关于三极管的疑问

只看该作者 · 2019-7-18 11:02

xukun978 发表于 2019-7-18 09:30
解铃还须系铃人，不知道结论是什么意思，就看推导过程！
如下图所示，这是【共基】等效电路的漏电流表示 ...

谢谢前辈，这个推导就很清楚了，alpha这个参数已经很少有人提起了。

只看该作者 · 2019-7-18 11:33

liumangyang 发表于 2019-7-18 11:02
谢谢前辈，这个推导就很清楚了，alpha这个参数已经很少有人提起了。

这个不是很少有人提的事，而是你局限于大二的模电教材导致的。

定量分析有源电路，分析精确度取决于所用有源器件的模型精度，而大二模电对三极管介绍的太少了，很多人光知道个简化版的混合pi模型，而且错误的乱套乱用这个模型，甚至错误的因为IC=beta*IB，就说它本质上是流控器件，MOS是压控器件，这是片面的。

只看该作者 · 2019-7-18 11:42

诚恳！发射结正偏，发射区的多数载流子扩散到基区，身份转变为基区的少数载流子，但是高浓度。集电结反偏，基区的高浓度少数载流子漂移到集电区，身份恢复为集电区的多数载流子......至于模电常用语“放大”，其实叫做“线性比例”更恰当一些。

只看该作者 · 2019-7-18 12:02

xukun978 发表于 2019-7-18 11:33
这个不是很少有人提的事，而是你局限于大二的模电教材导致的。

定量分析有源电路，分析精确度取决于所用 ...

所言极是，惭愧啊，看书太少。

2万 · 2019-7-18 12:20

liumangyang 发表于 2019-7-18 12:02
所言极是，惭愧啊，看书太少。

你看那个模型，不就是

“Iceo”可视为对基区的一种电流输入（以NPN论）。

而“Iceo”则为基极开路的ce电流，虽然基极开路，但存在有cb的漏电流（Icbo）。所以若将“Icbo”等效为“基极电流”，那么就有...

α和β的关系不是其本质。

2万 · 2019-7-18 12:27

关于器件模型，在此有必要强调一点：

《模拟电路》中为了得到期望的器件模型需要对相关器件加上适当的偏置。加入偏置后，器件（含偏置）等效为一个电源，而偏置电路本身就含电源。这种需要电源偏置才能得到相关特性（譬如电压源）的器件通常可被称为有源器件，其含义是：1）需要电源偏置，2）通常等效模型中含电源。

摘自：https://bbs.21ic.com/icview-2538450-1-1.html

2万 · 2019-7-18 12:36

此外，还要补充说明的是：

器件模型和器件原理不是一码事。器件原理是器件的物理原理，其基于相关的器件物理学。就算是前面的“演义”说法，虽然其不是真正严谨的器件原理，但多少还是与“原理”沾点边。

只看该作者 · 2019-7-18 14:37

HWM 发表于 2019-7-18 12:27
关于器件模型，在此有必要强调一点：

HWM前辈，我还没有完全看完你的帖子已经感受到这个帖子的分量了。境界和理解深入真的已经超过模拟电路书籍了。后来再去看了一眼您的其它帖子，真的佩服。后续一定会仔细拜读您在论坛里的有深度的帖子，努力提升自己是专业水准。非常感谢！

1万 · 2019-7-19 07:59

liumangyang 发表于 2019-7-18 09:41
这个图我有两点疑问：
1：下面的公式应该有个错误是左边应该是ICEO吧
2：图上解释是否和楼上HWM前辈的想 ...

“基极开路的情况下Icbo = Ib吗？这个疑问点怎么解释说明呢？”
我那个文字虽然有严重错误，但图形特异就是解释你这个问题的。
看你对另外东西感兴趣，就不多说了。
你现在是理解问题，悟性不足。

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