《中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库》

1万 · 2011-10-19 06:46

本帖最后由 Cortex-M0 于 2011-10-19 06:49 编辑

一、简介
自从上次编写了中颖单片机C51定点库、浮点库专用运算库函数，再接再励，完善中颖单片机通用库函数，特编写了《中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库》，适于于中颖SH79/88/89系列对片内FLASH、类EEPROM 的读出和写入，完善对中颖单片机的技术支持。

二、中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库清单

/***************************************************************************************
Model  : flash-sh88f51.h
Description : Head file of defining global variable.
Author  : CLR
Create Time : 2011-10-19
Version ID  : 1.5
用  途    ：中颖SH79/88/89F51系列MCU
作  者    ：许意义
21ic  ID ：LAOXU
中颖论坛 : bbs.21ic.com
****************************************************************************************/

#ifndef  _FLASH_SH88F51_H
#define  _FLASH_SH88F51_H

#pragma  MODDP2    // 打开中颖单片机双DPTR功能，加速数据传送
//#pragma  NOMODDP2 // 关闭中颖单片机双DPTR功能

/*--------------------------------------------------------------------------------------*/
/*    Resource - FLASH_SH88F51.asm          */
/*--------------------------------------------------------------------------------------*/

extern  uint8  read_eeprom_u8 (uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出char型变量
extern  uint16 read_eeprom_u16(uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出int型变量
extern  uint32 read_eeprom_u32(uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出long型变量
extern void read_eeprom_str(uint16 u16_addr, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从eeprom/flash中读出字符串, 存储在char*指向的RAM中
extern void erase_eeprom(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_FAC);          // 擦除eeprom/flash的指定页
extern bit write_eeprom_u8 (uint8  u8_data,  uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将char型变量写入指定的eeprom/flash中
extern bit write_eeprom_u16(uint16 u16_data, uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将int型变量写入指定的eeprom/flash中
extern  bit write_eeprom_u32(uint32 u32_data, uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将long型变量写入指定的eeprom/flash中
extern  bit write_eeprom_str(uint16 u16_addr, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 将char*指向的字符串写入指定的eeprom/flash中
extern bit  read_eeprom_like(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
extern bit write_eeprom_like(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
                                             // 入口要求: u8_FAC=1 指定eeprom时，u8_len > 1；u8_FAC=0 指定flash时，u8_len > 4
                                             // 返回:  C=0 --> 读写成功，C=1 --> u8_len长度不符规定或末成功写入

/* 中颖单片机EEPROM或FLASH数据读出/写入库内部调用函数
extern void read_rom_dptr1(int16 u16_DPTR1);       // 从@DPTR1中读出1byte EEPROM或FLASH数据(其FAC位已预设定)送ACC, DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_1(uint8  u8_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和char型变量相比较，DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_2(uint16 u16_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和 int型变量相比较，DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_4(uint32 u32_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和long型变量相比较，DPTR1++
extern void write_rom_dptr1(int8 u8_ACC);       // 将ACC中数据写入@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中(其FAC位已预设定),DPTR1++
extern void write_eeprom_1(uint8  u8_data)          // 将char型变量写入指定的eeprom/flash中
extern void write_eeprom_2(uint16 u16_data)       // 将 int型变量写入指定的eeprom/flash中
extern void write_eeprom_4(uint32 u32_data)       // 将long型变量写入指定的eeprom/flash中
extern bit check_eeprom_null(uint8 u8_len);       // 检查当前写入页中，len长度的空间是否为空 null
extern bit locate_eeprom(uint8 u8_eeprom_count_len); // 寻找index当前写入页中，是否有len长度的空间充许写入
*/

#endif

三、便用说明
只需要在编译程序过程中，加入《中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库》----FLASH-SH88F51.LIB，其他什么事都不用干！在编译过程中实现自动插入，无缝嵌入。

四、友情提示
本《中颖FLASH、类EEPROM 专用读写库》，仅适用于中颖SH79/88/89系列单片机，其他51单片机并不适用，由于Keil C51不支持中颖51单片机的软件仿真，所以必须要用中颖51单片机的硬件仿真或依靠中颖51单片机的实时运行，读写结果才能正确。

1万 · 2011-10-19 06:50

FLASH-SH88F51.rar (5.2 KB)

只看该作者 · 2011-10-19 06:54

1# Cortex-M0

谢谢分享，手头sh88f4051上的INT2用不起来，按手册设置就是不行？:Q

1万 · 2011-10-19 07:11

给个中断初始化程序

void init(void)
{ TCON1 |= Bin(00000100); // 设置系统时钟不分频作为T0的时钟源
  TMOD  |= Bin(00000001);    // 设定T0的工作模式为1, 16位向上计数计数器/定时器，
  TL0 = LO_BYTE(Tsmp_T0); // 装入T0定时器的初值, T0 16位向上计数计数器/定时器,
  TH0 = HI_BYTE(Tsmp_T0); // 使用片内16.6MHz片内RC振荡器, 不分频，自由运行，延时约3.95ms
#if(BaudRate_Tx == 0)
  T2MOD  = Bin(00000000); // 设置系统时钟12分频作为T2的时钟源
  T2CON  = Bin(00000000); // 设置T2为16位带重载功能的定时器
  TL2 = RCAP2L = LO_BYTE(Tsmp_T2); // 装入T2定时器的初值, 延时100us
  TH2 = RCAP2H = HI_BYTE(Tsmp_T2); // 16位自动重装入, 使用片内16.6MHz片内RC振荡器, 12分频
#else
//TCON1  = Bin(00000000); // 设置系统时钟12分频作为T1的时钟源
  TMOD  |= Bin(00100000);    // 设定T1的工作模式为2, 8位自动重载向上计数定时器
  TL1 = Tsmp_T1;          // 装入T1定时器的初值, 延时100us
  TH1 = Tsmp_T1;          // 8位自动重装入, 使用片内16.6MHz片内RC振荡器, 12分频
#endif

  ADCH = Bin(11111011);    // 配置通道CH[7:0]为ADC输入口,（INT2为中断口）
  ADT = Bin(11000000);    // TADC[2:0]=111：ADC时钟周期tAD = 32 tSYS,
                           // TS[3:0]=0111; 采样时间= (TS [3:0]+1) * tAD = 8 * tAD
         // 总共转换时间= 12tAD + 采样时间 = 20 * tAD = 38.6us
  ADCON  = Bin(10000000);    // 允许ADC模块
  PWMD = 0x00;
  PWMP = 0xff;
  PWMCON = Bin(10110001);    // 设置 PWM 输出
  IT0 = 1;                // INT0 下降沿触发方式
  IT1 = 1;                // INT1 下降沿触发方式
  EXF0 = Bin(00000100); // INT2 下降沿触发方式
//PSL = 0;    // 设置串口为低级中断
//PT0L = 0;    // 设置 T0定时器为低级中断
  PX0L = 1;    // 设置 INT0为高级中断
  PX1L = 1;                // 设置 INT1为高级中断
  IPL1 |= Bin(00100100); // 设置 PPWML为高级中断, 设置 INT2为高级中断
  IEN1  |= Bin(00100100);    // PWM 允许中断, INT2 允许中断,  *****
  EX0 = 1;                // INT0 充许中断
  EX1 = 1;                // INT1 充许中断
  ET0 = 1;                // 定时器0 允许中断
  TR0 = 1;    // 启动定时器0
  EADC = 1;    // ADC 允许中断

#if(BaudRate_Tx == 0)
  PT2L  = 1;    // 设置 T2定时器为高级中断
  ET2 = 1;                // 定时器2 允许中断
  TR2 = 1;                // 启动定时器2
#else
  PT1L = 1;    // 设置 T1定时器为高级中断
  ET1 = 1;                // 定时器1 允许中断
  TR1 = 1;                // 启动定时器1
#endif
  EA    = 1;                // 开中断
}

1万 · 2011-10-19 07:14

INT2关键几个REG 设置如下，还有一点，用INT2 时不能用JTAG仿真！因为端口有冲突。

EXF0 = Bin(00000100); // INT2 下降沿触发方式
IPL1 |= Bin(00100100); // 设置 PPWML为高级中断, 设置 INT2为高级中断
IEN1 |= Bin(00100100); // PWM 允许中断, INT2 允许中断, *****

只看该作者 · 2011-10-19 16:27

5# Cortex-M0

谢谢您的帮助!

1万 · 2011-10-21 16:08

最新更新，带全部源程序~~~

/***************************************************************************************
Model : flash-sh88f51.h
Description : Head file of defining global variable.
Author : CLR
Create Time : 2011-10-19
Version ID  : 1.5

用  途    ：中颖SH79/88/89F51系列MCU
作  者    ：许意义
21ic  ID ：LAOXU
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#ifndef _FLASH_SH88F51_H
#define _FLASH_SH88F51_H

#pragma  MODDP2    // 打开中颖单片机双DPTR功能，加速数据传送
//#pragma  NOMODDP2    // 关闭中颖单片机双DPTR功能

/*--------------------------------------------------------------------------------------*/
/* Resource - FLASH_SH88F51.asm */
/*--------------------------------------------------------------------------------------*/

extern  uint8  read_eeprom_u8 (uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出char型变量
extern  uint16 read_eeprom_u16(uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出int型变量
extern  uint32 read_eeprom_u32(uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);    // 从指定的eeprom/flash地址中读出long型变量
extern bit write_eeprom_u8 (uint8  u8_data,  uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将char型变量写入指定的eeprom/flash中
extern bit write_eeprom_u16(uint16 u16_data, uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将int型变量写入指定的eeprom/flash中
extern  bit write_eeprom_u32(uint32 u32_data, uint16 u16_addr, uint8 u8_FAC);  // 将long型变量写入指定的eeprom/flash中
extern  bit write_eeprom_str(uint16 u16_addr, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 将char*指向的字符串写入指定的eeprom/flash中
extern void read_eeprom_str(uint16 u16_addr, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从eeprom/flash中读出字符串, 存储在char*指向的RAM中

/*--------------------------------------------------------------------------------------*/
/* 下面为中颖标准型号FLASH(page=1k)读写专用 */
/*--------------------------------------------------------------------------------------*/

extern void erase_eeprom(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_FAC);  // 擦除eeprom/flash的指定页，要求page连续送两遍，以提高抗干扰性(注：适用标准型号flash page=1k)

extern bit  read_eeprom_like(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
extern bit write_eeprom_like(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
                                             // 入口要求: u8_FAC=1 指定eeprom时，u8_len > 1；u8_FAC=0 指定flash时，u8_len > 4 (注：适用标准型号flash page=1k)
         // 返回:  C=0 --> 读写成功，C=1 --> u8_len长度不符规定或末成功写入

/*--------------------------------------------------------------------------------------*/
/* 下面为中颖老型号FLASH(page=2k)读写专用         */
/*--------------------------------------------------------------------------------------*/

extern void erase_eeprom2(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_FAC); // 擦除eeprom/flash的指定页，要求page连续送两遍，以提高抗干扰性(注：适用老型号flash page=2k)
extern bit  read_eeprom_like2(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
extern bit write_eeprom_like2(uint8 u8_XPAGE, uint8 u8_len, uint8 *u8_data, uint8 u8_FAC); // 从指定页循环使用的eeprom/flash空间内，读出长度为u8_LEN的字符串
                                             // 入口要求: u8_FAC=1 指定eeprom时，u8_len > 1；u8_FAC=0 指定flash时，u8_len > 8 (注：适用老型号flash page=2k)
         // 返回:  C=0 --> 读写成功，C=1 --> u8_len长度不符规定或末成功写入

/* 中颖单片机EEPROM或FLASH数据读出/写入库内部调用函数
extern void read_rom_dptr1(int16 u16_DPTR1);       // 从@DPTR1中读出1byte EEPROM或FLASH数据(其FAC位已预设定)送ACC, DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_1(uint8  u8_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和char型变量相比较，DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_2(uint16 u16_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和 int型变量相比较，DPTR1++
extern bit  cmp_eeprom_4(uint32 u32_data);          // 将@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中内容读出, 和long型变量相比较，DPTR1++
extern void write_rom_dptr1(int8 u8_ACC);          // 将ACC中数据写入@DPTR1指定的EEPROM或FLASH中(其FAC位已预设定),DPTR1++
extern void write_eeprom_1(uint8  u8_data)          // 将char型变量写入指定的eeprom/flash中
extern void write_eeprom_2(uint16 u16_data)       // 将 int型变量写入指定的eeprom/flash中
extern void write_eeprom_4(uint32 u32_data)       // 将long型变量写入指定的eeprom/flash中
extern bit check_eeprom_null(uint8 u8_len);       // 检查当前写入页中，len长度的空间是否为空 null
extern bit locate_eeprom(uint8 u8_eeprom_count_len); // 寻找index当前写入页中，是否有len长度的空间充许写入
*/

#endif