本帖最后由 tianxj01 于 2019-5-7 11:31 编辑
肯定的，对于高压大功率MOS管，由于2并联MOS管开启电压不同，事实上，在高的VDS跃迁过程中，会首先出现由只是其中一个主导的米勒平台，该段时间，栅极电压是不会变化的，也就是只要一个启动了米勒平台，另一个管子就等待中，仍等于关闭，米勒平台结束，则VDS变成低电平，栅极电压再次上升，直到另一个MOS管开启。
关闭过程正好相反，开启电压高的MOS管，先启动米勒平台，然后开启电压低的管子在后面静默关闭。
过程已经给你描述完了，缺陷也太明显了，那就是，在事实上的主开关工作的下降沿，只由一个管子承担全部的瞬态过程，而关闭过程却由另外一个管子承受。
另外，对于正常的反激正激而言，开启损耗都是很小的，而实际上，2种线路关闭损耗都是非常大的，2个并联，其实只分担了正常导通后的平顶部分也即导通段损耗，而没有分担关闭损耗。
在MOS管一个周期的工作过程中，恰恰各种应力、损耗、耐压什么的都是这个阶段最凶险，由一个管子来担当，肯定比用正常2倍参数的管子要大很多很多。
只是简单的理解了，MOS管导通的电阻性，正温度系数特性，就敢在高压mos管工作时候进行并联，不是爱好者设计的又是什么呢？
对于这个设计，最大的毛病还在于，辅助线圈磁复位的正激线路，由于其简单，成本低，在小功率应用确实有一定的优势，但是箝位电压高，2倍的干线电压，按照电网瞬变可能，我们一般用270VAC作为最高可能输了电压设计，则270*1.41=380.7V，所以必须采用761.4V以上的MOS管，为安全计一般会设计采用900V的管子，而900V高压大功率mos由于工艺限制，性价比都低于500-600的。大功率更是很少采用。
这里如果采用2个200-230mΩ500V的管子做双管正激（一般的18N50参数），封装甚至可以用到TO220F,轻轻松松出500多瓦的输出功率。MOS管采购还能省下好几元，足够弥补采用变压器驱动带来的器件增加成本还有余。
更何况，双管正激，在设计没问题条件下，拓扑的鲁棒性不是单管正激可以比拟的，对于所有DC隔离拓扑而言，双管正激是最耐操的拓扑，没有之一。
成本高，管子应力大，容易坏，这样的设计你说还有什么优点？
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