大家帮忙看看双向可控硅电路

登录 · 发表于 2011-11-11 10:06

如题，最近在做一个类似于固态继电器的电路，但是不是很明白R2，R3，R4阻值的选取，R2和R3是限流的？有人说R3是防误触发用的，有人说是提供门极触发电压的，到底啥作用呢？阻值又该怎么选取呢？
双向可控硅型号为BTA06-600B，触发电流5到50mA。
谢谢各位的解答

发表于 2011-11-11 10:31

此电路光耦的接法不对。
用什么型号的光耦？回去仔细看该型号光耦datasheet。

发表于 2011-11-11 11:06

2# maychang
光耦用的是MOC3083

登录 · 发表于 2011-11-11 12:00

3楼：
自己看。

发表于 2011-11-11 14:09

4# maychang
这个电路图我看过，目前我R2选了250欧1W的电阻，R3选了750欧0.5W的电阻，电路功能可以实现，但是不知道这两个电阻阻值应该怎么算，那两个阻值只是我随便选的……小白一个，见笑了。

发表于 2011-11-11 14:09

4# maychang
这个电路图我看过，目前我R2选了250欧1W的电阻，R3选了750欧0.5W的电阻，电路功能可以实现，但是不知道这两个电阻阻值应该怎么算，那两个阻值只是我随便选的……小白一个，见笑了。

发表于 2011-11-11 14:10

4# maychang
这个电路图我看过，目前我R2选了250欧1W的电阻，R3选了750欧0.5W的电阻，电路功能可以实现，但是不知道这两个电阻阻值应该怎么算，那两个阻值只是我随便选的……小白一个，见笑了。

发表于 2011-11-11 14:31

先看看你的电路图与datasheet中典型应用图一样不一样，然后再说电阻数值。

登录 · 发表于 2011-11-11 15:34

8# maychang
不好意思，可能之前我的光耦没画清楚，我重新上图，电路可以说是一样的。

发表于 2011-11-11 16:50

给你介绍一本说看看《数据中心机房供电系统的设计概论》上面可能有你需要的知识，我最近也在学习这本书。
也可以在hhttp://www.bestups365.com/的网站上找到答案。

登录 · 发表于 2011-11-11 16:53

这两图一样？

发表于 2011-11-11 17:17

发表于 2011-11-11 23:02

好好学习学习

发表于 2011-11-11 23:49

R2是光耦输出级的限流电阻，R3是可控硅的偏置电阻，防止可控硅被干扰信号误触发，R4和电容构成RC吸收回路用于抑制可控硅在带感性负载时当可控硅过零关断后因电感的储能效应导致的电压快速上升，以防止可控硅无法关断或受损。
楼主电路确实不对，要严格按手册中的电路设计，包括取值。

发表于 2011-11-12 02:43

楼主的图是对的只不过是从下向上画的。

发表于 2011-11-12 06:15

大家帮忙看看双向可控硅电路

像可控硅这样的器件,LZ最好按器件生产商给出的电路及参数来设计. 当然得多看几家的资料,因为有的厂家写得特别简单,有的写得比较全面.

发表于 2011-11-12 08:09

14# chunyang
嗯，之前的图确实有问题，感谢提醒。
那R2和R3的阻值该怎么算呢？看到光耦MOC3083是过零触发型的，就是在10-25V之间才导通，难道R2=（10-25 ）/可控硅的门极触发电流？

发表于 2011-11-12 08:44

好好学习，可用逻辑分析仪看看此型号的光耦信号和 datasheet上的是否一致有时候有的东西和手册上的又出入！

登录 · 发表于 2011-11-12 08:58

17楼：
晶闸管门极触发电流并非一个常数，每支都不一样，甚至同一支晶闸管在温度不同时触发电流都不一样。手册中所载是在一定测试条件下保证能够触发的数值。
R2数值双向受限，一方面其值应该使触发时流过R2和光耦的电流不会太大(超过光耦允许值，如图)而使光耦损坏，另一方面不会太小而使晶闸管未触发。

发表于 2011-11-12 09:15

老爷子回答的真仔细，赞一个~~~