我以前说过，现在是网络言论自游时代，即便是对于专业知识，没有专业知识的网民，有个手机号码就能注册个ID，然后就能随意地在网络上发表“高论”，只要不违反站规和发绿就可以了。
人人都能吼几嗓子，过度的言论自游真不是什么好事，尤其是对于电子爱好者，他们不懂什么就百度，一百度就搜出些“高论”，他们不加鉴别的信以为真。
当然了，对懂点电路的人来说就无所谓了，他们会查专业文献，而不会去百度，来求真。
BJT的IC，是个受控电流源，这无可争议！关键是，IC的受控变量是什么？？？
1，IC受控于VBE！
这个毫无争议，看看教科书上BJT的I-V方程就行了。
所以可以说BJT是压控电流源！
2，IC受控于基区过剩载流子！
这个是站在半导体物理的角度看的，基于最基本的电荷控制模型，这个也是毫无争议的！
3，IC受控源基极电流IB！
这个观点最为流行！！！最大的用处，就是描绘共射放大的输出特征曲线，IB作为参数，画出IC~VCE！
这第3个观点，是上面两个更一般的观点的特殊情形，或者说局限性非常强。因为基区过剩载流子和IB的过去历史有关！！
所以，这个模型局限于研究静态特征！！
4，IC受控源IE！因为IC=alpha*IE
这个观点更颓废！局限性更强。
综上所述，IC的控制变量，上面说的第1和第2两个观点，是根本，最为重要。第3个观点确定晶体管的偏置点很方便，第4个观点研究共基放大等特殊情形才有用。
|
|
楼主
