于 2011-6-7 22:14

改过来没有？结果怎么样？

发表于 2011-6-8 07:28

37# gaohq
这个得长时间观察，我的第一个板子用了半年才坏。最近坏的也是一个月。炉子一直连续工作，所以到底效果怎么样，可能最少得几个月才能看出来！

发表于 2011-6-8 07:32

34# 123jj
这个观点我是非常赞同的,有些成熟电路那是经过千锤百炼的！

发表于 2011-6-8 08:56

33# 123jj
咱们家的高手很多啊，只是大家的具体情况都不完全一样，有些东西也没有统一的解决之道。若在现场试验还有问题，我再反馈。绝不会也不敢说没高手！:)

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