本帖最后由 芯圣电子官方QQ 于 2023-7-25 10:37 编辑
//PORTB1 上拉输出 高电平
//PORTB0 上拉输入 高电平(KEY)
一个简单的应用， PORTB0电平发生一次变化，则PORTB1输出一个2S的低电平，其余时刻休眠。
但是发现一个问题：
PORTB0由高然后直接接GND（接触良好），有一定概率触发两次中断，即PORTB1输出4S的低电平。
PORTB0由低然后高，没有问题，即PORTB1输出2S的低电平。
1.现在的方案是中断中增加1S延时，DelayMs(100);//1S @1Mhz 4T ，能够保证两次触发的最小间隔变成1S。但是还是存在一次电平变化，进两次中断的问题，只不过中间会加1S的延时。
2.尝试过进中断关总中断，也不好用。
void Intr(void) __interrupt 0
{
GIE=0;
if(PBIF)
{
PBIF=0;
PORTB1=0;
DelayMs(200);//2S @1Mhz 4T
PORTB1=1;
DelayMs(100);//1S @1Mhz 4T
GIE=1;
}
}
3.PORTB0使能了施密特触发器。
OTP型单片机不方便实际验证，求大神指教指教，谢谢。
以下是程序：
#include <sq013l.h>
#include "holychip_define.h"
#include "inital.h"
#include "subroutine.h"
//15mA@3.3V 32mA@5V仿真的板子
//PORTB1 上拉输出 高电平
//PORTB0 上拉输入 高电平(KEY)
void inital(void)
{
PORTB=0X03; //PORT口输出高低电平设置 1=高电平，0=低电平
TRISB=0X01; //输入输出设置 1=输入，0=输出
PHCON =0XFC; //上拉设置 1=DISABLED PULL-UP ;0=PULL-UP
PDCON =0XFF; //下拉设置 1=DISABLED PULL-DOWN ;0=PULL-DOWN
ODCON =0X00; //开漏设置 0=DISABLED OD ;1=OD
}
void sysinitial(void)
{
INTECON=0x00; //关闭所有中断
OPTION=0X80; //Ftimer0 1/2
PCON=0X00; //关闭WD 外部中断
}
void PORTB_interrupt_inital()
{
IOCB=0X01; //使能PORTB0端口为电平变化中断
PBIF=0; // PROTB中断请求标志清零,PBIF：端口电平变化中断使能位
PBIE=1; //使能PROTB中断,PBIE：端口电平变化中断使能位
GIE=1; //使能总中断
}
void main()
{
inital(); //端口初始化
DelayMs(10); //延时等待系统稳定
sysinitial(); //系统初始化
PORTB_interrupt_inital();
while(1)
{
asm(sleep)
}
}
//*****************************PORTB中断服务程序*****************************
void Intr(void) __interrupt 0
{ DelayMs(10); //发现加了这句后，好用了，是不是因从休眠到中断唤醒，系统不稳定？？？求官方指导，有关SQ013L休眠方面的资料很少。
PBIE=0;
if(PBIF) //PBIF只要有电平变化中断就会变成1，只不过只有PBIE=1的时候才能进中断。
{
PBIF=0;
PORTB1=0;
DelayMs(200);//2S @1Mhz 4T
PORTB1=1;
DelayMs(100);//1S @1Mhz 4T//此句可以去掉了。
PBIE=1;
}
}
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