（解决问题200元）全控桥控制电机正反转。

发表于 2018-8-21 14:22

用四个大功率的MOS管达成H电路就好了。另外你的可控硅符号画的不对，K极位置画反了。

发表于 2018-8-21 14:31

lysfht123 发表于 2018-8-14 14:11
程序中关闭信号后，延时了100MS，相当于两个周期。可控硅不是MOSFET，不需要给栅极电容充电。 ...

这个不是充电，而是可控硅的关闭特性决定的

发表于 2018-8-21 14:33

皈依发表于 2018-8-16 10:58
第一个问题楼上有人解答了：光耦控制可控硅需要过零，也就是可控硅关断是在零点的时候关的，而不是跟着三极 ...

MCU端口串电阻，上拉或下拉后，用三极管OC控制光隔

发表于 2018-8-31 16:18

皈依发表于 2018-8-16 10:58
第一个问题楼上有人解答了：光耦控制可控硅需要过零，也就是可控硅关断是在零点的时候关的，而不是跟着三极 ...

你说的又道理，过零电路有的。只是没截取，主要问题是MCU的地和光耦共地，引起的干扰。我又引入了一组电源并且将8个MCO3052用光耦隔离，问题解决。电路板还在路上，等回来了，测试一下，没问题就总结结贴了。

发表于 2018-8-31 16:19

liuxianzhong 发表于 2018-8-21 14:22
用四个大功率的MOS管达成H电路就好了。另外你的可控硅符号画的不对，K极位置画反了。 ...

H桥是下一步要做的。不过成本有点高。

发表于 2018-8-31 16:21

nbsmaps 发表于 2018-8-21 14:33
MCU端口串电阻，上拉或下拉后，用三极管OC控制光隔

MOC3052和单片机之间加上光耦，再多一组独立电源专门控制MOC3052，问题完美解决。主要还是单片机和MOC3052引起了干扰，示波器上就能看到。

@皈依 · 发表于 2018-9-1 10:26

lysfht123 发表于 2018-8-31 16:18
你说的又道理，过零电路有的。只是没截取，主要问题是MCU的地和光耦共地，引起的干扰。我又引入了一组电 ...

哦楼主的意思是干扰导致了可控硅非正常关断和开启从而短路？

发表于 2018-9-29 19:30

皈依发表于 2018-9-1 10:26
哦楼主的意思是干扰导致了可控硅非正常关断和开启从而短路？

我用的电磁珠。

发表于 2018-9-29 19:41

总结：由于是公司产品，所以不能分享所有电路图，就说说出现的问题。主要还是GND有干扰。12V的GND 5V的GND共地，单片机和八个可控的硅驱动电路共GND，导致的干扰。
解决方法的三个个步奏（1）：多加了一组电源+12V，作为可控硅驱动电路转用，前端由光耦隔离。（2）12V和5V的GND用电磁珠串联。（3）使用STM32F030R8T6
（由5V经AMS1117-3.3转换电源3.3V），上电STM32F030的IO端口设定为高组态并锁定，杜绝了上电短路的问题。----以上为解决的方法。

发表于 2018-9-30 08:31

lysfht123 发表于 2018-9-29 19:41
总结：由于是公司产品，所以不能分享所有电路图，就说说出现的问题。主要还是GND有干扰。12V的GND 5V的GND ...

恭喜老铁问题解决~

（解决问题200元）全控桥控制电机正反转。

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