并行高密度电法发射系统的主控单元与传统电法仪器相比,具有很大的创新性。传统
电法仪多采用PC 104工控机作为主控单元或选用_51单片机作主控芯片,PC工控机集成
度高,底层控制实现较难,且易于受环境因素影响,稳定性高的工业级工控机价格又很难
让人接受。而_51类单片机是CISC(集中指令)结构,运行速度较慢,且IO口驱动能力
较弱。故本设计摒弃传统仪器的控制模式,由CPU, FPGA和温补晶振组成控制模块,完
成对操作命令的解译执行、产生发射波形驱动信号、控制电流采样并保存数据、控制接收
机同步采集数据和接收并存储采集数据等功能。
本设计选择ARM+FPGA双核模式作为主控单元的控制方式,其中ARM芯片运算速
度快,外设丰富,体积小,功耗低,价格便宜,市场通用率高,更易于采购。FPGA为高
速CMOS工艺,功耗低,并可兼容CMOS, TTL电平,芯片具有大量的触发器和快速响
应的I/O引脚,使用硬件描述语言和并行运算的方式来实现快速原型设计和验证,使用非
常灵活。
主控单元的ARM芯片选用意法半导体公司的STM32F407系列芯片,该系列芯片的
特点是:外设资源丰富,具有极高的集成度,优异的实时性能和较低的开发成本。本设计
选用该系列芯片中的STM32F407ZET6作为主控芯片,该芯片采用先进的Cortex-M4内核,
增强的DSP处理指令,具有上兆的片上FLASH、上百字节的内嵌SRAM和灵活的外部
灵活的静态存储控制器接口(FSMC ),系统运行速度最高可到168MHz。此外该芯片具有
丰富的高级外设资源,其中系统外设包括114个通用IO口,通信互联外设包括SPI接口、
I2C接口、USB接口、CAN总线接口、SDIO接口、6个通用同步异步串口,控制外设包
括多个高级定时器、通用定时器、基本定时器,该芯片还具有嵌套的向量中断控制器
(NVIC)、浮点运算单元(FPU), 16通道直接存储器访问控制器(DMA )。这些丰富的
外设资源正是本设计选择其作为主控芯片的重要原因。如图3.2所示为主控芯片电路设计
原理图。
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