Nmos高速开关时候栅极电阻选择对mos开关时间的影响

发表于 2018-12-14 11:49

冰镇肥宅水发表于 2018-12-13 22:13
您的LM5134输出PWM方波导致电容充电电使得波形变形了吧，这个是我一个新手的看法，不对之处还望大家指教， ...

这个方波输出的时候，示波器测试正常的。但是经过那个电阻不正常了。那个300pF的电容是没有贴的。因为我看有人说贴电容可以加速。实际没效果所以没贴。只贴了电阻。

发表于 2018-12-14 19:47

maychang 发表于 2018-12-3 15:03
“为啥好多地方写着100欧更合适呢？”
此处加入电阻，就是为了让MOS管漏极电流上升下降变得缓慢一些，以 ...

前辈，您好！“此处加入电阻，就是为了让MOS管漏极电流上升下降变得缓慢一些，以使MOS漏极电流对外部的干扰不要太大” 这样实现的原理是什么呢？（是三极管的话我还理解，因为增加电阻，可以减小基级电流，从而减小集电极电流，但是MOS管完全不是这个机理啊）

另外，我的理解是：增加栅极电阻，不是会减缓波形的上升和下降吗？

万分感谢！

发表于 2018-12-14 19:52

xiaxingxing 发表于 2018-12-14 19:47
前辈，您好！“此处加入电阻，就是为了让MOS管漏极电流上升下降变得缓慢一些，以使MOS漏极电流对外部的干 ...

MOS管输入电容相当大(电原理图并不画出来)，串入电阻，该电阻将使MOS管输入电容充电和放电都比没有电阻时缓慢一些(实际上就是一个一阶低通)。所以说，串入电阻后MOS管漏极电流上升下降会缓慢一些。

“我的理解是：增加栅极电阻，不是会减缓波形的上升和下降吗？”
这个理解完全正确。

发表于 2018-12-27 21:32

你这开关速度要求太高了，5134Tdon都40ns了，Tdoff 25ns，估计对你这 ns级别的脉宽表现不稳定，尤其带载之后。
你这要求那么高，最小化系统之后确认，把MOS管去掉看看输出。从手册看你这输出应该是负脉冲，，怎么驱动Nmos ?
另外，mos驱动的G-S取驱动信号的相对电势，你现在的S和GND串个1K电阻干啥的。。。
纯粹小兵乱说。

发表于 2019-2-13 16:00

一无所知的一修发表于 2018-12-27 21:32
你这开关速度要求太高了，5134Tdon都40ns了，Tdoff 25ns，估计对你这 ns级别的脉宽表现不稳定，尤其带载之 ...

是没啥用我已经换了spdt 几乎2ns的速度就搞定了。mos方案我搞不定

发表于 2019-2-13 16:25

一无所知的一修发表于 2018-12-27 21:32
你这开关速度要求太高了，5134Tdon都40ns了，Tdoff 25ns，估计对你这 ns级别的脉宽表现不稳定，尤其带载之 ...

感觉这电路也是醉了 NMOS当PMOS用

要求这么高的开关速度，5134也是擦边

发表于 2019-2-13 16:41

如果是图腾柱驱动，栅极下拉电阻可不要，但栅极完全不串电阻，可能会有振铃。

Nmos高速开关时候栅极电阻选择对mos开关时间的影响

浏览过的版块

技术奇才奖章

以坛为家

晶莹之水滴

技术新星奖章

偶尔光临

涓涓之细流