晶振串并电阻做什么用

发表于 2011-11-17 18:33

并的那个电阻是为了给里面的反向器提供基极偏置电压和微弱的偏置电流，为了不影响晶振的Q值一般这个阻值很大，一般1M以上。。。。LZ的图里是12M。。。。还有那个2M的电阻并未串进振荡电路部分。。。。。
如果10M电阻的两端接X1,X2；2M电阻直接串在晶振上，那才算是串进了振荡部分。。。。。
振荡部分的驱动只是反馈里的10M相对12M分压。。。不过没这么干过。。得做试验才行。。。。

发表于 2011-11-17 20:19

学习了

发表于 2011-11-17 21:04

并的那个电阻帮助和稳定晶体起振，串的那个电阻应是衰减输出幅度，但最好在几百欧姆内，较稳定

发表于 2011-11-19 15:11

串联电阻是为了线路阻抗匹配

发表于 2011-11-21 18:21

:time:

发表于 2012-6-17 10:43

学习了 MARK

发表于 2012-6-18 08:19

串的太大了吧？！

发表于 2012-7-24 08:41

不错，今天我也长见识了。学习了

发表于 2012-7-24 11:08

以前都是按照推荐电路来做的，真没想过这个问题。
串的电阻阻值确实高了，调试的时候估计得换。

发表于 2012-7-24 11:24

串电阻是降低驱动功率，避免过激励，并电阻是为了帮助起振，串的电阻一般都是百欧姆级，并的一般都上M，很怀疑楼主这个电路是否能正常工作。
NE5532 发表于 2011-11-17 17:38

串电阻对降低功耗和对外辐射也有好处。

发表于 2019-5-25 10:36

o~wu~厉害了

发表于 2019-5-26 19:02

本帖最后由 gmchen 于 2019-5-26 19:04 编辑

楼主这个电路应该是某个CMOS工艺的单片机之类芯片的时钟部分。
通常在芯片内部是一个CMOS反相器，外面的电阻提供负反馈使得该反相器变成一个高增益放大器，然后驱动外部晶体振荡，电容和并联的电阻就是为了构成这个振荡电路。
串联的电阻确实是防止过驱动的。要注意到该电路采用的是32768Hz的手表晶体，这种晶体是一个音叉结构的晶体，通常工作电压很低（在手表内是1.5V），而单片机的电压一般在5V左右，直接驱动就会发生过驱动，导致音叉结构的晶体碎裂，所以串联电阻。由于CMOS芯片的高输入阻抗，即使这个电阻较大也不会影响CMOS电路的正常工作。

发表于 2019-5-27 09:53

串联电阻，在过辐射超标时，晶振倍频超标，串电阻确实是有一定效果的，但不须要串这么大，一般几百个欧姆就可以了。

晶振串并电阻做什么用

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