是你让我看透生命这东西四个字 **到底

只看该作者 · 2008-6-25 22:36

这是一个电流串联负反馈电路。
电阻Re被电容C3短路（因为C3的容抗很小）因此对于交流信号而言没有负反馈作用；但是对于直流信号而言，C3等效为开路，因此Re对直流信号（或称为缓变信号）有负反馈作用。
电阻R1对交流信号、直流信号都有负反馈作用。不过R1主要是对交流信号起负反馈作用。对于直流信号由于Re比R1大的多，因此Re起主要作用。
这里的“交流信号”是指信号源的频率而言的。

只看该作者 · 2008-6-25 23:33

只看该作者 · 2008-6-25 23:39

只看该作者 · 2008-6-25 23:48

看来这还是一个金属壳封装的管子呢

只看该作者 · 2008-6-25 23:50

看来一次只能发一个图片阿，哈哈

只看该作者 · 2008-6-26 00:13

Vcbo:发射极开路，集电极—基极击穿电压。请大家注意：这里的反向击穿电压实际上是指集电结的反向击穿电压；即，集电极为+，基极为-,而发射极开路时的最高电压。手册上说2N2222的这个参数是75V。

只看该作者 · 2008-6-26 00:26

Vceo：是指当基极开路时，集电极与发射极之间的击穿电压（集电极为+，发射极为-，这是对于NPN型晶体管来说的）。实际上在这种情况下，集电结是被反向偏压的，而发射结是被正向偏压的。Vceo一般小于Vcbo,手册上说2N2222的Vceo为40V。看来是比其Vcbo(75V)要低许多阿，哈哈.....
所谓的“开路”是指导体与外界的断开（没有导体之间的接触）；所谓“短路”是指导体与其它导体的紧密连接（大家认同否？）。

只看该作者 · 2008-6-26 00:39

Vebo:这个是集电极开路时，发射极与基极之间的击穿电压。
请大家注意：Veb这样的写法已经说明了电压的方向了（是由发射极e指向基极b,即发射极为+，而基极为-）这个电压对于发射结来说显然是个反向电压阿，哈哈.....。
超过击穿电压会如何？当然是击穿了，会引起很大的电流的（如果电源能提供的话）还有可能将管子烧毁哦。
手册上说2N2222的Vebo为6V。看来不高啊，哈哈

只看该作者 · 2008-6-26 00:44

Ic:这个Ic是指晶体管允许长时间通过的集电极电流（直流）的最大值（大家可否认同？）。2N2222的为0.6A。

只看该作者 · 2008-6-26 00:54

Icm: Collector Peak Current (tp < 5 ms)
上面这段英文俺的理解是这样的：集电极最大允许峰值电流（时间不超过5毫秒）。
大家说俺翻译的对不？俺英语很差劲的。
“Icm”俺想大家应该理解这个参数的含义了吧。2N2222的为0.8A,嘿嘿
俺还是喜欢汉字阿，哈哈.....

只看该作者 · 2008-6-26 01:02

这个参数俺有点拿不准。
Ptot：晶体管的总功率耗散（或者说功率）。它是在晶体管的结温（或者说是晶体管的体温）小于或等于25摄氏度的条件下给出的。对于2N2222来说是0.5W。

只看该作者 · 2008-6-26 01:09

Tstg: 晶体管的储藏温度。2N2222为-65~175度
Tj:晶体管的最高工作温度。2N2222为75度
如有错误请大家批评指正，哈哈

只看该作者 · 2008-6-26 21:44

只看该作者 · 2008-6-26 22:28

我用的是MAX9600的芯片，四路输出，两路是高电平输出，两路是低电平输出．目前只用了低电平输出．现在为了消出高电平的影响，如何处理才好呢．目前我查到的一些就是高电平输出接一电阻在接正电平，以便消除反馈对低电平的干扰．不知道这样对电路的处理会有影响吗？

只看该作者 · 2008-6-27 12:48

搬个凳子好好学习

希望帖子能继续下去，有很多人都期待楼主继续深入，谢谢了！

只看该作者 · 2008-6-27 12:49

MAX9600是一个ECL输出的高速电压比较器。
请问老师是怎样应用的呢？

只看该作者 · 2008-6-27 12:54

俺将尽力的把这个楼盖好。虽然俺的水平不咋样，但是俺会尽力而为。
欢迎大家多批评、指教。
我们的口号是：共同学习，一起进步！
错了没关系，改了就是好人！嘿嘿

只看该作者 · 2008-6-27 13:16

这个学期刚学了模电，学的还算可以，看了LZ的帖子感觉理解更加透彻了，感谢感谢

只看该作者 · 2008-6-27 22:10

这两个参数的单位是：摄氏度/瓦
也就是说在单位功率时晶体管的温升。显然它是与晶体管的封装形式、有没有加散热片等因素有关的。

只看该作者 · 2008-6-27 22:21

这是晶体管的集电极—发射极之间的直流饱和压降。它是在一定的条件下给出的，例如：
Ic=150mA ；Ib=15mA；Vce(sat)=0.3V(最大值）
又如：
Ic=500mA ；Ib=50mA；Vce(sat)=1V(最大值）

Ic：集电极直流电流；Ib：基极直流电流
显然在上述参数测试条件下，直流放大倍数=Ic/Ib=10(倍）。
说明：以上测试参数针对2N2222

是你让我看透生命这东西 四个字 **到底

黑夜渐渐深，如果你还没有睡.....俺来分析一下

基本放大电路的频率响应

在讨论频率响应之前，先把2N2222的主要参数做下说明

这是2N2222的外形及引脚图

补上外形图

晶体管的极限参数之Vcbo

晶体管的极限参数之Vceo

晶体管的极限参数之Vebo

晶体管的极限参数之Ic

晶体管的极限参数之Icm

晶体管的极限参数之Ptot

晶体管的极限参数之Tstg和Tj

更正：52楼的Tj应该是175度（2N2222）

如何消除芯片不用的输出对电路的影响

感谢楼主好人，分析的这么详细

LS的老师能不能把电路图发个看看呢？

to 55楼：大家都是好人

re

晶体管的热参数（热阻系数）Rthj-case；Rthj-amb

晶体管参数之Vce(sat)

涓涓之细流

是你让我看透生命这东西四个字 **到底