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[电子元器件]

功率MOS管损坏原因分析

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楼主: 冰封小肥牛
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本帖最后由 whtwhtw 于 2018-1-15 09:04 编辑
小和尚520 发表于 2018-1-14 18:00
机理是1M的栅极泻放电阻与栅极电容(8115pf)构成的电荷泻放回路时间常数较大,由15v下降到3.3v持续12ms
...

当电容充满电后,将电源Vu短路,电容C会通过R放电,则任意时刻t,电容上的电压为:
            Vt = Vu * exp( -t/RC)       (放电公式)

3.3=15*e^(-t*10^6/8115)
t=-8115*10^-6*ln(3.3/15)
=12.3ms

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06007507| | 2018-1-15 08:54 | 只看该作者
小和尚520 发表于 2018-1-14 18:25
关闭时间内,通过1M欧的电阻放电的电流基本全部流过Cgd,Cgs电压不放电

请问Cgd的放电回路是哪里?

V4的S→D→G→S, MOSFET管开启关闭的本质就是Cgd的充放电,也就是米勒平台的持续时间

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冰封小肥牛|  楼主 | 2018-1-15 16:02 | 只看该作者
06007507 发表于 2018-1-8 14:20
通过负载仪限流到6A?
可以测试一下是在哪个过程中烧毁的,打开还是关断V4。
我觉得应该是关断,

您好,刚才又测试了一下;是在关断时损坏MOS管的(可以听到声音),MOS管很烫,就是过热损坏。谢谢了,您分析的很详细

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冰封小肥牛|  楼主 | 2018-1-15 16:05 | 只看该作者
steelen 发表于 2018-1-8 16:21
MOS管关断前GS间电容需通过R67放电,R67太大放电时间长导致MOS管关闭缓慢,开启时间长,功率大,发热大。加 ...

又测试了下,确实是关断时过热损坏

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冰封小肥牛|  楼主 | 2018-1-15 16:19 | 只看该作者
06007507 发表于 2018-1-8 14:20
通过负载仪限流到6A?
可以测试一下是在哪个过程中烧毁的,打开还是关断V4。
我觉得应该是关断,


这个就是SOA曲线图吧,能给我讲解下啥意思吗?我看不懂

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emco| | 2018-2-18 12:24 | 只看该作者
用示波器测一下,应该是VGS太小,MOS管没有完全导通。

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