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今天拿到一个百多美金的MEMS陀螺仪IC,熟悉一下什么叫MEMS封

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楼主
awey|  楼主 | 2007-9-4 16:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MEMS封装技术的发展及应用(ZT)


龙 乐 
(龙泉长柏路98号,1栋208室,四川 成都 610100) 

摘 要:封装技术在微电子机械系统(MEMS)器件中的地位和作用越来越重要。本文归纳与总结了MEMS封装的特点和发展趋势,重点对MEMS封装技术的应用进行了分析,最后给出一些有益的想法和看法。

关键词:微机电系统;封装;组装技术

中图分类号:TN305.94 文献标识码:A **编号:1681-1070(2005)03-01-05

1 引言

当前,国内外半导体集成电路科研水平已基本具备将一些复杂的机电系统集成制作在芯片上的能力,几乎整个1000亿美元规模的产业基础设施都可以用来支持MEMS技术,那些被批量制造的、同时包含尺寸在纳米到毫米量级的电子与机械元器件构成的MEMS,成为国际上微电子系统集成发展的新方向。多门类实用的MEMS演示样品向早期产品演绎,可批量生产的微加速度计、力敏传感器、微陀螺仪、数字微镜器件、光开关等的商品化日趋成熟,初步形成100亿美元的市场规模,年增长率在30%以上。当MEMS与其他技术交融时,往往还会催生一些新的MEMS器件,为微电子技术提供了非常大的市场和创新机遇,有可能在今后数十年内引发一场工业革命。然而,实现MEMS的商品化、市场化还面临许多挑战,尚有很多产业化的技术难题需要进行深层次的研究、解决,尤其是MEMS封装技术的发展相对滞后,在某些方面形成封装障碍,使得很多MEMS器件的研发仍暂时停留在实验室阶段,首先解决这一通往市场的瓶颈,促进产业链提速运转已成为各界共识。

2 MEMS封装的特点

MEMS技术是一门相当典型的多学科交叉渗透、综合性强、时尚前沿的研发领域,几乎涉及到所有自然及工程学科内容,以单晶硅Si、Si02、SiN、SOI等为主要材料。Si机械电气性能优良,其强度、硬度、杨式模量与Fe相当,密度类似A1,热传导率也与Mo和W不相上下。在制造复杂的器件结构时,现多采用的各种成熟的表面微bD工技术以及体微机械加工技术,正向以LIGA(即深度x射线刻蚀、微电铸成型、塑料铸模等三个环节的德文缩写)技术、微粉末浇铸、即刻掩膜EFAB为代表的三维加工拓展。因而MEMS封装具有与IC芯片封装显著不同的自身特殊性:

(1)专用性

MEMS中通常都有一些可动部分或悬空结构、硅杯空腔、梁、沟、槽、膜片,甚至是流体部件与有机部件,基本上是靠表面效应工作的。封装架构取决于MEMS器件及用途,对各种不同结构及用途的MEMS器件,其封装设计要因地制宜,与制造技术同步协调,专用性很强。

(2)复杂性

根据应用的不同,多数MEMS封装外壳上需要留有同外界直接相连的非电信号通路,例如,有传递光、磁、热、力、化等一种或多种信息的输入。输入信号界面复杂,对芯片钝化、封装保护提出了特殊要求。某些MEMS的封装及其技术比MEMS还新颖,不仅技术难度大,而且对封装环境的洁净度要求达到100级。

(3)空间性

为给MEMS可活动部分提供足够的活动、可动空间,需要在外壳上刻蚀或留有一定的槽形及其他形状的空间,灌封好的MEMS需要表面上的净空,封装时能提供一个十分有效的保护空腔。

(4)保护性

在晶片上制成的MEMS在完成封装之前,始终对环境的影响极其敏感。MEMS封装的各操作工序、划片、烧结、互连、密封等需要采用特殊的处理方法,提供相应的保护措施,装网格框架,防止可动部位受机械损伤。系统的电路部分也必须与环境隔离保护,以免影响处理电路性能,要求封装及其材料不应对使用环境造成不良影响。

(5)可靠性

MEMS使用范围广泛,对其封装提出更高的可靠性要求,尤其要求确保产品在恶劣条件下的安全工作,免受有害环境侵蚀,气密封装能发散多余热量。

(6)经济性

MEMS封装主要采用定制式研发,现处于初期发展阶段,离系列化、标准化要求尚远。其封装在整个产品价格中占有40%-90%的比重,降低封装成本是一个热门话题。

总而言之,IC封装和MEMS封装这两者最大的区别在于MEMS一般要和外界接触,而IC恰好相反,其封装的主要作用就是保护芯片与完成电气互连,不能直接将IC封装移植于更复杂的MEMS。但从广义上讲,MEMS封装形式多是建立在标准化的IC芯片封装架构基础上。目前的技术大多沿用成熟的微电子封装工艺,并加以改进、演变,适应MEMS特殊的信号界面、外壳、内腔、可靠性、降低成本等要求。

3 MEMS封装的发展

MEMS的发展目标在于通过微型化、集成化来探索新原理、新功能的元器件与系统,开辟一个新技术领域和产业,其封装就是确保这一目标的实现,起着举足轻重的作用。几乎每次国际性MEMS会议都会对其封装技术进行热烈讨论,多元化研发另辟蹊径。各种改进后的MEMS封装不断涌现,其中较有代表性的思路是涉及物理、化学、生物、微机械、微电子的集成微传感器及其阵列芯片系统,在实现MEMS片上系统后,再进行封装;另一种是将处理电路做成专用芯片,并与MEMS组装在同一基板上,最后进行多芯片组件MCM封装、系统级封装SIP。在商用MEMS产品中,封装是最终确定其体积、可靠性、成本的关键技术,期待值极高。

MEMS封装大致可分为圆片级、单片全集成级、MCM级、模块级、SIP级等多个层面。圆片级给MEMS制作的前、后道工序提供了一个技术桥梁,整合资源,具有倒装芯片封装与芯片尺寸封装的特点,对灵敏易碎的元件、执行元件进行特殊钝化保护,使其免受有害工作介质和潮汽侵蚀,不受或少受其他无关因素的干扰,避免降低精度,完成MEMS芯片与基座(或管壳)的焊接和键合;单片全集成级封装要对一个集成在同一衬底上的微结构和微电路进行密封,使之成为一个可供应用的完整系统产品,尺寸小,内部互连长度短,电气特性好,输出/人接点密度高,是MEMS封装发展的较理想方案;MCM级将MEMS和信号处理芯片组装在一个外壳内,常采用成熟的淀积薄膜型多芯片组件MCM-D、混合型多芯片组件MCM-C/D、厚膜陶瓷多芯片组件MCM-C的工艺与结构达到高密度、高可靠性封装,可以充分利用已有的条件和设备,分别制作MEMS的不同部分。这类封装在小体积、多功能、高密度、提高生产效率方面显出优势;模块级封装旨在为MEMS设计提供一些模块式的外部接口,一般分为光学接口、流体接口、电学接口,接口数据则由总线系统传输,从而使MEMS能使用统一的、标准化的封装批量生产,减少在封装设备上的投资,降低成本,缩短生产周期,并要求封装可以向二维空间自由扩展和连接,形成模块,完成某些功能,保证尽可能高的封装密度;SiP称为超集成策略,在集成异种元件方面提供了最大的灵活性,适用于射频RF-MEMS的封装,在目前的通信系统使用了大量射频片外分立单元,无源元件(电容、电感、电阻等)占到射频系统元件数目的80%-90%,占基板面积的70%-80%,这些可MEMS化来提高系统集成度及电学性能,但往往没有现成的封装可以利用,而SiP是一种很好的选择,完成整个产品的组装与最后封装。

在MEMS封装技术中,倒装芯片互连封装以其高I/O密度、低耦合电容、小体积、高可靠性等特点而独具特色,可将几个不同功能的MEMS芯片通过倒装互连组装在同一块基板上,构成一个独立的系统。倒装芯片正面朝下,朝下的光电MEMS可灵活地选择需要接收的光源,而免受其他光源的影响。研究表明,通过化学镀沉积柔性化凸点下金属层UBM、焊膏印刷和凸点转移在芯片上形成凸点的这一套工艺的设备要求不高, 町作为倒装芯片封装结构用于力敏MEMS,尤其适合各研究机构为MEMS开发的单件小批量的倒装芯片封装。而使用光刻掩膜、电镀和回流的方法形成凸点的UBM,却适合工业化大批量生产的MEMS压力传感器。采用倒装芯片互连技术的MEMS封装已取得多方面进展,成为研发热点。

在实际应用中,MEMS的封装可能是采用多种技术的结合。严格地讲,有些封装技术并无明显的差异和界定,另一些却与微电子封装密切相关或相似,高密度封装、大腔体管壳与气密封装、晶片键合、芯片的隔离与通道、倒装芯片、热学加工、柔性化凸点、准密封封装技术等倍受关注。用于MEMS封装的材料主要有陶瓷、金属、铸模塑料等数种,高可靠性产品的壳体大多采用陶瓷—金属、陶瓷—玻璃、金属—玻璃等结构,各有特点,满足MEMS封装的特殊信号界面、外壳性能等要求。

4 MEMS封装的应用

MEMS是当代国际瞩日的重大科技探索前沿阵地之一,新研发的MEMS样品不断被披露出来,从敏感MEMS拓展到全光通信用光MEMS、移动通信前端的RF-MEMS、微流体系统等信息MEMS。光MEMS包括微镜阵列、光开关、可变衰减器、无源互连耦合器、光交叉连接器、光分插复用器和波分复用器等,MEMS与光信号有着天然的亲和力;RF-
MEMS包括射频开关、可调电容器、电感器、谐振器、滤波器、移相器、天线等关键元器件;微流体系统包括微泵、微阀、微混合器、微流体传感器等,可对微量流体进行输运、组分分析和分离以及压力、流量、温度等参数的在线测控。MEMS正处在蓬勃发展时期,产业链和价值链的形成是需要链中各环节的共同努力和密切合作的,封装不可缺位。

4.1 微加速度计

MEMS最成功的产品是微加速度计,通常由一个悬臂构成,梁的一端固定,另一端悬挂着一个约10μg的质量块,由此质量块敏感加速度后,转换为电信号,经C/V转换、放大、相敏解调输出。有的厂家月产达200万件,研发出20余种型号产品,主要用于汽车安全气囊系统和稳定系统的惯性测量,国际市场年需求量在1亿件以上。在市场上较其他类MEMS取得商业化快速进展的原因是更适宜采用标准的IC封装,提供一个相应的微机械保护环境,无需开发特殊的外壳结构,从XL50圆型陶瓷封装演进到XL276型8脚陶瓷双列直插式、XL202型14脚陶瓷表面贴装式封装,目前逐渐被更小的XL202E型8引脚陶瓷表面贴装所取代,可耐高温和强烈的机械振动、酸碱腐蚀。Low-G系列产品采用流行的方形平面无引脚QFN-16封装,有的采用16脚双列直插式或单列直插式塑料封装。采用MCM技术通常能在一个MEMS封装中纳入更复杂的信号调节功能芯片。

4.2 微陀螺仪

MEMS微陀螺仪多利用振动来检测旋转的角速度信号,正加速研制高精度、低成本、集成化、抗高冲击的产品,研究在芯片上制造光纤陀螺,小批量生产硅MEMS陀螺(俗称芯片陀螺)和MEMS石英压电速率陀螺,用于全球卫星定位系统精确制导的信号补偿、汽车导航系统、飞行器、天线稳定系统等。有采用无引线陶瓷芯片载体LCCC封装、混合集成封装、MCM封装、单管壳系统封装的微陀螺仪,将惯性传感器与控制专用电路封装为一体,要求内部必须是真空气密条件。

4.3 力敏传感器

以MEMS技术为基础的微型化、多功能化、集成化、智能化的力敏传感器获得商业化应用。其中,硅MEMS压力传感器的使用最广泛,基本工艺流程分为力敏弹性膜片(硅杯)和组装两大过程,在纽装中如何避免附加应力的产生是封装工艺的关键,采用静电封接独具特色,将力敏弹性膜片与玻璃环通过静电封接机封接为一体,形成膜片基体,背面接受压力结构增加膜片的固定支撑厚度,然后键合内引线、粘结、焊外引线、老化处理、零点补偿、密封、静电标定等完成整个封装过程:封装技术向低温玻璃封接、激光硅—玻璃封接发展。

4.4 表面贴装麦克风

全球首款表面贴装Si Sonic微型麦克风的部件采用MEMS技术制造,并将其与一个CMOS电荷泵IC、两个RF滤波电容集成在一个封装中,组成一个表面贴装器件。这种表面贴装的封装形式适合大批量自动装配生产,生产效率极大提高,而目前采用传统电容式麦克风ECM是手工贴装,缺乏规模经济性。前者总体只有ECM的一半大小,投影面积是更小的8.61mm2,有望取代一直在便携式应用中占主导地位的ECM。

4.5 数字微镜器件

数字微镜器件DMD(DIGITAL Micromirror DEVICE)主芯片含有超过150万个能被精确控制、独立转动的微镜,可用于光通信及数字投影装置、背投彩电等,其成像原理是由微镜±10°的转动控制光信号通断,透镜成像并投影到屏幕上,优势是光效高、色彩丰富逼真、亮度易作到2000流明甚至更高、对比度2000:1、可靠性好、平均寿命约为50年,现销售量超过300万套。DMD采用带有透明窗口的密封封装形式,用陶瓷作为基底,玻璃作为窗口,同时使用了吸气剂,去除可能会对器件可靠性造成危害的湿气、氢以及其他一些物质微粒,其封装能够保证器件内干燥、密封并有一个透明的窗口确保光路的畅通。

4.6 MEMS光开关

用MEMS技术制作的光开关是将光机械结构、微制动器、微光元件在同一基底上集成,具有传统光机械开关和波导开关的特点,二维和三维MEMS光开关已有商业化的产品面世,开展对一维的研究,多采用组件或隔离密封式、模块形式封装,其典型代表为MEMS-5200系列交换模块。有些产品能够接受来自数十条光纤的输入信号,并可将其路由到其他几百条光纤中去,采用这种产品的主要理由是避免花费昂贵、且难处理的大量光—电转换和电—光转换,要达到这一目的,就要求,于关与光纤以及其他器件之间进行几百次甚至几千次的连接,采用同光纤相适应的封装,封装及接头技术甚至比MEMS还新颖,并要尽可能减小温度、湿度、振动以及其他环境因素对封装光开关的影响。MEMS光开关市场上尚缺乏共同的封装技术标准,因批量小、技术难度大而价格特别昂贵,封装工艺、封装材料、性能测试等的不断改进是热点关注的话题。封装技术还需要更大的发展,才能充分体现出MEMS光开关在全光网中可扩展地完成各种光交换的关键作用的特性。

4.7 RF-MEMS

RF-MEMS可弥补CMOS工艺的不足,MEMS技术制作的无源元件有益于系统集成度与电学性能的提高、成本降低,成为国际顶级半导体厂商拓展硅芯片应用范围的研发方向。RF-MEMS开关的实用化获得相当大的进展,往往没有现成的封装可以直接使用,因而需寻求解决方案,SIP首当其冲。SIP从RF-MEMS设计阶段即考虑封装问题,无源元件的集成方式、封装结构的设计、封装工艺流程、系统内芯片间的互连、封装材料的选择等尤为关键。SIP中内含表面安装器件、集成式无源元件、存储器芯片、CMOS芯片、GaAs高性能功率放大器,在基板上可用高密度互连技术制作掩埋式无源元件、传输线等,简化系统结构,降低寄生效应与损耗,提高应用频率范围,缩短产品开发时间。

5 结束语

MEMS以及微光电子机械系统MOEMS、纳米电子机械系统NEMS的研发为新的技术革命提供了大量机遇。不同的MEMS要求具体相应的封装结构,封装技术的特异性高,引发出大量的封装问题亟待解决。据国外权威统计公司SPC的统计,国内MEMS的研究处于世界前八位,可批量生产MEMS力敏传感器,研制成功MEMS光开关、RF-MEMS开关、微流体系统等多种原理样品,从总体水平上看,与国外的差距主要体现在产业化技术上。选择一些应用量大、面广的MEMS及其封装作为发展和市场切人点,形成产业,满足市场需求,为发展其他MEMS打下基础、摸索出规律,这样就成功了一半。没有一项MEMS的研发会漠视封装技术,没有封装的跟进是不现实的。

从国外发展趋势看,MEMS的封装类别一般都沿用已经标准化的IC封装结构形式,或者加以改进来适应MEMS要求,力争采用更多的现有IC封装架构实现MEMS的封装。采用新型封装结构及其技术,建立MEMS封装单元库,注重成本的新封装结构与MEMS研发之间的进一步整合,成为另一个发展趋势。

在MEMS问题上,若就其封装展开充分的探讨,则各有各的方式,市场角逐要选择对路产品,在市场引导下组建起MEMS的完整产业链是值得期待的。
 
本文摘自《电子与封装》 

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沙发
木头东瓜| | 2007-9-4 16:14 | 只看该作者

玩陀螺仪干嘛?

老a
嘿嘿
做不做遥控直升机?

使用特权

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板凳
awey|  楼主 | 2007-9-4 16:22 | 只看该作者

还没具体定什么产品

我现在的任务就是玩新鲜的玩意,看看能做什么,
这个工作不错吧?哈哈`~

使用特权

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地板
tyw| | 2007-9-4 16:39 | 只看该作者

凑个热闹1

MEMS传感器的封装
沈广平,秦明
(东南大学MEMS教育部重点实验室,南京 210096)


1 引言
MEMS作为21世纪的前沿高科技,在产业化道路上已经发展了20多年,今天,MEMS产品由于其具有大批量生产、低成本和高性能等特点,已经有了很大的市场,早期的封装技术大多数是借用半导体集成IC领域中现成的封装工艺,MEMS产品中,由于各类产品的使用范围和应用环境的差异,其封装也没有一个统一的形式[1],应根据具体的使用情况选择适当的封装,同时,在MEMS产品的制造过程中,封装只能单个进行而不能大批量同时生产,因此封装在MEMS产品总费用中占据70%-80%,封装技术已成为MEMS生产中的瓶颈。CSP和WLP封装是MEMS进行批量生产和微型化的主要途径。
2 MEMS封装的挑战[2-4]
目前的MEMS封装技术大都是由集成电路封装技术发展和演变而来,但是由于其应用环境的复杂性,使其与集成电路封装相比又有很大的特殊性[5],不能简单将集成电路封装直接去封装MEMS器件。
与IC封装类似,MEMS封装主要实现3个功能:机械支撑、环境保护和电气连接[6]。
2.1 机械支撑
MEMS芯片有的带有腔体,有的带有悬梁,这些微机械结构的尺寸很小,强度极低,容易因机械接触而损坏和因暴露而沾污,特别是单面加工的器件,是在很薄的薄膜上批量加工的,结构的强度就更低,它能承受的机械强度远远小于IC芯片,对封装的机械性能提出了更高要求。
2.2 环境保护
MEMS封装一方面需要对微结构、电路和电气连接进行保护,确保系统的稳定性和可靠性:另一方面又必须对传感器芯片提供一个或多个环境接口,使其能充分感知待测物理量的变化,从信号界面来说,MEMS的输入信号界面复杂,可能为光信号(光电探测器)、磁信号(磁敏器件),还有机械力的大小(压力传感器)、温度的高低(温度传感器)、气体的成分(敏感气体探测器)等,这种复杂的信号界面给封装带来很大的难度。
2.3 电气连接[7]
电气连接不仅指MEMS器件与上一级系统之间的信号连接(包括提供通往芯片的电源和接地连接),而且包括MEMS器件内部的信号通路连接。当MEMS器件与电路集成时,就需要考虑系统的信号分配和功率分配。
除此之外,在实际的MEMS封装中,其必须考虑下面一些因素,首先,封装必须给传感器带来的应力要尽可能小,材料的热膨胀系数(CTE)必须与硅的热膨胀系数相近或稍大,由于材料的不匹配,很容易导致界面应力,从而使芯片发生破裂或者分层。对于应力传感器,在设计时就必须考虑封装引起的应力给器件性能的影响,其次,对于一般的MEMS结构和电路封装,散热是必须要给予充分重视的,高温下器件失效的可能性会大大增加,而对于热流量计和红外传感器,适当的热隔离会提高传感器的灵敏度。再次,对于一些特殊的传感器和执行器,需要对封装的气密性进行考虑,封装的气密性和漏气对于提高压力传感器的精度和使用寿命是至关重要的。而对于一些有可动部件的传感器,进行真空封装可以避免振动结构的空气阻尼,提高使用寿命,最后,由于MEMS传感器的输出信号都是微纳量级的,所员匦肟悸欠庾案

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5
tyw| | 2007-9-4 16:40 | 只看该作者

凑个热闹2


对于MEMS光器件来说,封装必须在保证芯片能够充分接触到光线的前提下进行,SCHOTT提出OPTO-WLP的解决方法:芯片正面与光线接触,而背面应用BGA等封装方法安装到PWB上,OPTO-WLP的主要工艺步骤如图7所示,其核心工艺为利用通孔再分布和键合,是WLP封装原理的一种典型应用。

3.3 系统级封装
利用标准的IC工艺和MEMS后处理工艺,在单芯片上实现简单的MEMS系统即SoC(System on Chip)是可行的。但是在单芯片上实现复杂的MEMS系统,往往因为工艺的兼容性和成本问题变的不可行。为了要达到高度整合的目的,同时保持系统应有的功能及可接受的成本,System-In-Package(SIP)被提出来,成为系统单芯片之外的另一种选择,目前,主要有日本业界所领导的SIP(System-in-Package)与美国乔治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)大力提倡的SOP(System-on-Package)。SIP利用多层薄膜封装与组装技术,来达到3D集成电路堆栈,或是含集成电路的封装堆栈,而整合成系统,美国乔治亚理工学院率先从事SOP的研究,以创造最精巧的多功的结合系统(convergent systems)为目的,本文中两者不予区分,统称为SIP。实现SIP的方法很多,主要包括多芯片组件技术和3D封装两大技术。
3.3.1 多芯片组件技术[21,22]
多芯片组件MCM与芯片封装MCP一般不予区分,两者的主要区别在于,MCP是安装的IC及各种元器件,而MCM是以安装多个芯片为主,多芯片组件MCM技术是将MEMS芯片和信号处理芯片封装在一个管壳内,以减小整个器件的体积,适应小型化的要求,还可以缩短信号从MEMS芯片到驱动器或执行器的距离,减小信号衰减和外界干扰的影响,是MEMS封装的一个重要趋势。
基板是MCM技术中的关键单元,提供了新品的机械支撑,芯片间的信号以及芯片组件与下一级系统单元的互连接口,根据基板材料不同,MCM有3种基本类型:(1)基于多层有机层压板结构的MCM-L,(2)基于多层共烧陶瓷技术的MCM-C,(3)基于多层薄膜结构的MCM-D。MCM-L是常规PWB技术发展而来,但与PWB相比,它改进了材料和工艺,提高了光刻技术的分辨率,加强了工艺控制,因此可以加工更小的特征尺寸,实现更高的元器件对准精度,MCM-C的核心技术为共烧陶瓷工艺,包括高温共烧陶瓷(HTCC)和低温共烧陶瓷(LTCC)。所谓LTCC技术,就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带,在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形,并将多个无源元件埋入其中,然后叠压在一起,900摄氏度下烧结,制成三维电路网络的无源集成组件,也可制成内置无源元件的三维电路基板,在其表面可以贴装IC和有源器件,制成无源/有源集成的功能模块。MCM-D在3种MCM技术中电路密度最高,但工艺最多,成本最高,在MCM-D中,用薄膜淀积法依次淀积金属层和介质层,再用光刻法刻出图形。
对于包含MEMS器件的MCM封装来说,需要考虑释放结构与封装的先后次序以及封装材料与释放工艺的兼容性问题。大多数的MEMS器件都需要释放牺牲层形成三维结构,但是释放以后的结构都是易碎的,然后利用大规模生产的标准封装工艺进行封装成品率很低。采用先进行封装后释放结构的方法,需要考虑在释放结构过程中对电路以及封装材料的保护。
3.3.2 三维(3D)封装
各类SMD的日益微小型化,引线特征尺寸减小,实质上为实现x、y平面(2D)上微电子组装的高密度化;而三维(3D)封装技术则是在2D的基础上,进一步向z方向,即向空间发展的微电子组装高密度化,实现3D封装,不但使电子产品的组装密度更好,也使其功能更多的,传输速度更高,功耗更低,性能更好,而可靠性也更高,3D封装主要有3种类型:埋置型3D、有源基板型3D和叠层型3D。埋层型主要是指在基础板内或多层布线介质中埋置IC或无源器件,最上层贴装SMD来实现立体封装,以硅圆片规模集成(WSI)作为有源基板,然后在上面实现多层布线,最上层贴装SMD,构成立体封装,这种结构形式称为有源基板型,叠层型指在2D封装的基础上,将每一层封装上下叠装互连起来,或直接将两个芯片面对面"对接"起来或背对背封装起来,从而实现立体封装。
4 MEMS系统的封装[23]
由于IC制造技术的发展,采用与标准的IC制造技术相兼容的MEMS结构越来越多,同时,随着CMOS技术的不断成熟,使得将预放和A/D等信号条理调理电路和微传感器可以和做在一个芯片成为可能,形成真正的SoC。
通常与标准的IC电路制造技术相兼容的MEMS制作方法有3种:一种是pre-CMOS,在标准工艺之前采用MEMS工艺,(包括表面加工和体加工)对芯片进行处理;一种是pre-CMOS,在标准工艺之后采用MEMS工艺对芯片进行处理;还有一种是intermediate processing,在标准工艺过程中插入一些MEMS工艺步骤。目前应用最广泛的是pre-CMOS,比较成熟的产品有压力传感器,热流量传感器和化学传感器等。[24-26]
4.1 采用倒装焊封装的电容式化学传感器
下面以瑞士苏黎世大学物理电子实验室制作的电容式化学传感器为例,说明全集成MEMS系统的封装,图8是该芯片的SEM照片,包括3个叉指状敏感电容,3个参考电容,一个多路选择器和一个Σ-Δ调制器,其中,叉指状电容是利用CMOS工艺中的金属层制作的,敏感电容表面有聚合物薄膜作为化学敏感元件,而参考电容则没有,传感器将两个电容之差通过片上Σ-Δ调制器转换成数字输出信号。

电容式传感器采用倒装焊封装,传感器芯片通过倒装焊在一个化学惰性的陶瓷衬底上,通过封装,必须确保使得敏感电容与待测气体相接触,同时使得参考电容和片上电路与待测气体相隔离,如图9所示,采用一个金属框架可以使敏感电容与待测气体保持充分接触,而且这个金属框架与倒装工艺制造凸点工艺完全兼容,凸点高度决定了芯片与衬底直接的距离,而普遍电镀形成的Au凸点一般用最大10%的高度不均匀性,在与基板倒装互联时,为了使所有凸点都能很好连接,必然加大焊接压力,使较高的凸点过分变形,在实际应用中,采用了柔性凸点,凸点制作工艺中最为关键的是UBM(under-bump metallization)的制作,采用TiW作为粘附层和阻挡层。在进行基板和新片互连的同时,形成金属框架将参考电容和片上电路隔离,最后,在芯片和基板之间填充环氧树脂,形成underfill。

4.2 采用BGA封装的红外传感器
图10为100像素红外传感器,面积为3.3mm×3.3mm。通过电镀一层25μm厚的金线,将薄膜分隔成10×10的阵列,对相邻的像素进行热隔离。红外辐射被薄膜吸收,对像素进行加热,温度的变化通过由多晶硅和铝条组成的热电偶转换成电压输出,热电偶的电压输出利用多路选择器进行选址,然后由一个低噪声放大器进行放大输出。

红外传感器的封装必须要保护芯片不受机械损伤,并且能够屏蔽远红外干扰,解决的办法为利用非流动等温凝固的方法在芯片上直接安装一个高通的红外滤波器,贴有滤波器的芯片进一步利用标准的PBGA工艺进行封装,电路和引线都利用覆顶式液状材料进行包封(见图11)。

4.3 采用WLP封装的压力传感器
新加坡国立大学报道的一种用WLP封装的基于压阻原理的压力传感器。该传感器芯片面积为4mm×4mm,采用4k欧姆的压阻组成惠斯通电桥测量压力变化,其剖面图如图12所示。传感器芯片为100mm(4英寸)的N型双面抛光SOI片,利用湿法腐蚀出空腔。正面为一个450μm厚的100mm(4英寸)硅片,利用40%的KOH和异丙醇IPA在80摄氏度腐蚀到120μm,然后利用LPCVD在硅片两面都淀积一层低应力氮化硅。利用熔融玻璃将传感器芯片和正面芯片键合,然后利用等离子刻蚀出通孔,底部为一个450μm厚的100mm(4英寸)硅片,利用LPVCD淀积一层250nm的低应力氮化硅,然后利用各向异性刻蚀出通气孔并与传感器芯片键合,最后制作凸点,进行引线互联。

5 结论
MEMS是21世纪最有发展前途的产业,目前,MEMS器件已经开始实用化,MEMS设计开始走向系统化,集成MEMS系统的实现方式主要有两种:一种是系统级芯片SOC(system on chip),另一种是SIP(system in a chip)。利用SOC集成MEMS的优势很明显:具有最小的尺寸、最短的内部连接长度、最佳电气特性、最高输出/输入接点密度、最小功耗。SIP虽然整合程度不如SOC高,但是其可以在同一基板上集成不同的芯片,从而无需考虑电路与MEMS器件材料和工艺的兼容性。降低了设计和制作的难度,两种实现方式各有利弊,也可互为补充,都是MEMS发展的重要趋势。

要实现MEMS的产业化,封装必须跟上MEMS产品设计的步伐,在设计器件的时候就开始考虑封装。目前的MEMS封装技术大都是由集成电路封装技术发展和演变而来,但是特殊的信号界面、外壳要求,三维结构和可靠性要求决定了MEMS封装的难点所在,需要重点研究,德国Fraunhofer IZM提出了模块式MEMS(MOMEMS)的概念,MOMEMS使用标准化的外部接口,从而MEMS器件能够使用统一的、标准化的封装批量生产,降低了成本,缩短了进入市场的时间,模块式MEMS封装设计的思路也许是MEMS封装的一个重要突破口。
本文摘自《电子工业专用设备》

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木头东瓜| | 2007-9-4 16:56 | 只看该作者

你Y当老板了?

我现在的任务就是玩新鲜的玩意,看看能做什么,
这个工作不错吧?哈哈`~


这种事情谁能想得出啊,哈哈
随便你玩,玩新鲜的东西
你们股东该不是都是科技盲吧

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tyw| | 2007-9-4 17:51 | 只看该作者

这个老板很有眼力哦


大有侠客岛上龙,木二位岛主的风范.
创造一个舒适宽松环境让你下蛋,下大蛋.

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浪淘沙| | 2007-9-4 18:09 | 只看该作者

MEMS陀螺仪?咱也凑个热闹,用MEMS玩游戏、打电话

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cnchip| | 2007-9-4 18:59 | 只看该作者

呵呵,tyw贴的缺图啊

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杨真人| | 2007-9-4 19:52 | 只看该作者

能座稳这个位的人不是一般的高.

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chunyang| | 2007-9-4 20:11 | 只看该作者

好东西啊,流口水中

当年玩过的陀螺仪小的也有拳头大。

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awey|  楼主 | 2007-9-4 20:30 | 只看该作者

就是这个:IDG-1050 Dual-Axis Gyro

东瓜你在胡扯什么?
玩新的东东也是老板的安排,不是你想玩什么就能玩什么的。

下面这块小板就要200美金。

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computer00| | 2007-9-4 21:13 | 只看该作者

估计要设计个导弹,然后去炸了冬瓜,嘿嘿...

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awey|  楼主 | 2007-9-4 21:22 | 只看该作者

暂时不知道老板是否有此意

不过成本太高了,哈哈`~`~

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chunyang| | 2007-9-4 22:36 | 只看该作者

拿个一百多美元的东西打东瓜,要打着了就赚了

成本太高?小心东瓜“问候”你

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木头东瓜| | 2007-9-5 08:13 | 只看该作者

俺就玩过角度,加速度传感器

不知道是不是这个东西
貌似也要几十美金一片
嘿嘿

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computer00| | 2007-9-5 08:59 | 只看该作者

倒塌...awey不是说了是陀螺仪么,跟你玩的那个不一样拉~~

陀螺嘛,可以用来导航,例如瞄准了冬瓜屁股,只要冬瓜不跑,它就能打到拉~~~


对了,老A,它数据手册有没有介绍这个里面的原理是什么? 激光陀螺?

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awey|  楼主 | 2007-9-5 09:15 | 只看该作者

不是激光式的,是振动式的,我还在看资料呢


再转个原理的贴子
模拟电路实现MEMS陀螺仪测量系统 
2007-8-21 11:35:48来源:点击次数:2次
 
        
        Leon Foucault在1852年发明了全球首个陀螺仪,这种传统的机械式陀螺仪如图1所示。Foucault认为,利用固定位置上的旋转物体可以测量地球的旋转。在理论上,他的想法是正确的,但当时他只能让物体保持旋转数分钟的时间,因此不足以观察到地球的显著运动。不过随着电气马达的发明,陀螺仪突然变得切实可行了,因为马达能让物体无限地旋转下去。在这种理论下,人类发明了电动回转罗盘,并很快地应用在船只和飞机上。 

        微机电系统(MEMS)技 
术的快速发展,已经能让制造商在微型芯片上制造出完整的陀螺装置。不仅如此,随着时间的推移,MEMS陀螺仪价格正变得越来越便宜,体积也越来越小。技术的发展和价格的降低使得整合式MEMS陀螺仪能应用于许多领域。 

        虽然传统的陀螺仪主要用于测量角位移,但目前的MEMS陀螺仪可用来测量以度/秒为单位的角速度。图1展示了传统的陀螺仪工作原理,为角惯性属性。当一个旋转物体,如旋转陀螺在其旋转轴方向变化方面出现很强的惯性时,可以很容易观察到这种属性。 

        这种现象跟我们能骑自行车的道理是一样的。图1所示装置的中间,有一个圆盘正在高速旋转。这种旋转将使圆盘产生巨大的惯性。当装置旋转时,中间的圆盘会停留在相同的角位置。此时可以很容易测出圆环和固定旋转圆盘之间夹角的变化。陀螺仪的旋转部份也能有效地用于保持角取向不变,因此陀螺仪在罗盘中获得了很好的应用。 

MEMS陀螺仪原理 
         MEMS陀螺仪比传统陀螺仪更有用,因为它们一般测量的是角速度而不是角位移。角速度测量更加有用,因为随着时间的累积,能够间接测量出角位移和速度。 

         有许多技术可用来检测MEMS陀螺仪的角速度。这些技术通常都有一个共同点,即它们是以振动块(vibrating mass),而非旋转块(rotating mass)为基础。振动块能抵制振动轴向的变化,即使与它相连的结构正在旋转。因此,使用振动而非全程旋转可获得同样的旋转检测效果,而全程旋转在MEMS设备中更难实现。 

         MEMS陀螺仪的物理现象是柯氏力效应(Coriolis Effect)。这种现象是当一个物体在旋转的参考坐标(reference frame)中作线性方向运动时所产生的(图2)。假设你站在正在旋转的旋转木马上,所处位置标示为t1。如果你决定经直线向外边走,你就能体会到柯氏力效应。 
 
图1. 传统机械式陀螺仪。 
 
图2. 柯氏力效应中呈现的速度和加速向量。 
我们可透过物理知识了解到,旋转木马上的任何点都有一个瞬时速度Ωr,其中Ω是旋转速度,r是旋转木马上该点的半径。因此图2中每个蓝色速度向量都有一个Ωr的等级,如果你站在其中任何点上,你会拥有相同的切向速度。红色的等速向量代表了径向速度,是你走向外边的速度。当你接近外边时,你的切向速度会增加。如此将从柯氏力效应获得一半的加速效果,其值等于Ωv,其中v代表径向速度。 
柯氏力加速的第二部份来自加速向量(标示为绿色)。如果看一下t1和t2处的红色速度向量,你会注意到它们的强度是相同的,但它们的方向不同。这种速度向量的方向变化意味着绿色向量的方向上必定存在切向加速。这种加速就是柯氏力加速的另外一半,同样等于Ωv。因此,如果将两个独立的加速向量加在一起,你就可以得到2Ωv。如果你的质量是m,这种加速将对你施加2Ωvm的力。该力会在旋转木马上产生强度相同、方向相反的反作用力,其值等于-2Ωvm。因为这是负值,因此该力的方向与旋转方向相反。 
如果你准备走回到旋转木马的中心,那么所有数**算都是一样的,除了红色速度向量现在指向里面,使它们呈现相反的符号。此时你的反作用力最终等式是-2Ω(-v)m,或2Ωvm。因此如果你往里面走,你在旋转木马上产生的反作用力强度将保持不变,方向则与旋转方向保持一致。 
为了展示MEMS陀螺仪的运作,可用径向行动的微型振动块来代替旋转木马上的人,并利用在上方安装陀螺仪的任何结构来代替旋转木马,如图3所示。 
 
图3. MEMS陀螺仪的实现。 
微型块m将前后振动,因此产生相同频率的垂直柯氏力。这些力的强度等于±2Ωvm,并直接与整个系统的角速度Ω成正比。这些力将导致图3所示组件的白色部份从一边投入另一边,这些位移可以被检测为电容的变化。 
此时,陀螺仪所需的就是用相关电路检测电容的振荡,并将它转换为电压,再经整流后输出直流电压。这种电路的目的是将旋转速度转换为电压。一些陀螺仪制造商正在将所有功能整合到单一封装中,实现小型、高效但价格较高的解决方案。也有些MEMS陀螺仪制造商为了降低产品价格,采用了最简单的讯号调理方法,因此需要使用外部电路实现讯号调整和准确测量。 

MEMS陀螺仪的应用 
         最便宜和被广泛使用的MEMS陀螺仪使用了尽可能少的模拟电路,且基本上不包含数字电路。这些陀螺仪的输出阻抗相对较高,输出讯号中存在着较大值的直流偏置。因此,减少直流偏置和提高输入电路阻抗的重担落在了系统设计师身上。 
如今,MEMS陀螺仪被广泛用于各种消费性设备,如数字相机的影像防震、笔记型计算机的硬盘保护和数字罗盘等。陀螺仪还在汽车的电子稳定控制(ESC)系统中获得了良好应用。随着工业和消费性机器人的发展,陀螺仪将可望在这两个市场大显身手,并有助于满足在组装在线提高自动化程度的要求。在机器人中,陀螺仪将有助于自动控制系统控制机器人手脚的行动和平衡。 

影像防震讯号调理电路 
        在影像防震应用中,陀螺仪有助于纠正拍照者的手部抖动。当拿相机的手抖动时,影像传感器也会抖动,使拍到的影像模糊不清。在这种应用中,须用到两个陀螺仪,以确定x和y轴的抖动幅度。讯号调理电路和处理器则测量陀螺仪的输出,并送出校正讯号,以动态地改变影像传感器的参考坐标。 
实现这类功能的基本要求如下: 
四极低通滤波器:fc=250Hz 
差分或单端增益:100 
ADC采样率:1ksps/通道 
ADC分辨率:10位 
满足上述要求的电路有许多种,挑战来自于使电路更具性价比,并足够小到能装配到非常紧密的数位相机中。即使你设计的电路很小很便宜,但仍需要有足够高的性能,确保它不会影响系统性能。除了满足上述要求外,了解设定功能也有助于使设计决策更简单化。 
讯号调理电路的第一级很重要,因为一些低价陀螺仪的输出阻抗非常高。另外,在影像防震应用中,由于一些与偏置有关的问题,讯号的直流部份并没有功能价值,这一点相当重要。 
图4所示的电路描述了在单端陀螺仪应用中的一个公共设计问题。 
 
图4. 单端陀螺仪的输入电路。 
        输入电路由以下零组件组成:有一定输出阻抗(Zout)的陀螺仪、隔直电容、连接到模拟地(AGND)的电阻(用于将交流耦合的输入讯号中心置于AGND),以及以AGND为参考的放大器。使用隔直电容而不用软件滤波器的原因是陀螺仪输出偏置电压(最高100mV)将被放大100倍,会使放大器的输出接近满幅电压。 

        为了避免测量误差超过5%,陀螺仪和隔直电容的复合阻抗应至少小于浮动电阻的20倍。假设Zout=40kΩ,容性电抗为3.2kΩ(1μF@最低有效频率50Hz),总阻抗是40.1kΩ,那么,要求电阻值为803kΩ(相当于806kΩ1%)是比较合理的。 

         如果上述电路只在影像防震功能启动时才被加电(在即将照相之前),就需要考虑RC电路的上升时间。在这种情况下,我们可以假设4T或98%是足够的上升幅度,此时电路将在3.2s后工作(见等式1),这个结果是不可接受的。 
上升时间方程式为: 
解决方案是增加某种主动电路来稳定连接到AGND放大器的正输入端电压。要想达到这个目的,馈入电阻底部的AGND可用DAC代替,并在放大器的正输入端连接一个ADC。以AGND为参考的ADC可用来测量放大器输入与AGND之间的差,如果差值为负(放大器输入电压低于AGND),那么DAC的输出电压将会上升;如果差值为正,DAC的输出电压就会降低。当使用处理器时,还可以实现软件控制回路,以便显著增加系统的响应时间。 
在增加ADC和DAC后,上述电路很快就变得不实用了。目前已有一些现成的组件可以用来提供实现这些电路的理想解决方案,如ADI的ADuC系列和Cypress公司的PSoC系列。采用Cypress的PSoC完成的电路如图5所示。 
 
图5. 改进的启动电路。 

        既然上升时间问题解决了,我们可以接着进行低通滤波器的实现。要求是采用截止频率为250Hz的四极滤波器。四极滤波器极耗资源,因为它需要两个采用相同滤波器的相同通道。幸运的是,混合讯号组件内部的delta-sigma(Δ-Σ) ADC通常都有内建的sinc2数字滤波器。在采用CY8C29466时,这些滤波器具有两极响应,截止频率(fc)等于采样频率的33%。因此将两极开关电容低通滤波器(LPF)与Δ-Σ ADC串联起来,可提供与四极滤波器相同的响应,这种实现方法如图6所示。 
 
图6. 增益和滤波器实现。 

         最后一个还未满足的要求是陀螺仪讯号需放大100V/V倍,而可编程增益放大器(PGA)的最大增益只有48V/V。因此还需要增加一级放大器才能满足100V/V的要求,而2.1V/V或6.44dB的额外增益可透过改变开关电容滤波器中的反馈电容值,在低通滤波器中实现。增益配置同样如图6所示。 

        最后一个步骤是复制这个电路,使两个信道能被交替测量。众所周知,ADC sinc2数字滤波器的截止频率取决于采样率,而采样率标准是1ksps。当每个信道采样频率为1ksps时,数字滤波器的截止频率设为330Hz,而指标要求是250Hz,这又显示了什么呢?显示了在这些应用场合,双极响应足够超出250Hz到约400Hz,因此该解决方案非常适合这种应用。 

        影像防震电路的最终实现如图7所示。其中还有两部份值得一提:在ADC前面的模拟多任务器(mux)和传动控制模块。当ADC执行在单通道上时,最高执行速度为10ksps,不过由于是多任务的,因此采样率实际上要除以6。由于ADC使用两级管线式架构,因此每个信道的前两个样本没有用处,可以被丢弃。 

        在工作过程中,第一个通道先被采样三次,在第三次采样结束后,多任务电路马上切换到第二个通道。同样,在第二个通道的第三次采样结束后,多任务电路立即切换回第一个通道。另外,可透过编程ADC频率,让输出数据速率达到6ksps,这样每个信道的采样速率就是1ksps。 

        图7中还增加了致动器控制电路。致动器控制电路可以是驱动两个马达的控制讯号,或是将抖动位移报告给影像处理器的串行通讯总线。如果致动装置是马达,控制讯号可以是重新定位影像传感器的脉宽调变器(PWM)。串行通讯方法可能使用I2C或SPI,将影像传感器偏离原始参考坐标的位移报告给影像处理器。影像处理器再透过改变影像处理器撷取数字照片的影像传感器面积来修正参考坐标的变化。 
 
图7. 完整的影像防震电路。 [/TD][/TR]

 

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computer00| | 2007-9-5 09:53 | 只看该作者

小心片子从板上跳下来,哈哈~~~

真在震动吗?能不能听到呢?

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crazyeda| | 2007-9-5 09:55 | 只看该作者

资料难得,收了!!

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