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一种简易测试晶体管击穿电压的方法

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沙发
tianxj01| | 2019-10-13 10:07 | 只看该作者
本帖最后由 tianxj01 于 2019-10-13 10:10 编辑

通过电感储能,MOS截止导致电感能量开始谐振上升,并最后由被测量管子的VDS承受,这本身就是一种测量耐压的方法,当适当选择电感电流,控制电感储能值,理所当然的我们可以在某种规格的管子安全功耗内进行测试。不过这方法和供电电压也是有直接关系的,由于被测量管子固有等效关闭条件下的C ds,而电感能量必须是合理值,所以,其测量波形的前沿其实就是一个谐振半波。该半波是由L、 L的分布电容、Cds共同决定。和输入电压比,这只是几个倍率关系,按照你这个波形来估计,你可以把这个前沿按照半波正弦波形状描绘下去,可以发现,最高电压大概也只能冲到现在这个平顶的2.5倍这样,再高则没有了。
根据你测量的管子耐压55V左右,也就是120V的管子你还能看到一个很短的平顶,再高耐压的管子,你只能看见一个半波和后面不断的振铃了。所以想测量更高耐压的管子就不行了。
而且当你测量的管子电流更大,则等效Cds也会非常大,这个谐振的峰值下降会非常快。甚至直接就过不了你现在看见的值。所以,想测量更多规格的管子就需要你大幅度调整限流参数等等不一。

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板凳
azsxdcfv| | 2019-10-13 10:26 | 只看该作者
好方法,谢谢分享。

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Pisces_Hades|  楼主 | 2019-10-13 11:05 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-10-13 10:07
通过电感储能,MOS截止导致电感能量开始谐振上升,并最后由被测量管子的VDS承受,这本身就是一种测量耐压的 ...

嗯,这个方法是我调试flyback次级开路工况下无意中发现的。兄弟很专业,又学到了不少东西。

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