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BUCK驱动电路的困惑~劳烦各位牛人~

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楼主: kohlgao
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kohlgao|  楼主 | 2011-8-3 14:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
本帖最后由 kohlgao 于 2011-8-3 15:29 编辑

19# huayuguo 1、是的 如果只用这个电路 夜间确实会倒流 后续蓄电池那块还得做处理
2、这个ucc37322的电路是我从一个论文里看的,研究了一下发现有问题,所有才发上来请教~我的理解是12V应该跟前端光耦啊什么的是共参考地的,否则如何识别高低电平。但是如果这么一接就相当于与主电路共了地,相当于mosfet的源级接了地,确实正如18楼nz122911 所说一旦导通,那么输入端得20V就短路了,肯定是不行的。所以我觉得版主maychang 所推荐的芯片很适合我的电路,他推荐的方法,按我的理解,是源级浮地,只要保证导通的时候GS之间是10V以上即可,可能跟那个自举电容有关,这个我还得好好看看~学到很多~得慢慢消化~
  对了这是UCC37322驱动电路图的原件,他用的是321,因为6n137反了一次相~它确实是低边MOSFET驱动芯片,只因为之前对MOEFET驱动理解不到位才没在意

一种UCC37321和6N137组合的带隔离高频功率MOSFET驱动电路.pdf

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maychang| | 2011-8-3 14:27 | 只看该作者
“按我的理解,是源级浮地,只要保证导通的时候GS之间是10V以上即可,可能跟那个自举电容有关”
理解正确。实际上,这种驱动方式中MOS管门极电压是由自举提供的。此芯片是专门设计用来提供高边驱动的。

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-3 14:34 | 只看该作者
本帖最后由 kohlgao 于 2011-8-3 14:45 编辑

22# maychang 明白啦~大致应该是这样~那我就按您给的芯片重新画个图~很感谢您

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-3 14:43 | 只看该作者
18# nz122911 您说的很对,确实因为这个我才到论坛请教的~呵呵~您介绍的那款Ti的芯片我看了下~片子不错但是好像不适合我的设计要求~我需要的片子需要外部输入PWM控制的,这个好像不行~说实话P管N管我都没用过之前,所以不知道深浅~只是因为大部分图都是用的N管~您能说说P管为什么好用吗?谢谢

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nz122911| | 2011-8-3 21:24 | 只看该作者
没注意看,原来IC是个驱动

P管是S极接输入,G极比S极低一个Vth就可以导通
N管S极浮地,基本等于输入,所以G要比S高一个输入+Vth

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-4 14:03 | 只看该作者
25# nz122911 恩 :)感谢关注

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-4 23:05 | 只看该作者
本帖最后由 kohlgao 于 2011-8-6 14:25 编辑

这是我画好的电路图,各位帮我看下有没有什么错误?另外,小弟还有几个问题要请教下各位~~
①自举电容Cboot的取值以什么为标准呢?用非极性的贴片电容是否就可以了?
②齐纳二极管的稳压值是否是10-20V之间即可?
③栅极驱动电阻Rg的取值以什么为标准呢?取多大合适?
④我担心当输出电压(buck的输出)高于12V时,由于IRS2127芯片电压为12V,此时没有压差,无法给自举电容充电,可能会造成占空比上不去,因此加入了次自举二极管和自举电阻接在了输入端,不知道可否?这个自举电阻的取值如何呢?
⑤我看了下IRS2127的数据手册,发现第3页中Voh≈Vbias,这个偏置电压Vbias是什么?是Vbs吗?另外自举电路中Vbs电压与Vgs是怎么联系起来的?我们辛辛苦苦做自举电路不就是为了Vgs吗?没研究明白~请各位大侠指点迷津~谢谢

IRS2127.pdf

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-6 09:34 | 只看该作者
:(米有银?大家帮帮忙~问题多了点~呵呵

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gaohq| | 2011-8-6 09:53 | 只看该作者
自举电容的取值根据驱动电流和驱动时间来取
C*V = I*T

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gaohq| | 2011-8-6 09:55 | 只看该作者
④我担心当输出电压(buck的输出)高于12V时,由于IRS2127芯片电压为12V,此时没有压差,无法给自举电容充电,可能会造成占空比上不去,因此加入了次自举二极管和自举电阻接在了输入端,不知道可否?这个自举电阻的取值如何呢?
-----------------------------
不必

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maychang| | 2011-8-6 10:06 | 只看该作者
24楼:
P沟管仅在某些特定情况下“好用”,你的输入电压输出电压大体上是在特定情况内。但P沟管性能一般不如N沟管且较贵。

27楼:
此图你是如何设计的,总该有个详细说明。
R1及其串联的二极管在此是什么目的?
Rs用在此是什么目的?
输出滤波电容串联了个电阻,那是要干什么?

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nz122911| | 2011-8-6 10:16 | 只看该作者
非极性电容就可以了,容量以MOS的充电电流,上升时间有关
稳压管看MOS的VGS的限值,一般12~15V吧
栅极电阻看EMI情况吧,一般几欧到十几欧
自举这部分没搞过,MOS导通时,S极就是18V,不管输出多少,等待maychang解答

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-6 14:42 | 只看该作者
31# maychang R1及其串联的二极管在此是什么目的?
因为我设计电路的时候参考了一篇飞兆公司的技术文档 非常好:高压栅极驱动器自举电路设计.pdf (1.83 MB)
文档第5页4.1里第二段,我的理解是在某些应用中,比方负载连着蓄电池(我电路的负载确实有12V蓄电池)时,在输入电压加到转换器之前就可能存在了,而我电路中IRS2127驱动芯片的供电电压为12V,蓄电池的电压(也就是buck输出电压)也为12V,此时想给自举电容提供初始电荷可能不太现实。所以,我参考文献的做法,接了这个所谓的次自举二极管和次自举电阻来保证开始阶段自举电容两端有足够的电压差,为其充电。
不知道我的理解对不对~另外文档毕竟是翻译过来的,有些话我不是很明白~比方说文档中第5页最后一句话“为获得最大的效率,应该选择合适的启动电阻值使电流使电流极低,因为电路中通过启动二极管的自举路径是不变的”,这句话的意思是说主要的自举路径还是Rboot和Dboot那条,不能喧宾夺主的意思吗?:P

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-6 15:00 | 只看该作者
31# maychang Rs用在此是什么目的?


同样是飞兆公司的那篇文档。从第6页图17可以看出,Rs在这个电路中,既是自举电阻一部分,又可以作为栅极导通和关闭电阻。但是,说实话,我觉得要不要均可,所以PCB中想留个口,备用。
另外,我倒觉得飞兆文档图18中的箝位二极管,可有效防止Vs过冲到GND以下,这个管应该加上。

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-6 15:04 | 只看该作者
29# gaohq 恩~谢谢

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-7 14:11 | 只看该作者
:PUPUPUP

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kohlgao|  楼主 | 2011-8-10 09:04 | 只看该作者
:)

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durenlong| | 2011-8-18 21:26 | 只看该作者
用pc817 隔离 然后让mos管于芯片共地放到下面 sgnd 和gnd

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1ewqeqweq| | 2011-9-19 10:51 | 只看该作者
我正迷惑这事呢 是不是应该用隔离后的12V电源给UCC37322供电 然后将芯片上AGND和PGND与隔离后的电源地接到一起 无氧铜棒也就是源极接到一起

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