单片机中简单的两个问题

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 楼主| FS1360472174 发表于 2011-11-19 12:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
1.片内,片外存储有什么不同,他们区分的标准是什么,“片”指的是什么?
2.复位电路中的电容,电阻,晶振值是三者知其二的,那么他们之间是如何计算的。比如说我晶振12M,电容10uf,那么我的电阻取多大呢,这是怎么计算的。
谢谢各位给予详细指导,不甚感激。。。
chen3bing 发表于 2011-11-19 13:01 | 显示全部楼层
1.当然指的单片机了。
2.复位电路无需晶振。
JLINGON 发表于 2011-11-19 16:49 | 显示全部楼层
片内是单片机出产自带的,片外是由于片内不够用所扩展的存储单元
复位电路 只要满足一定时刻的电平条件就可以
 楼主| FS1360472174 发表于 2011-11-19 22:19 | 显示全部楼层
3# JLINGON
 楼主| FS1360472174 发表于 2011-11-19 22:22 | 显示全部楼层
复位电路确实是不需要晶振的,但是不同的晶振他的电容值范围是一样的吗?由此他的电阻值能是一样的吗?
 楼主| FS1360472174 发表于 2011-11-19 22:24 | 显示全部楼层
我想知道他的电容和电阻是怎么确定的,定量。。。谢谢指导3# JLINGON
NE5532 发表于 2011-11-20 10:15 | 显示全部楼层
楼主可能是看了51的书,说复位电平要保持多少个时钟周期,其实一般单片机复位电路不会弄得这么极限,比如复位芯片,一般都会做到200mS左右,所以主要不是对上电时间要求很严的电路,不用研究这个,等你做到要求严格那个层次的时候,自己也就知道去研究了。

复位RC是根据RC时间常数来算的,楼主可以按100mS来设计,可以认为和晶体无关!
 楼主| FS1360472174 发表于 2011-11-20 12:19 | 显示全部楼层
谢谢楼上。。。
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