如何控制两路电源输出

发表于 2020-1-23 21:29

各位大神：有一个应用场景是这样的：设备平时由DC60V来供电，当DC60V电压较低时，由一组备用电池供电。这样的系统怎么来控制外部DC60V和电池供电的切换？工作电流有80A。控制两路电源该怎么做？由于体积限制，不能采用接触器来控制通断。请大神推荐一下控制方案？

登录 · 发表于 2020-1-24 13:31

本帖最后由 tyw 于 2020-1-24 15:21 编辑

用2只二极管即可,注意散热.

https://item.taobao.com/item.htm ... &abbucket=11#detail

发表于 2020-1-24 15:52

不能用触点型开关的话，大电流场景最好用功率MOS管来做开关，注意耐压要够，导通内阻越低越好。

发表于 2020-1-24 20:39

有偿的吗？

发表于 2020-1-25 20:17

chunyang 发表于 2020-1-24 15:52
不能用触点型开关的话，大电流场景最好用功率MOS管来做开关，注意耐压要够，导通内阻越低越好。 ...

你好。MOS控制通断是首选的途径，但是用啥来驱动MOS呢。60V，80A，功率挺大的。

tyw · 发表于 2020-1-25 20:18

tyw 发表于 2020-1-24 13:31
用2只二极管即可,注意散热.

你好。二极管是简单稳定的措施。但是60V,80A，散热是个很大的问题。

登录 · 发表于 2020-1-25 20:29

本帖最后由 tyw 于 2020-1-25 20:53 编辑

hyseyic 发表于 2020-1-25 20:18
你好。二极管是简单稳定的措施。但是60V,80A，散热是个很大的问题。

发表于 2020-1-26 10:42

tyw 发表于 2020-1-25 20:29
〓◆ 电子产品散热设计相关专辑 33册 237M ◆〓
〓◆ 长虹功率晶体管散热器样本 69页 31.5M ◆〓

谢谢您的分享。散热设计是一门学问。好好学习了。

lihui567 · 发表于 2020-1-26 10:57

tyw 发表于 2020-1-24 13:31
用2只二极管即可,注意散热.

请问安森美或者IXYS这些半导体厂商有类似大功率二极管不？推荐一下。

登录 · 发表于 2020-1-26 11:20

本帖最后由 tyw 于 2020-1-26 11:29 编辑

hyseyic 发表于 2020-1-26 10:57
请问安森美或者IXYS这些半导体厂商有类似大功率二极管不？推荐一下。

发表于 2020-1-26 19:19

hyseyic 发表于 2020-1-25 20:17
你好。MOS控制通断是首选的途径，但是用啥来驱动MOS呢。60V，80A，功率挺大的。 ...

MOS管是电压型驱动，本身功率不管多大，驱动只要满足电压门限即可，无所谓驱动功率。

发表于 2020-1-26 21:10

tyw 发表于 2020-1-26 11:20

多谢多谢。您的回复太高效了。

发表于 2020-1-26 21:12

chunyang 发表于 2020-1-26 19:19
MOS管是电压型驱动，本身功率不管多大，驱动只要满足电压门限即可，无所谓驱动功率。 ...

如果NMOS在正极，驱动电压需要高于60V吧。用PMOS会好控制些不?

发表于 2020-1-27 08:37

这个还是建议用mos管来控制电源输出，加散热器是必须的，

发表于 2020-1-27 21:21

lihui567 发表于 2020-1-27 08:37
这个还是建议用mos管来控制电源输出，加散热器是必须的，

嗯。如果用MOS来控制，NMOS的驱动怎么实现呢?用芯片还是搭建模拟电路，如果用PMOS，会好点不？之前用过LTC4359这个搭建的背靠背的NMOS，一个MOS当负载开关，另一个MOS当理想二极管，运行起来，负载开关那个NMOS在芯片SHUT关闭时，MOS烧毁的一个接一个的。

发表于 2020-1-28 07:56

hyseyic 发表于 2020-1-27 21:21
嗯。如果用MOS来控制，NMOS的驱动怎么实现呢?用芯片还是搭建模拟电路，如果用PMOS，会好点不？之前用过LT ...

nmos驱动的话栅极电压不好处理，选用大功率PMOS散热器的方式就可以

登录 · 发表于 2020-1-29 20:00

lihui567 发表于 2020-1-28 07:56
nmos驱动的话栅极电压不好处理，选用大功率PMOS散热器的方式就可以

这是LTC4359的一个芯片方案，目前我搭建了一个测试板。前面的NOMS的作用是充当一个负载开关，后面的NOMS是充当一个理想二极管。在测试过程中，首先测试只有一路接入时，输入DC24V,负载使用一个电阻，负载电流5A左右。启动放电后，控制芯片的第5脚，拉低芯片的第5脚，让芯片进入SHUTDOWM模式,目的是关闭NMOS.在这个过程中，前面的NMOS烧毁了。看到的现象是前面的NMOS冒烟了。
NMOS的耐压是足够了。应该不是BVDSS造成的。
请分析一下是哪些因素引起的呢？

发表于 2020-1-30 07:49

hyseyic 发表于 2020-1-29 20:00
这是LTC4359的一个芯片方案，目前我搭建了一个测试板。前面的NOMS的作用是充当一个负载开关，后面的NOMS ...

这个芯片没用过，应该是gate引脚升压输出，nmos打开了，你是在关闭mos时，nmos冒烟？

发表于 2020-1-30 12:34

发表于 2020-1-30 13:46

szzw2004 发表于 2020-1-30 12:34

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